Продукція > IPA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R125C6E8191XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH TO220-3 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 Код товару: 178080
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R125C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CP | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-31 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CP | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R125CP | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 44613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPA60R125CPXKSA1 - IPA60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 45613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6 | Infineon technologies | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Packaging: Bulk | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.127 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6 | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R160C6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 34W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO220-FP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 249 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-111 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack | на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R160P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3 | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 28A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 28A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R160P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.12 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 172500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1317 pF @ 400 V | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 102378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R165CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R165CP | INFINEON | 09+ MODULE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk Vgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R165CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPA60R165CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPA60R170CFD7 | Infineon Technologies | IPA60R170CFD7 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

