Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.81 грн
10+360.11 грн
50+286.76 грн
100+246.98 грн
500+239.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+542.02 грн
38+374.78 грн
50+369.73 грн
100+279.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 184000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+292.13 грн
3000+292.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.09 грн
10+374.14 грн
50+369.10 грн
100+279.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+392.48 грн
100+372.45 грн
500+353.59 грн
1000+321.64 грн
10000+279.92 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5E8187ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06L GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N06LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.48 грн
10+350.07 грн
50+277.79 грн
100+238.87 грн
500+227.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 118A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO 263-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.41 грн
10+366.97 грн
50+363.26 грн
100+258.41 грн
500+216.13 грн
1000+194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+552.70 грн
29+491.33 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.49 грн
3000+198.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+551.76 грн
10+490.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+544.86 грн
40+361.95 грн
50+358.30 грн
100+254.88 грн
500+213.18 грн
1000+191.76 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+219.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 115A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+662.95 грн
32+452.12 грн
33+432.41 грн
100+376.78 грн
250+311.66 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+419.59 грн
100+398.38 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 8109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.59 грн
10+380.94 грн
50+304.04 грн
100+262.13 грн
500+257.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+321.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 120A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+663.15 грн
10+461.97 грн
50+442.68 грн
100+420.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+419.59 грн
100+398.38 грн
500+377.16 грн
1000+344.37 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB048N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+664.29 грн
31+462.78 грн
50+443.45 грн
100+421.33 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+232.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+325.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+523.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LFATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+662.95 грн
10+452.12 грн
25+432.41 грн
100+376.78 грн
250+311.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+234.30 грн
95+150.02 грн
110+129.12 грн
500+110.99 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.90 грн
10+149.76 грн
100+128.89 грн
500+110.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+154.40 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB049N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+170.90 грн
1000+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+167.41 грн
100+117.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.76 грн
500+170.90 грн
1000+157.94 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04CN10NGINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04CN10NGANBRUCHInfineon Technologies07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LA GINFTO-263
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LAGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LATInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB04N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N06NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 4500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB050N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
10+174.88 грн
50+135.30 грн
100+115.01 грн
500+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+155.09 грн
58000+141.72 грн
87000+131.86 грн
116000+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]