Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRF9Z34NS
Код товару: 19219
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBF
Код товару: 33403
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 19 A
Rds(on),Om: 0,10 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
Монтаж: SMD
у наявності: 129 шт
  • 69 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+39.00 грн
10+34.70 грн
100+30.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFIRF9Z34NSPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 98 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 19 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 620 @ 25, Qg, нКл = 35 @ 10 В, Rds = 100 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+25.55 грн
100+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRInfineonP-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34NS IRF9Z34NS IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRL IRF9Z34NS smd TIRF9Z34ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.88 грн
50+137.68 грн
100+94.50 грн
500+72.32 грн
1000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 15339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.59 грн
10+170.81 грн
100+118.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+87.05 грн
2400+84.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V 19A 100mOhm 23.3nC
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.51 грн
10+138.12 грн
100+82.40 грн
500+67.24 грн
800+61.87 грн
2400+60.05 грн
4800+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.75 грн
10+123.88 грн
25+122.63 грн
100+111.66 грн
250+74.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.64 грн
2400+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.76 грн
1600+84.88 грн
2400+81.63 грн
4000+73.19 грн
5600+71.16 грн
8000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF9Z34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 3749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.50 грн
500+72.32 грн
1000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.88 грн
116+122.63 грн
123+115.79 грн
250+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 118620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.91 грн
506+70.12 грн
1000+64.67 грн
10000+55.59 грн
100000+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF9Z34NSTRRPBF - IRF9Z34 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+46.60 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF9Z34NSTRRPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.91 грн
506+70.12 грн
1000+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.91 грн
506+70.12 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NSTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 100mOhms 23.3nC
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.57 грн
10+79.90 грн
100+53.63 грн
500+45.46 грн
800+37.08 грн
2400+34.84 грн
4800+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.38 грн
50+121.73 грн
100+110.10 грн
500+84.18 грн
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+137.59 грн
110+129.65 грн
113+125.68 грн
250+110.99 грн
500+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 4319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.82 грн
10+97.97 грн
100+69.06 грн
500+59.84 грн
1000+55.58 грн
2000+46.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = -20, Id = -18, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1100 @ -25, Qg, нКл = 34, Rds = 0,14 мОм, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = -3,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.69 грн
10+87.41 грн
50+74.81 грн
100+69.76 грн
250+63.04 грн
500+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF
Код товару: 49507
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+27.00 грн
10+23.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.69 грн
10+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 60V 18A
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.78 грн
10+95.56 грн
100+59.77 грн
500+49.79 грн
1000+49.58 грн
2000+48.67 грн
5000+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 18A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.52 грн
10+117.31 грн
25+112.42 грн
50+98.34 грн
100+85.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SInternational Rectifier/InfineonP-канальный ПТ (Vds=60V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.14 R@Vgs=10V, P=88W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: D2PAC Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF9Z34SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.37 грн
10+126.27 грн
100+87.17 грн
500+68.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.66 грн
10+110.19 грн
50+90.27 грн
100+82.12 грн
200+74.72 грн
500+65.06 грн
750+60.69 грн
1000+57.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.78 грн
10+105.20 грн
100+69.06 грн
500+64.87 грн
1000+60.68 грн
5000+54.74 грн
10000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.04 грн
122+116.20 грн
500+96.13 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.54 грн
10+165.59 грн
100+116.59 грн
500+93.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.77 грн
88+161.41 грн
100+146.85 грн
200+130.13 грн
500+107.49 грн
750+98.66 грн
1000+95.26 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.02 грн
50+132.32 грн
100+119.85 грн
500+91.96 грн
1000+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - MOSFET, P CH, -60V, -18A, TO-263-3
tariffCode: 0
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.13 грн
10+186.56 грн
25+170.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+136.12 грн
126+113.03 грн
127+111.92 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.68 грн
10+119.29 грн
100+81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF9Z34STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.19 грн
10+122.20 грн
100+83.91 грн
500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs P-Chan 60V 18 Amp
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.26 грн
10+126.88 грн
100+76.81 грн
500+58.24 грн
800+51.74 грн
2400+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.12 грн
10+113.03 грн
25+111.92 грн
100+76.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.02 грн
10+171.04 грн
100+119.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.31 грн
10+183.89 грн
100+112.42 грн
500+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC30International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+393.52 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC32IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAC50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
FET Type: N-Channel
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+582.89 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAD1001SQIOR2007
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE32International RectifierDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+437.04 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE40PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAE52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+266.00 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+478.41 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF42International RectifierDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+471.00 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+553.82 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+556.18 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAF52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG20International RectifierDescription: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+268.98 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG40Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 3.9A 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3139.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG42IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG50Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3-Pin(2+Tab) TO-204AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAG52IR\MOT01+ TO-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFAUIRF3805SInternational RectifierDescription: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]