Продукція > DMN

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMN2041LSD-13

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.92A; Idm: 30A; 1.16W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.92A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.16W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2041LSD-13

Trans MOSFET N-CH 20V 7.63A 8-Pin SO T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.69 грн
5000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-13

Diodes Incorporated

MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.47 грн
12+	68.22 грн
100+	45.91 грн
500+	31.26 грн
1000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	45.91 грн
500+	31.26 грн
1000+	25.27 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.00 грн
6000+	7.91 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.75 грн
500+	10.84 грн
1000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 689pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 7468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.16 грн
13+	24.23 грн
100+	15.50 грн
500+	10.99 грн
1000+	9.84 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Description: DIODES INC. - DMN2041UVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	40.43 грн
33+	24.65 грн
100+	16.75 грн
500+	10.84 грн
1000+	8.84 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2041UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K

на замовлення 7908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.56 грн
13+	24.77 грн
100+	14.22 грн
500+	10.84 грн
1000+	9.53 грн
3000+	7.66 грн
6000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V

на замовлення 1137000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.33 грн
6000+	11.80 грн
9000+	11.27 грн
15000+	10.02 грн
21000+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2044UCB4-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.18W
Case: U-WLB1010-4
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	55.48 грн
13+	31.99 грн
100+	20.69 грн
500+	15.79 грн
1000+	14.29 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

на замовлення 9555 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.36 грн
10+	37.23 грн
100+	21.95 грн
500+	16.78 грн
1000+	15.46 грн
3000+	12.15 грн
6000+	11.87 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2044UCB4-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 4-Pin UWLP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2044UCB4-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V

на замовлення 1137190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.69 грн
10+	34.25 грн
100+	22.23 грн
500+	15.99 грн
1000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046U-13

Diodes Incorporated

MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgs 292pF 3.8nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2046U-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 195000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.03 грн
6000+	3.50 грн
9000+	3.31 грн
15000+	2.90 грн
21000+	2.78 грн
30000+	2.66 грн
75000+	2.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046U-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 20V N-Ch Enh Mode 12Vgs 292pF 3.8nC

на замовлення 473 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	29.07 грн
17+	18.74 грн
100+	10.29 грн
500+	6.90 грн
1000+	6.08 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 292 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 198120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.52 грн
23+	13.24 грн
100+	8.32 грн
500+	5.78 грн
1000+	5.12 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046UVT-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046UVT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 590mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 278pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2046UVT-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K

на замовлення 3162 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	13.85 грн
38+	8.42 грн
100+	5.87 грн
500+	5.73 грн
1000+	5.59 грн
3000+	5.52 грн
6000+	4.97 грн

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L

Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	37.13 грн
50+	26.09 грн
100+	18.44 грн
500+	14.13 грн
1500+	11.53 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L

Diodes Incorporated

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L

Description: DIODES INC. - DMN2050L - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 20 V, 5.9 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.04 грн
500+	12.04 грн
1500+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 1.4W 20V

на замовлення 8517 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.30 грн
12+	27.07 грн
100+	15.05 грн
500+	11.39 грн
1000+	10.22 грн
3000+	8.70 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

644+	9.72 грн
1000+	7.64 грн

Мінімальне замовлення: 644 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V

на замовлення 5704985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.38 грн
13+	23.93 грн
100+	15.32 грн
500+	10.86 грн
1000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7
Код товару: 62955

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1458+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 1458 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1458000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050L-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Part Status: Active

на замовлення 5703000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.89 грн
6000+	7.81 грн
9000+	7.42 грн
15000+	6.56 грн
21000+	6.32 грн
30000+	6.09 грн
75000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	8.66 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 9602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	35.57 грн
26+	29.81 грн
100+	20.57 грн
500+	15.31 грн
1000+	10.18 грн
2500+	9.18 грн

Мінімальне замовлення: 22 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

MOSFETs DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

на замовлення 45640 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.39 грн
12+	28.34 грн
100+	15.81 грн
500+	12.01 грн
1000+	9.53 грн
2500+	9.46 грн
5000+	8.28 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active

на замовлення 12455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.04 грн
12+	26.77 грн
100+	17.21 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.99 грн
2000+	9.93 грн
5000+	8.64 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

MOSFETs DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

на замовлення 7880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.39 грн
12+	28.34 грн
100+	15.88 грн
500+	12.01 грн
1000+	10.84 грн
3000+	9.18 грн
6000+	8.42 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 730mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 389pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

на замовлення 2396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.04 грн
12+	26.77 грн
100+	17.21 грн
500+	12.25 грн
1000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LFDB-7

Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.03 грн
10+	30.81 грн
100+	19.86 грн
500+	14.22 грн
1000+	12.79 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 532 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.78 грн
6000+	10.40 грн
9000+	9.92 грн
15000+	8.80 грн
21000+	8.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LQ-7

N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2050LQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 2551 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.32 грн
10+	32.55 грн
100+	18.29 грн
500+	13.94 грн
1000+	12.50 грн
3000+	9.87 грн
6000+	9.46 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 190000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V

на замовлення 199988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.41 грн
17+	17.87 грн
100+	9.00 грн
500+	7.49 грн
1000+	5.83 грн
2000+	5.22 грн
5000+	5.02 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K

на замовлення 469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.00 грн
15+	21.67 грн
100+	11.94 грн
500+	8.91 грн
1000+	7.39 грн
2500+	6.77 грн
5000+	5.80 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V

на замовлення 190000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	5.00 грн
30000+	4.75 грн
50000+	4.04 грн
100000+	3.73 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Description: DIODES INC. - DMN2053U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	30.77 грн
43+	19.09 грн
100+	12.08 грн
500+	8.38 грн
1000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 27 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 135000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V

на замовлення 72271 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	26.41 грн
17+	17.72 грн
100+	8.94 грн
500+	7.43 грн
1000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V

на замовлення 69000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.73 грн
6000+	5.39 грн
9000+	4.78 грн
30000+	4.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Description: DIODES INC. - DMN2053U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.026 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.08 грн
500+	8.38 грн
1000+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053U-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.4A; Idm: 22A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 91mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-13

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	16.43 грн

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-7

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-7

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-7

Description: DIODES INC. - DMN2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDB-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDBQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	9.17 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDBQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UFDBQ-13

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.82 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 65458 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	20.97 грн
25+	12.27 грн
100+	5.24 грн
500+	4.23 грн
1000+	4.01 грн
2000+	3.70 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K

на замовлення 2187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.43 грн
19+	17.15 грн
100+	9.32 грн
500+	6.97 грн
1000+	5.45 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-13

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	3.88 грн
20000+	2.82 грн
30000+	2.81 грн
50000+	2.54 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K

на замовлення 1744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

17+	19.89 грн
26+	12.54 грн
100+	4.97 грн
1000+	4.49 грн
3000+	3.38 грн
9000+	3.18 грн
45000+	2.76 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-7

Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 225000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3713+	3.82 грн

Мінімальне замовлення: 3713 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 226890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	22.52 грн
24+	12.94 грн
100+	5.53 грн
500+	4.94 грн
1000+	4.34 грн
3000+	4.30 грн
6000+	2.91 грн

Мінімальне замовлення: 14 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UVT-13

Trans MOSFET N-CH 20V 4.6A 6-Pin TSOT-26 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	6.17 грн
20000+	5.47 грн
30000+	5.23 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2053UVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26

на замовлення 366000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.95 грн
6000+	6.41 грн
9000+	5.77 грн
30000+	5.34 грн
75000+	5.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 44 46 [ Наступна Сторінка >> ]