Продукція > IPB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB083N10N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB083N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V Verlustleistung: 179W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 134µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB083N15N5LFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB083N15N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 6900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.1V Verlustleistung: 179W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6900µohm | на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB085N06L G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Part Status: Obsolete Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB085N06LG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB085N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 32A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 73µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 75 V | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB08CN10N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 95A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB08CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB08CNE8N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 85V 95A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6690 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB08CNE8NG | infineon | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB08NE8NEG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | на замовлення 4036 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3 G | INF | TO-263 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB090N06N3G | Infineon | N-MOSFET 60V 50A 71W 9mΩ IPB090N06N3G INFINEON TIPB090n06n3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 126 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB090N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 316000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB090N06N3GATMA1 : IPB090N06N3G IPB090N06N3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB091N06N G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHAN D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 80A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB091N06NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB093N04L G | INF | TO-263 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB093N04LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB093N04LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB095N20NM6ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V | на замовлення 1772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IPB095N20NM6ATMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 116A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 62A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 186µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-U01 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB095N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB096N03L G | INF | TO-263 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB096N03LG | INF | 08+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB096N03LG | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 402 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB096N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3 G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3G | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB097N08N3GATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 15767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 439 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03 | INFINEON | TO-263 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-KANAL POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LA | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LA | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LA G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LAG | infineon | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LAG | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LAGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LAT | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N03LAT | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB09N09LA | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2-04 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | Description: IPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S2L-03 | infineon | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2L-03ATMA2 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | на замовлення 17740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 51328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S303ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 26463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S4-02D | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S402DXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 100A D2PAK-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 115W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 115W Case: D2PAK-3 On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|