Продукція > FDC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDC500047Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: XO (Standard)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500047Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500047Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500049Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ CMOS SMD
Base Resonator: Crystal
Frequency: 125 MHz
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Type: XO (Standard)
Output: CMOS
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500049Diodes IncorporatedStandard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM5032 T&R 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500049Diodes ZetexFD Series Crystal Clock Oscillator
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5000PZPTTexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC500400Diodes IncorporatedDescription: XTAL OSC XO 125.0000MHZ LVCMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 26mA
Height - Seated (Max): 0.051" (1.30mm)
Frequency: 125 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.36 грн
6000+18.85 грн
9000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
100+24.64 грн
500+17.78 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.60 грн
462+30.63 грн
471+30.06 грн
565+24.14 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.90 грн
11+40.42 грн
12+34.97 грн
50+25.66 грн
100+23.06 грн
500+18.79 грн
1000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612onsemi / FairchildMOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.17 грн
10+35.17 грн
100+20.83 грн
500+17.77 грн
1000+15.89 грн
3000+12.26 грн
6000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.34 грн
21+36.66 грн
100+27.73 грн
500+23.04 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.63 грн
18+44.03 грн
25+43.60 грн
100+29.53 грн
250+26.84 грн
500+21.46 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.78 грн
500+23.10 грн
1500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.36 грн
6000+13.61 грн
9000+13.02 грн
15000+11.59 грн
21000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.02 грн
6000+18.53 грн
9000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612On SemiconductorMOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.32 грн
6000+18.81 грн
9000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.59 грн
50+48.04 грн
100+31.78 грн
500+23.10 грн
1500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612-NLFAIRCHILDSOT-163 05+
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612/562FAIR
на замовлення 6925 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612NLFAIRCHILD
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612_F095onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.73 грн
6000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.93 грн
9+47.80 грн
11+41.60 грн
50+29.77 грн
100+25.83 грн
500+19.21 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+19.31 грн
809+17.50 грн
875+16.17 грн
1000+15.07 грн
3000+13.15 грн
6000+12.27 грн
9000+11.59 грн
24000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiMOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.40 грн
10+44.79 грн
100+25.57 грн
500+20.14 грн
1000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 103313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.13 грн
50+46.41 грн
100+30.24 грн
500+22.12 грн
1500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.00 грн
6000+18.68 грн
9000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.00 грн
6000+18.68 грн
9000+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.26 грн
9000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.44 грн
15+53.06 грн
100+35.26 грн
500+26.25 грн
1000+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.42 грн
40+19.31 грн
100+17.50 грн
500+15.59 грн
1000+13.95 грн
3000+12.62 грн
6000+12.27 грн
9000+11.59 грн
24000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.44 грн
100+27.01 грн
500+19.49 грн
1000+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+25.06 грн
10000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 1412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 103313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.24 грн
500+22.12 грн
1500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.78 грн
424+33.43 грн
535+26.44 грн
1000+23.23 грн
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.45 грн
1000+26.69 грн
3000+25.08 грн
6000+23.09 грн
9000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P .564ON-SemiconductorP-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P TFDC5614P
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-EVEVVODescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
15+20.30 грн
25+18.11 грн
100+14.73 грн
250+13.65 грн
500+13.00 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P-NLFAIRCHILDSOT-163 05+
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC563N
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
20+15.17 грн
25+13.44 грн
100+10.88 грн
250+10.05 грн
500+9.55 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiMOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
23+14.34 грн
100+9.96 грн
500+9.48 грн
1000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NonsemiDescription: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661NON SemiconductorMOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+18.40 грн
9000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.16 грн
445+31.81 грн
450+31.49 грн
538+25.39 грн
1000+19.00 грн
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 15336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.59 грн
100+24.47 грн
500+17.64 грн
1000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.91 грн
6000+18.88 грн
9000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.84 грн
6000+18.81 грн
9000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.65 грн
16+49.60 грн
25+49.16 грн
100+30.68 грн
250+28.12 грн
500+22.56 грн
1000+18.24 грн
3000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.21 грн
6000+13.48 грн
9000+12.89 грн
15000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.21 грн
6000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ONN
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085onsemi / FairchildMOSFETs Trans N-Ch 60V 4.3A
на замовлення 92911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.54 грн
10+38.46 грн
100+22.50 грн
500+17.35 грн
1000+15.61 грн
3000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDC5661N-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.038 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.33 грн
20+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5XPRCA02H132XCONECD-Sub Standard Connectors 50P Solder pin Str 1300pf
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5XPRCA02H132XConecDescription: CONN D-SUB PLUG 50POS VERT SLDR
Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D)
Shell Material, Finish: Steel, Tin Plated
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Connector Style: D-Sub
Termination: Solder
Flange Feature: Board Side (4-40)
Contact Type: Signal
Number of Rows: 3
Number of Positions: 50
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Connector Type: Plug, Male Pins
Features: Filter, Grounding Indents
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZFSCSSOT-6 07+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6000NZ_F077onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Supplier Device Package: SuperSOT™-6 FLMP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CFAIRCHILSOT-163 10+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020CON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C-NLFAIRCHLDSOT163 10+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C/.020FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C_F077ON Semiconductor / FairchildMOSFET Complementary PwrTrh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6020C_F077ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.90 грн
50+43.57 грн
100+28.45 грн
500+21.13 грн
1500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.41 грн
10+40.46 грн
100+26.39 грн
500+19.09 грн
1000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 38449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1331+26.57 грн
10000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 1331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.95 грн
100+24.39 грн
500+18.81 грн
1000+17.00 грн
3000+14.42 грн
6000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.92 грн
278+51.01 грн
500+48.47 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PONSEMIDescription: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.45 грн
500+21.13 грн
1500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602Ponsemi / FairchildMOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.04 грн
10+36.30 грн
100+23.13 грн
500+18.60 грн
1000+16.58 грн
3000+13.86 грн
6000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P_F095ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036PonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P/.036FAIR
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6036P_F077onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 992pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 900mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604PONS/FAIаналог IRLMS4502TR Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]