Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT | на замовлення 15734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Power dissipation: 53W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 35A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 9902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 53W; VSONP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A | на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 2759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 3488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | MOSFETs CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm Power dissipation: 37W Gate charge: 7.9nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 20A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT | на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | MOSFETs CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Транзистори | на замовлення 44 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm 8-VSONP Транзистори | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT | на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V | на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm Power dissipation: 36W Gate charge: 5.4nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 25A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 5x6mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD | на замовлення 218 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | на замовлення 2089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,7mOhm; 101A; 63W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q3AT CSD17581Q3A TCSD17581q3a кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 63W; VSONP8; 3.3x3.3mm Mounting: SMD Power dissipation: 63W Gate charge: 20nC Polarisation: unipolar Technology: NexFET™ Drain current: 60A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Dimensions: 3.3x3.3mm Kind of package: reel; tape Case: VSONP8 On-state resistance: 3.9mΩ | на замовлення 366 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | на замовлення 2547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3AT Код товару: 177865
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17581Q5A | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,2mOhm; 123A; 83W; -55°C ~ 150°C; CSD17581Q5AT CSD17581Q5A TCSD17581q5a кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|