Продукція > CSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5B | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-CSD17576Q5BT | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; VSON-CLIP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: VSON-CLIP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | на замовлення 376 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | MOSFETs 30V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) | на замовлення 10477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) | на замовлення 10250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17576Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A Код товару: 178585
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 10021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT | на замовлення 15734 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A | на замовлення 866 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 1910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 53W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A VSON-8 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q5AT | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 60A; 53W; VSONP8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Power dissipation: 53W Case: VSONP8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 9902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 2759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 60A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17577Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCH NexFET A 595 -CSD17577Q5A A 595- A 595-CSD17577Q5A | на замовлення 5349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 3488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | MOSFETs CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT | на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 37W; VSONP8; 3.3x3.3mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A Power dissipation: 37W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.9nC Dimensions: 3.3x3.3mm | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V | на замовлення 4162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17578Q5AT | на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17578Q5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17578Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | MOSFETs CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON Транзистори | на замовлення 44 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 998 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 29W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q3AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | MOSFET 30-V, N channel NexFET power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 13.3 mOhm 8-VSONP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V | на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT | на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; 36W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A Power dissipation: 36W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | на замовлення 219 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 30V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17579Q5A | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin VSONP EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| CSD17579Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| CSD17581Q3A | Texas Instruments | MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT | на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

