Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2100U-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP2100U-7 DIODES TDMP2100U-7 Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P CH 20V 4.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.50 грн
6000+4.78 грн
9000+4.52 грн
15000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1515-9 T&R 3K
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3A 9UWLB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1515-9
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2030-6
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -4.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
500+14.62 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DiodesMOSFET Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
6000+8.59 грн
9000+7.43 грн
24000+6.34 грн
30000+5.81 грн
45000+5.39 грн
75000+5.11 грн
99000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2062+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 2062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -3.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
29+14.79 грн
36+11.80 грн
100+8.64 грн
500+6.40 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
6000+8.59 грн
9000+7.43 грн
24000+6.34 грн
30000+5.81 грн
45000+5.39 грн
75000+5.11 грн
99000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES/ZETEXP-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.40 грн
100+11.64 грн
500+8.17 грн
1000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 970mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1515-9 T and R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: DFN1411-3
On-state resistance: 0.24Ω
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.22 грн
17+25.34 грн
25+19.86 грн
50+16.62 грн
100+14.13 грн
500+10.30 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 65383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.38 грн
100+15.51 грн
500+10.98 грн
1000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
14+22.36 грн
100+14.28 грн
500+10.10 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedMOSFETs -20V -860mA
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.25 грн
6000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 269pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6 (Type C)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.10 грн
20000+7.55 грн
50000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.10 грн
20000+7.55 грн
50000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.35 грн
23+34.25 грн
25+33.83 грн
50+32.58 грн
100+20.26 грн
250+19.25 грн
500+19.06 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
6000+2.97 грн
9000+2.47 грн
30000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 42558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
23+13.01 грн
100+6.38 грн
500+5.00 грн
1000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
20000+2.36 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.33 грн
47+16.34 грн
48+15.99 грн
62+11.84 грн
100+8.89 грн
250+7.67 грн
500+5.40 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
20000+2.36 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.06 грн
30000+4.81 грн
50000+4.09 грн
100000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 119970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+18.10 грн
100+9.12 грн
500+7.58 грн
1000+5.90 грн
2000+5.28 грн
5000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+35.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.29 грн
6000+35.92 грн
9000+35.56 грн
12000+33.95 грн
15000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
6000+5.50 грн
9000+4.87 грн
30000+4.52 грн
75000+3.84 грн
150000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.26 грн
6000+35.90 грн
9000+35.53 грн
12000+33.93 грн
15000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 364370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
17+18.10 грн
100+9.12 грн
500+7.58 грн
1000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7-MLMOSLEADERDescription: P 20V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.51 грн
1000+2.36 грн
3000+2.20 грн
6000+2.02 грн
15000+1.96 грн
30000+1.88 грн
75000+1.74 грн
150000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.57 грн
20000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.36 грн
6000+6.50 грн
9000+6.21 грн
15000+5.51 грн
21000+5.32 грн
30000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.