Продукція > IPD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.97 грн
10+107.32 грн
100+73.36 грн
500+55.18 грн
1000+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
318+111.69 грн
500+100.53 грн
1000+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 318 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.02 грн
10+115.11 грн
100+68.90 грн
500+54.95 грн
1000+50.67 грн
2500+47.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N04S4L02ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S4-03INFINEONTO252 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.76 грн
500+66.26 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET
на замовлення 3735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.13 грн
10+115.91 грн
100+72.49 грн
500+61.72 грн
1000+57.30 грн
2500+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2InfineonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1; IPD100N06S403ATMA2 TIPD100n06s403
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+234.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.63 грн
10+111.13 грн
100+76.34 грн
500+58.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPD100N06S403ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.32 грн
10+113.56 грн
100+83.76 грн
500+66.26 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD100N06S403ATMA2Infineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD105N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 35A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD105N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD105N04LGINFINEON
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD105N04LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD107DKSamtecHeaders & Wire Housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03infineon04+
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LAInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LAinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1358 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 25V 30A DPAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD10N03LAGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.36 грн
10+193.66 грн
25+192.40 грн
100+155.41 грн
250+138.86 грн
500+110.51 грн
1000+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
258+55.09 грн
269+52.88 грн
500+50.97 грн
1000+47.55 грн
2500+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 258 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+146.99 грн
105+136.15 грн
123+115.31 грн
200+105.03 грн
1000+87.67 грн
2000+79.32 грн
5000+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.49 грн
93+152.92 грн
123+115.67 грн
500+92.10 грн
1000+76.98 грн
2500+71.99 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.65 грн
10+137.34 грн
100+82.15 грн
500+66.48 грн
1000+61.72 грн
2500+59.37 грн
5000+57.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.45 грн
500+61.77 грн
1000+55.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 120, Id = 75, Ciss, пФ @ Uds, В = 4310 @ 60, Qg, нКл = 65 @ 10 B, Rds = 11 мОм @ 75 A, 1 B, Ugs(th) = 3 @ 83 мА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-252-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.92 грн
10+151.87 грн
100+114.87 грн
500+91.47 грн
1000+76.45 грн
2500+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.21 грн
5000+82.42 грн
7500+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.26 грн
5000+83.47 грн
7500+82.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+214.36 грн
74+192.40 грн
100+155.41 грн
250+138.86 грн
500+110.51 грн
1000+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 83µA (Typ)
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 2623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.17 грн
10+116.67 грн
100+80.03 грн
500+60.42 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD110N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.88 грн
50+103.09 грн
100+80.14 грн
500+61.47 грн
1000+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD110N12N3GBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD116DKSamtecHeaders & Wire Housings
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0889ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.54 грн
500+65.96 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.78 грн
10+90.27 грн
100+61.03 грн
500+45.54 грн
1000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.25 грн
10+97.65 грн
100+57.30 грн
500+46.46 грн
1000+41.63 грн
2500+38.87 грн
5000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD11DP10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0889ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
10+109.53 грн
100+80.54 грн
500+65.96 грн
1000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD11DP10NMATMA1Infineon TechnologiesP-Channel Power MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.38 грн
95+150.02 грн
117+121.67 грн
200+110.49 грн
500+101.99 грн
1000+81.31 грн
2000+75.84 грн
2500+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 59A DPAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.72 грн
50+88.59 грн
100+66.04 грн
500+49.58 грн
1000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
10+95.35 грн
100+64.63 грн
500+48.28 грн
1000+44.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 2234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.70 грн
5+92.24 грн
6+77.45 грн
10+69.72 грн
20+63.24 грн
50+56.26 грн
100+51.85 грн
500+43.79 грн
1000+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.37 грн
11+70.43 грн
25+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 19004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.50 грн
10+90.50 грн
100+51.50 грн
500+43.15 грн
1000+40.11 грн
2500+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.24 грн
5000+36.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD122N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0122 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.04 грн
500+49.58 грн
1000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GATMA1 транзистор
Код товару: 219511
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD122N10N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD125DKSamtec
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.34 грн
10+96.85 грн
100+66.20 грн
500+54.54 грн
1000+43.01 грн
2500+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06LGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD127N06LGBTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+79.72 грн
Мінімальне замовлення: 279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 67A DPAK-2 OptiMOS 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 524 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.58 грн
500+54.44 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+93.68 грн
100+58.68 грн
500+48.12 грн
1000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ 2
On-state resistance: 12.4mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 67A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO252-3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.67 грн
10+91.41 грн
20+81.43 грн
50+69.80 грн
100+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD12CN10NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 67 A, 9300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.98 грн
11+80.14 грн
100+74.58 грн
500+54.44 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
на замовлення 7137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+88.02 грн
100+62.48 грн
500+48.01 грн
1000+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 67A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGBUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CNE8Ninfineon07+
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CNE8N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CNE8NGinfineon07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12N03LINF07+;
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 20 24 28 32 36 40 42  [ Наступна Сторінка >> ]