Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK6D77-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.56 грн
500+12.19 грн
1000+8.42 грн
3000+7.59 грн
6000+6.77 грн
12000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.22 грн
715+19.84 грн
722+19.65 грн
776+17.61 грн
1389+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 80V 3.2A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+17.70 грн
100+8.77 грн
1000+8.70 грн
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.97 грн
22+34.49 грн
25+34.15 грн
50+30.11 грн
100+17.72 грн
250+16.84 грн
500+15.66 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6E2R3-40C,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+81.35 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E2R3-40C - 120A, 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+67.66 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R2-55C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R4-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E4R0-75C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
на замовлення 19992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+79.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6M61-60PXNexperiaMOSFETs BUK6M61-60P/SOT1210/ mLFPAK
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+80.18 грн
100+45.56 грн
500+35.83 грн
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.91 грн
10+83.16 грн
50+62.51 грн
100+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+95.27 грн
50+62.96 грн
100+55.78 грн
1000+39.00 грн
3000+35.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.84 грн
10+59.22 грн
100+34.10 грн
500+28.03 грн
1000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.02 грн
50+47.67 грн
100+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.04 грн
10+58.75 грн
100+33.90 грн
500+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.47 грн
50+48.04 грн
100+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q66-60PJNexperiaMOSFETs BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q8R2-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.08 грн
10+100.82 грн
50+65.93 грн
100+58.40 грн
1000+46.25 грн
3000+36.04 грн
6000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 80A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+92.89 грн
50+60.54 грн
100+54.05 грн
1500+36.66 грн
3000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.25 грн
10+80.02 грн
100+53.67 грн
500+39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.98 грн
200+51.53 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 64A
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+75.10 грн
100+43.49 грн
500+34.31 грн
1000+32.52 грн
1500+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+67.14 грн
500+55.66 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+74.34 грн
100+49.83 грн
500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -257A
Drain current: -46A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+135.13 грн
10+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.26 грн
12+71.28 грн
50+67.98 грн
200+51.53 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+64.48 грн
500+58.02 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+35.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.50 грн
3000+43.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.30 грн
3000+25.09 грн
4500+24.84 грн
7500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y19-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.015 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 45A
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.59 грн
10+56.45 грн
100+35.00 грн
500+27.96 грн
1000+25.68 грн
1500+21.33 грн
3000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.51 грн
100+43.54 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 41A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1408 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.12 грн
200+52.72 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.35 грн
100+40.07 грн
500+29.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 39A
на замовлення 16945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+60.65 грн
100+35.00 грн
500+27.34 грн
1000+26.23 грн
1500+23.68 грн
3000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.33 грн
10+85.37 грн
50+71.12 грн
200+52.72 грн
500+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.13 грн
3000+24.95 грн
4500+23.86 грн
7500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.09 грн
200+54.44 грн
500+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 60V 30A
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.87 грн
10+68.99 грн
100+46.25 грн
500+36.80 грн
1000+27.61 грн
1500+27.54 грн
9000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.43 грн
100+51.33 грн
500+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.53 грн
11+75.47 грн
50+67.09 грн
200+54.44 грн
500+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.66 грн
3000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y55-80PXNexperiaMOSFETs BUK6Y55-80P/SOT669/LFPAK
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.12 грн
100+50.88 грн
500+41.70 грн
1000+36.52 грн
1500+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 23A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 60V 25A
на замовлення 7989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+50.41 грн
100+33.27 грн
500+28.23 грн
1000+24.16 грн
1500+22.30 грн
3000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.55 грн
10+88.59 грн
50+73.85 грн
200+54.82 грн
500+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.53 грн
3000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+48.54 грн
100+36.83 грн
500+29.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.53 грн
3000+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+43.90 грн
1000+40.48 грн
10000+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.85 грн
200+54.82 грн
500+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+43.90 грн
1000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7105-40AIE,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 155A 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
500+207.90 грн
1000+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7105-40AIE,118NexperiaNexperia TRENCHPLUS MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK7105-40AIE,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 155A 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+218.53 грн
500+207.90 грн
1000+196.09 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]