Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK6D77-60EXNexperiaTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 77Ohm; 10,6A; 18,8W; -55°C ~ 175°C; BUK6D77-60EX; BUK6D77-60EX; BUK6D77-60EX NEXPERIA TBUK6d77-60ex
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.4A/10.6A 6DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D77-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D77-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.6 A, 0.059 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.059ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 18.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.86 грн
22+34.42 грн
25+34.08 грн
50+30.04 грн
100+17.68 грн
250+16.80 грн
500+15.62 грн
1000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6D81-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.8 A, 0.062 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.8W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 80V 3.2A
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 3.2A/9.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 18.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 504 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6D81-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 3.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+31.15 грн
715+19.80 грн
722+19.60 грн
776+17.58 грн
1389+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R0-30C127NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14964 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6E2R3-40C,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E2R3-40C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E2R3-40C - 120A, 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+68.29 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R2-55C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15300 pF @ 25 V
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E3R4-40C,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6E4R0-75C,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA BUK6E4R0-75C - 120A, 75
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15450 pF @ 25 V
на замовлення 19992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+79.95 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6M61-60PXNexperiaMOSFETs BUK6M61-60P/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q100-80PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q100-80P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q100-80PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q100-80P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q12-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q12-40P/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+79.10 грн
50+59.43 грн
100+49.80 грн
500+39.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+57.06 грн
100+37.75 грн
500+27.67 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q21-30P/SOT8002/ MLPAK33
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q21-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q21-30P/SOT8002/MLPAK33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.44 грн
100+38.05 грн
500+27.90 грн
1000+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.6mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q26-40PJNexperiaMOSFETs BUK6Q26-40P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q66-60PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q66-60PJNexperiaMOSFETs BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q66-60PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q66-60P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q8R2-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q8R2-30PJNexperiaMOSFETs BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Q8R2-30PJNexperia USA Inc.Description: BUK6Q8R2-30P/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.23 грн
50+60.35 грн
100+50.59 грн
500+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.36 грн
3000+32.37 грн
4500+31.02 грн
7500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 80A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 80A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 80A LFPAK56
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 8170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+76.31 грн
100+51.07 грн
500+37.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y10-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y10-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.008 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y12-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y12-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 67A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+66.99 грн
500+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.44 грн
100+51.87 грн
500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
440+64.33 грн
500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 440 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y14-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.014 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 64A
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.40 грн
3000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y14-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y15-40PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y15-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.12 грн
100+43.94 грн
500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y19-30PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 45 A, 0.015 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 45
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 66
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 66
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 30V 45A
на замовлення 2051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 45A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y19-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.57 грн
3000+25.32 грн
4500+25.07 грн
7500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 41A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1408 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y20-30PXNexperiaMOSFET BUK6Y20-30P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+60.91 грн
100+40.44 грн
500+29.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.39 грн
3000+25.18 грн
4500+24.08 грн
7500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y24-40PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 39 A, 0.019 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 40V 39A
на замовлення 16945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y24-40PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 40V 39A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperiaMOSFET BUK6Y25-40P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y25-40PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1591 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y32-60P/SOT669/LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y32-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.55 грн
100+53.42 грн
500+39.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y33-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 30 A, 0.026 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaMOSFETs SOT669 P-CH 60V 30A
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.16 грн
3000+34.00 грн
4500+32.60 грн
7500+29.12 грн
10500+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y33-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y55-80PXNexperiaMOSFETs BUK6Y55-80P/SOT669/LFPAK
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y55-80PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y55-80P/SOT669/LFPAK
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+54.65 грн
25+49.39 грн
100+40.93 грн
250+38.35 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y55-80PXNexperia USA Inc.Description: BUK6Y55-80P/SOT669/LFPAK
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+41.35 грн
3000+36.90 грн
4500+35.41 грн
7500+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 23A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y57-60PXNexperiaMOSFET BUK6Y57-60P/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.45 грн
3000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK6Y61-60PX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 25 A, 0.048 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 66W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+48.99 грн
100+37.17 грн
500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK6Y61-60PXNexperiaTrans MOSFET P-CH 60V 25A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+43.80 грн
1000+40.39 грн
10000+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 646 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 20 25 30 35 40 45 50 54  [ Наступна Сторінка >> ]