Продукція > IRL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRL530NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.27 грн
183+77.36 грн
500+67.38 грн
800+55.99 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay DaleMOSFET N-Chan 100V 15 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVishay SemiconductorsMOSFETs LOGIC MOSFET N-CHANNEL 100V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL530PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 79W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
10+98.35 грн
100+72.91 грн
500+50.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530S
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs N-Chan 100V 15 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540-VBVBsemiTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540-VBVBsemiTranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150W; -55°C ~ 175°C; DISCONTINUED; Odpowiednik: IRL540; IRL540-VB; IRL540 TIRL540
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel a-FET Logic Level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
на замовлення 3058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.49 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRL540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 517 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
367+96.53 грн
500+86.88 грн
1000+80.13 грн
Мінімальне замовлення: 367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540N; IRL540N TIRL540
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N UMW TIRL540 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540N-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 28A; 80W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRL540; IRL540N; SP001576440; IRL540N-CN CHIPNOBO TIRL540 CNB
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLPBFInternational RectifierPower MOSFET, TO-262, 100V, 0,044 Ohm, 36A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 16608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.30 грн
13+64.78 грн
100+57.87 грн
500+42.49 грн
1000+35.74 грн
5000+32.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.63 грн
2000+50.96 грн
5000+46.78 грн
10000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.63 грн
2000+50.96 грн
5000+46.78 грн
10000+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 116807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
50+85.86 грн
100+77.11 грн
500+57.96 грн
1000+53.33 грн
2000+49.43 грн
5000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 44mΩ
Gate charge: 49.3nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+112.90 грн
10+70.36 грн
25+61.89 грн
50+56.36 грн
100+51.41 грн
250+45.62 грн
500+41.76 грн
1000+38.24 грн
2000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+83.90 грн
50+83.06 грн
100+70.49 грн
500+54.06 грн
1000+48.72 грн
2000+43.96 грн
5000+39.17 грн
10000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 40749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.71 грн
171+82.87 грн
202+70.33 грн
500+53.94 грн
1000+48.61 грн
2000+43.86 грн
5000+39.08 грн
10000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-220AB) Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
6+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF
Код товару: 25626
2 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 36 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1800/74
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
  • 37 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 10 шт
  • 10 шт - очікується
1+56.00 грн
10+50.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.25 грн
50+75.49 грн
100+65.43 грн
500+51.35 грн
1000+46.39 грн
2000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
на замовлення 21216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.25 грн
188+75.49 грн
217+65.43 грн
500+51.35 грн
1000+46.39 грн
2000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSIRL540NS Транзисторы HEXFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NS
Код товару: 99527
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 36 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1800/74
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-252) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSCIR
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInfineon / IRMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 49.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRL540NSPBF - IRL540NS 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,100V,36A,0.044 OM,TO-252) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRL540NS TIRL540ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.82 грн
1600+81.99 грн
2400+75.27 грн
4000+71.86 грн
5600+65.48 грн
8000+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.12 грн
1600+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.89 грн
10+117.86 грн
50+88.60 грн
100+69.59 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.12 грн
1600+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 36 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1800 @ 25, Qg, нКл = 74 @ 5 В, Rds = 44 мОм @ 18 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 2350 Од. вим
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.64 грн
10+145.74 грн
100+105.80 грн
800+78.55 грн
1600+72.00 грн
2400+61.97 грн
4000+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 19769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+120.24 грн
100+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.64 грн
98+145.74 грн
134+105.80 грн
800+78.55 грн
1600+72.00 грн
2400+61.97 грн
4000+61.36 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 36A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.50 грн
10+88.06 грн
50+73.80 грн
100+68.77 грн
250+62.90 грн
500+58.71 грн
800+56.19 грн
1600+52.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+82.64 грн
1600+81.82 грн
2400+75.10 грн
4000+71.69 грн
5600+65.33 грн
8000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRL540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.59 грн
250+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.87 грн
10+102.41 грн
25+82.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.08 грн
1600+58.06 грн
2400+55.70 грн
4000+49.80 грн
5600+48.33 грн
8000+47.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL540PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF
Код товару: 42050
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 100 V
Струм стоку Idd, A: 28 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2200/64
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 5368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRL540SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SIRSOT263 10+
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRL540SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.60 грн
10+120.30 грн
100+108.92 грн
500+80.76 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 100V 28A N-CH MOSFET
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.06 грн
75+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVISHAY
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.06 грн
10+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRL5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 48  [ Наступна Сторінка >> ]