Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB052N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GInfineon TechnologiesDescription: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GInfineon technologies
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
10000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.26 грн
1000+100.76 грн
10000+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GInfineon technologies
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.48 грн
94+152.02 грн
133+106.52 грн
500+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.10 грн
10+151.76 грн
100+106.34 грн
500+83.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.45 грн
11+74.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.09 грн
10+123.86 грн
100+85.10 грн
500+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.29 грн
500+114.56 грн
1000+105.65 грн
10000+90.83 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03L G
Код товару: 61412
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.01 грн
2400+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+87.37 грн
500+78.64 грн
1000+72.52 грн
10000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.01 грн
2400+60.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+96.31 грн
50+72.75 грн
100+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.41 грн
50+109.12 грн
100+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.77 грн
109+130.38 грн
138+102.75 грн
161+85.11 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 94A; 107W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 94A
Power dissipation: 107W
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+50.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB056N06NInfineon TechnologiesMOSFET 60V TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06N
Код товару: 176082
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.33 грн
10+115.86 грн
50+88.23 грн
100+74.44 грн
500+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.80 грн
3000+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.20 грн
50+129.59 грн
100+116.50 грн
500+90.20 грн
1000+76.92 грн
3000+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.80 грн
3000+63.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.18 грн
111+128.38 грн
141+100.74 грн
155+88.39 грн
500+66.52 грн
1000+55.58 грн
3000+55.02 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1InfineonIPB057N06NATMA1 IPB057N06N MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+191.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10NGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.22 грн
10+195.08 грн
25+191.93 грн
50+182.15 грн
100+165.85 грн
250+156.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.84 грн
500+73.67 грн
1000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 346 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GINFTO-263
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LE3045AINFINEON03+ TO-263
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N06Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N06LGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 136A; 250W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 136A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.8mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+294.69 грн
4000+270.58 грн
6000+253.08 грн
8000+231.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+531.35 грн
10+362.42 грн
100+288.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.21 грн
10+325.99 грн
50+257.89 грн
100+221.48 грн
500+208.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 136A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+531.35 грн
40+362.42 грн
100+288.67 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.