Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB06N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LAInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LAinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LA GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LATInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LBinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LBInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LB GINFTO-263
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06N03LBGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06P001LATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06NGInfineon TechnologiesMOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB070N06NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.97 грн
10+189.74 грн
100+123.57 грн
500+107.69 грн
1000+91.12 грн
2000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3 GInfineonMOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3 GInfineon
на замовлення 83000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3 G E8187Infineon TechnologiesMOSFET PG-TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+546.02 грн
28+522.56 грн
50+502.65 грн
100+468.25 грн
250+420.42 грн
500+392.62 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GInfineonN-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+102.11 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GInfineonN-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+102.11 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.30 грн
10+227.66 грн
100+200.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+204.28 грн
2000+191.84 грн
3000+185.51 грн
5000+172.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 79000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+180.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+144.11 грн
2000+130.33 грн
3000+126.03 грн
5000+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.96 грн
10+208.00 грн
100+134.62 грн
500+112.53 грн
1000+104.93 грн
2000+98.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 178000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.00 грн
2000+111.87 грн
5000+110.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+154.64 грн
500+126.39 грн
1000+98.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+155.92 грн
500+147.66 грн
1000+139.39 грн
10000+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.34 грн
85+166.89 грн
89+159.70 грн
100+137.60 грн
250+126.06 грн
500+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+347.69 грн
62+229.23 грн
100+201.80 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.14 грн
100+260.37 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.89 грн
10+178.80 грн
50+158.66 грн
200+127.89 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.57 грн
2000+108.48 грн
3000+107.40 грн
5000+102.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.86 грн
10+253.53 грн
100+180.12 грн
500+139.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+127.61 грн
2000+126.34 грн
5000+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.34 грн
10+166.89 грн
25+159.70 грн
100+137.60 грн
250+126.06 грн
500+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+356.52 грн
56+254.11 грн
100+201.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.96 грн
10+205.38 грн
50+177.99 грн
200+139.85 грн
500+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.99 грн
2000+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1
Код товару: 219572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 7300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+186.85 грн
200+145.09 грн
500+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.43 грн
10+197.51 грн
100+139.56 грн
500+112.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+212.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 3665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.96 грн
10+202.44 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
1000+103.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB075N04LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB075N04LGINFINEON
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB075N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB075N04LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB07N03
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB07N03Linfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB07N03L E3045AInfineon
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03L GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03L GINFTO-263
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 15 V
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
472+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 472 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB080N06NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.22 грн
10+95.27 грн
100+55.78 грн
500+46.18 грн
1000+39.21 грн
2000+37.76 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.33 грн
2000+35.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.94 грн
10+90.20 грн
100+62.18 грн
500+46.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.00 грн
10+94.47 грн
100+55.09 грн
500+43.77 грн
1000+40.11 грн
2000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 30 V
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.03 грн
10+81.37 грн
100+54.98 грн
500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.10 грн
25+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3 GInfineonMOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 5792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.62 грн
10+100.03 грн
100+68.69 грн
250+63.72 грн
500+57.85 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GInfineon technologies
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.74 грн
2000+71.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.46 грн
200+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+100.03 грн
100+64.82 грн
500+52.74 грн
1000+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+72.19 грн
2000+70.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.02 грн
111+128.76 грн
133+106.78 грн
200+98.19 грн
500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 50 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
10+103.09 грн
100+73.69 грн
500+58.78 грн
1000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]