Продукція > BSP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.76 грн
100+32.06 грн
500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
994+35.67 грн
1078+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 994 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP320SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.02 грн
16+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
Grade: Automotive
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 7 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesBSP320SH6433XTMA1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+37.57 грн
1023+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 944 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal 60V 120mOhm 2.9A
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.20 грн
10+51.36 грн
100+30.51 грн
500+25.47 грн
1000+21.68 грн
2000+19.67 грн
4000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327Infineon technologies
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1385+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 1385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP320SL6327HTSA1 - BSP320 SIPS SMALL-SIGNAL N-CHANNEL
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1053+22.47 грн
Мінімальне замовлення: 1053 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6327HTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 2.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1124+31.54 грн
10000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 1124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
945+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 945 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SL6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PINF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.52 грн
10+62.52 грн
100+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1.8W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.81 грн
500+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SIPMOS Sm-Signal 900mOhm -100V 980mA
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.65 грн
10+57.48 грн
100+35.97 грн
500+35.83 грн
2000+33.69 грн
5000+24.65 грн
10000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP321PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 980 mA, 0.689 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 980mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.689ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.689ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.41 грн
13+66.93 грн
100+48.81 грн
500+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 0.98A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP321PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 980mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 980mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P H6327Infineon
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322P L6327Infineon TechnologiesGaN FETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -100V 1A SOT-223-3
на замовлення 14527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.08 грн
10+47.47 грн
25+41.21 грн
100+27.96 грн
250+25.13 грн
500+23.13 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.73 грн
2000+26.75 грн
5000+24.34 грн
10000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.23 грн
23+34.03 грн
25+33.69 грн
100+27.29 грн
250+17.94 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.34 грн
500+27.37 грн
1000+21.06 грн
5000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1InfineonP-MOSFET 100V 1A 800mΩ 1.8W BSP322P Infineon TBSP322p
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.58 грн
342+41.47 грн
500+40.52 грн
2000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 0.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.54 грн
12+35.40 грн
25+31.83 грн
100+28.09 грн
250+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 1A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.52 грн
2000+26.57 грн
5000+24.18 грн
10000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+48.31 грн
100+31.94 грн
500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP322PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.00 грн
50+40.59 грн
200+30.74 грн
500+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PL6327Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PL6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324INF09+
на замовлення 36772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 H6327Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
985+36.00 грн
1068+33.21 грн
10000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 985 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
16+50.74 грн
50+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.92 грн
240+59.16 грн
500+55.85 грн
1000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.38 грн
10+44.04 грн
100+28.67 грн
200+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 400V 170mA SOT-223-3
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.61 грн
10+42.87 грн
100+25.54 грн
500+20.57 грн
1000+14.84 грн
5000+14.22 грн
10000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP324H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.83 грн
200+30.81 грн
500+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.83 грн
2000+20.53 грн
3000+16.38 грн
5000+15.64 грн
7000+14.34 грн
10000+13.62 грн
25000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.20 грн
100+28.94 грн
500+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 118000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.76 грн
2000+20.47 грн
3000+16.32 грн
5000+15.59 грн
7000+14.28 грн
10000+13.58 грн
25000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+28.17 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP324L6327 - BSP324 - 0.17A, 400V, N-CHANNEL, MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP324L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 154 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 170mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33NexperiaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33PhilipsТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33
Код товару: 41120
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33 T/RonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXP/Nexperia/We-EnТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXP SEMICONDUTORSTRANS PNP 80V 1000MA SOT223
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
27+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.64 грн
200+21.99 грн
500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NXPТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NexperiaTrans GP BJT PNP 80V 1A 1300mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115Nexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 80V 1A SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
на замовлення 2626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.35 грн
10+36.65 грн
100+23.71 грн
500+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSP33,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.74 грн
23+35.60 грн
50+29.64 грн
200+21.99 грн
500+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115PhilipsТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33,115NexperiaBipolar Transistors - BJT BSP33/SOT223/SC-73
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.66 грн
50+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33-QXNexperia BSP33-Q/SOT223/SC-73
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TAonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP33TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP350INF09+
на замовлення 15258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3505D-PO-B3MICRONAS2002
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP3505D-PP-A2MICRONAS93+ PDIP
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP365INF09+
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372INF09+
на замовлення 38774 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372
Код товару: 60054
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 1.7A SOT-223-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372 L6327InfineonMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327INFINEON09+ SOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±14V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.7A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±14V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372N H6327Infineon TechnologiesMOSFETs SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+47.55 грн
100+27.13 грн
500+21.54 грн
1000+18.22 грн
2000+17.26 грн
5000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372N H6327InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 1,8A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP372 TBSP372
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
16+51.06 грн
50+43.09 грн
200+32.53 грн
500+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 27  [ Наступна Сторінка >> ]