Продукція > FQP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQPF18N20V2ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N20V2 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N20V2YDTUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 102400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+100.59 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N20V2YDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N20V2YDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 84800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50
на замовлення 4463 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2FAIRCHILD
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2SDTUONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF18N50V2SDTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2SDTUonsemi / FairchildMOSFET 500V/18A/.265ohm/NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF18N50V2Tonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10onsemi / FairchildMOSFET 100V N-Channel QFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+62.84 грн
1000+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10onsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+49.30 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 54.4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF19N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13.6 A, 0.078 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.6
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
565+62.60 грн
1000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 565 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N10LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF19N10L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 10107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20onsemiMOSFETs 200V N-Channel QFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 11.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 7.5A; Idm: 48A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+109.42 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20ConsemiMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+114.58 грн
168+84.53 грн
500+73.63 грн
1000+65.31 грн
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.63 грн
5+101.48 грн
10+75.48 грн
50+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.68 грн
10+99.86 грн
50+75.93 грн
100+64.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+176.73 грн
151+93.92 грн
164+86.63 грн
500+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20CYDTUonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20TONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF19N20T - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 526 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20TFairchild SemiconductorDescription: 11.8A, 200V, 0.15OHM, N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF19N20TFAIRCHILDFQPF19N20T
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.98 грн
500+85.47 грн
1000+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1N60TON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF1P50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 515mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 29806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
403+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 403 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06LFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; FQPF20N06L TFQPF20n06l
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 15.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.85A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06Lonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N60
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30onsemi / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 7.6A; Idm: 48A; 56W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 56W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22N30FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+170.90 грн
500+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10
Код товару: 197420
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+197.20 грн
84+168.85 грн
100+143.25 грн
500+111.86 грн
1000+85.60 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.09 грн
10+183.32 грн
100+155.52 грн
500+121.45 грн
1000+92.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF22P10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF22P10 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.096 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 13.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 45
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 45
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.17 грн
10+198.66 грн
50+155.17 грн
100+132.47 грн
500+109.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25onsemiMOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.083 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 55
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 55
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.9A; Idm: 56A; 55W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.9A
Power dissipation: 55W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27N25TonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.64 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 47W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONS/FAIТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; 47W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+134.96 грн
50+103.42 грн
100+87.53 грн
500+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+172.25 грн
100+141.44 грн
121+117.13 грн
132+103.60 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF27P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF28N15 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+59.51 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF28N15TonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 16.7A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 1.34A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 670mA, 10V
Power Dissipation (Max): 16W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.1A TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50FAIRCHILDFQPF2N50
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50ONSEMIDescription: ONSEMI - FQPF2N50 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 972 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N50C
на замовлення 87090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60onsemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF2N60CON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.