Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB438PBFInfineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+164.64 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB438PBFInfineon TechnologiesIRFB438PBF- HEXFETPower MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.46 грн
500+164.64 грн
1000+151.70 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410
Код товару: 211278
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
  • 50 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 10 шт
  • 10 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410International RectifierN-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 96A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF
Код товару: 72936
1 Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 96 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 8 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5150/120
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+93.00 грн
10+87.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 230 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInternational RectifierN-Channel HEXFET, TO-220, 100V Транзистори
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+158.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 88A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.65 грн
50+94.27 грн
100+84.85 грн
500+64.11 грн
1000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.35 грн
10+134.07 грн
100+120.03 грн
500+94.11 грн
1000+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+247.35 грн
106+134.07 грн
118+120.03 грн
500+94.11 грн
1000+86.17 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 951 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.64 грн
10+97.07 грн
20+90.37 грн
50+82.84 грн
100+76.98 грн
200+71.96 грн
500+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 22980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.50 грн
13+61.26 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZInfineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410Z
Код товару: 40049
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZInternational RectifierN-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+94.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+158.76 грн
500+143.47 грн
1000+131.71 грн
10000+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZGPBFInternational RectifierDescription: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+411.29 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+158.76 грн
500+143.47 грн
1000+131.71 грн
10000+113.29 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.42 грн
10+157.35 грн
100+108.80 грн
500+84.52 грн
1000+54.44 грн
2000+51.74 грн
5000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.06 грн
102+138.54 грн
135+104.97 грн
500+82.95 грн
1000+55.62 грн
2000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.80 грн
10+86.19 грн
20+76.98 грн
50+66.11 грн
100+59.41 грн
200+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.06 грн
10+138.54 грн
100+104.97 грн
500+82.95 грн
1000+55.62 грн
2000+52.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+91.39 грн
500+82.25 грн
1000+75.86 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 97 А, Ptot, Вт = 230, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4820 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 9 мОм @ 58 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 300
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+157.85 грн
130+109.15 грн
500+87.94 грн
1000+58.99 грн
2000+54.07 грн
5000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.66 грн
10+111.76 грн
100+76.37 грн
500+57.45 грн
1000+52.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB448PBFInfineon TechnologiesIRFB448PBF^INFINEON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.82 грн
10+118.09 грн
100+80.91 грн
500+61.02 грн
1000+56.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.93 грн
10+123.02 грн
100+91.13 грн
500+67.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.77 грн
2000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF
Код товару: 58620
1 Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 62 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 10,7 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності: 111 шт
  • 96 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 13 шт
  • 13 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+35.00 грн
10+31.50 грн
100+27.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInternational RectifierTO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.48 грн
117+120.91 грн
500+97.17 грн
1000+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.88 грн
10+124.62 грн
100+92.72 грн
500+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.77 грн
2000+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFIRFB4510PBF Транзисторы
на замовлення 108 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.88 грн
114+124.62 грн
153+92.72 грн
500+69.10 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.02 грн
155+91.13 грн
500+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+89.03 грн
10+82.93 грн
25+71.63 грн
50+62.01 грн
100+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF..INFINEONDescription: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 140
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610
Код товару: 99480
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 73 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 11 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3550/90
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+41.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+147.27 грн
10+132.21 грн
20+126.35 грн
50+117.15 грн
100+110.46 грн
200+103.76 грн
500+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.27 грн
12+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.91 грн
10+71.96 грн
20+70.29 грн
50+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF
Код товару: 99481
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 35 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 32 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1750/26
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 578419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+93.00 грн
500+83.69 грн
1000+77.19 грн
10000+66.36 грн
100000+51.48 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+140.41 грн
195+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.41 грн
11+72.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+178.80 грн
83+171.99 грн
100+166.15 грн
250+155.36 грн
500+139.94 грн
1000+131.06 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.81 грн
10+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.29 грн
50+106.22 грн
100+105.55 грн
500+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFVishay / SiliconixMOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB - MOSFETs - Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.79 грн
50+106.71 грн
100+105.93 грн
500+88.34 грн
1000+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.29 грн
133+106.22 грн
134+105.55 грн
500+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.56 грн
50+96.08 грн
100+86.50 грн
500+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 205189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.32 грн
10000+93.99 грн
100000+72.91 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.29 грн
10+127.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]