Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP2100UFU-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4.1A; 0.9W; U-DFN2030-6
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2030-6
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.87 грн
500+14.76 грн
1000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.76 грн
6000+8.57 грн
9000+7.41 грн
24000+6.33 грн
30000+5.80 грн
45000+5.37 грн
75000+5.10 грн
99000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2062+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 2062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; 0.8W; SOT23; ESD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: SOT23
на замовлення 2255 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
29+14.93 грн
36+11.91 грн
100+8.72 грн
500+6.46 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
6000+8.57 грн
9000+7.41 грн
24000+6.33 грн
30000+5.80 грн
45000+5.37 грн
75000+5.10 грн
99000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.73 грн
18+18.67 грн
100+10.03 грн
500+6.34 грн
1000+5.92 грн
3000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 216 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.57 грн
100+11.75 грн
500+8.24 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7DIODES/ZETEXP-MOSFET -20V -4A DMP2100UQ-7 Diodes TDMP2100uq
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 396000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCB9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DSN1515-9 T and R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2101UCP9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.5A 9DSN1515
Packaging: Bulk
Package / Case: 9-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 970mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9 (Type B)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
974+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
13+24.61 грн
100+15.65 грн
500+11.08 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 0.5W; DFN1411-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: DFN1411-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.22 грн
20+21.97 грн
100+13.42 грн
500+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 974 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Channel
на замовлення 65383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.56 грн
13+24.68 грн
100+14.14 грн
500+10.52 грн
1000+9.34 грн
3000+6.90 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A 3DFN1411
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1411-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104LP-7-52Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedMOSFETs -20V -860mA
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.68 грн
15+22.03 грн
100+9.89 грн
500+9.27 грн
1000+8.85 грн
3000+6.76 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
14+22.57 грн
100+14.41 грн
500+10.20 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
6000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2104V-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2108UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8V~24V U-WLB1510-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 269pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6 (Type C)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2109UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.08 грн
20000+7.53 грн
50000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.56 грн
500+14.57 грн
1000+9.20 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 5764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.25 грн
11+29.65 грн
100+17.56 грн
1000+9.82 грн
2500+8.99 грн
10000+7.94 грн
20000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.08 грн
20000+7.53 грн
50000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUDJ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, 5.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.51 грн
25+33.65 грн
100+20.56 грн
500+14.57 грн
1000+9.20 грн
5000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUDJ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 6-Pin SOT-963 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.25 грн
23+34.17 грн
25+33.76 грн
50+32.50 грн
100+20.21 грн
250+19.20 грн
500+19.02 грн
1000+11.41 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.04 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.36 грн
6000+3.00 грн
9000+2.49 грн
30000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.41 грн
50+16.26 грн
100+9.51 грн
500+6.04 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
на замовлення 42558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
23+13.13 грн
100+6.44 грн
500+5.04 грн
1000+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
20000+2.36 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.15 грн
1000+3.06 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
47+16.30 грн
48+15.95 грн
62+11.81 грн
100+8.87 грн
250+7.65 грн
500+5.39 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.38 грн
20000+2.36 грн
50000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP210DUFB4-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.90 грн
50+16.58 грн
100+9.67 грн
500+6.15 грн
1000+3.06 грн
5000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP210DUFB4-7BDiodes IncorporatedMOSFET P-Channel -20V FET 8Vgss 0.35W
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
19+17.07 грн
100+8.15 грн
500+6.41 грн
1000+4.95 грн
5000+4.67 грн
10000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 119970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.27 грн
100+9.21 грн
500+7.65 грн
1000+5.96 грн
2000+5.33 грн
5000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.11 грн
30000+4.86 грн
50000+4.13 грн
100000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.11 грн
37+22.35 грн
100+9.43 грн
500+7.13 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.96 грн
19+17.07 грн
100+7.11 грн
500+6.76 грн
1000+5.78 грн
3000+5.02 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
6000+5.55 грн
9000+4.92 грн
30000+4.56 грн
75000+3.87 грн
150000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.21 грн
6000+35.84 грн
9000+35.48 грн
12000+33.88 грн
15000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.43 грн
500+7.13 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 364370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.65 грн
17+18.27 грн
100+9.21 грн
500+7.65 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.18 грн
6000+35.82 грн
9000+35.45 грн
12000+33.85 грн
15000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110U-7-MLMOSLEADERDescription: P 20V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.53 грн
1000+2.38 грн
3000+2.22 грн
6000+2.04 грн
15000+1.98 грн
30000+1.90 грн
75000+1.75 грн
150000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.64 грн
20000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
6000+6.56 грн
9000+6.26 грн
15000+5.56 грн
21000+5.37 грн
30000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2110UFDB-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.2 A, 3.2 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.92 грн
35+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDB-7Diodes ZetexDual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.24 грн
20000+7.33 грн
30000+7.03 грн
50000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes ZetexP-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.63 грн
100+17.75 грн
500+12.64 грн
1000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.29 грн
10+46.87 грн
100+25.92 грн
500+17.14 грн
1000+13.59 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2110UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3292410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
15+21.44 грн
100+10.83 грн
500+8.29 грн
1000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 36 38  [ Наступна Сторінка >> ]