Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.90 грн
25+31.03 грн
100+24.70 грн
250+21.38 грн
500+19.40 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.15 грн
5000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+31.03 грн
553+25.62 грн
591+23.95 грн
625+21.83 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 0.5A 300V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350
Код товару: 102244
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350On SemiconductorTO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 17982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.83 грн
25+34.18 грн
50+28.18 грн
100+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Pulsed collector current: 0.75A
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
на замовлення 20553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.80 грн
7500+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GOn SemiconductorTRANS PNP 300V 0.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.39 грн
5000+18.10 грн
7500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.87 грн
8+55.35 грн
10+46.96 грн
50+31.03 грн
100+26.50 грн
500+19.96 грн
1000+18.37 грн
2500+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 218730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
10000+33.10 грн
100000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.61 грн
5000+22.37 грн
7500+21.10 грн
12500+20.14 грн
17500+18.46 грн
25000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.08 грн
100+31.52 грн
500+22.91 грн
1000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STPNP 500mA 300V 15W MJD350 TMJD350
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.67 грн
5000+22.41 грн
7500+21.15 грн
12500+20.18 грн
17500+18.50 грн
25000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4onsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
на замовлення 219548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
633+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 9187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD340T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4$K
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+28.61 грн
503+28.16 грн
511+27.71 грн
519+26.29 грн
528+23.94 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 13210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.25 грн
100+33.69 грн
500+24.55 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD340T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+57.64 грн
500+34.69 грн
1000+34.01 грн
2500+32.15 грн
5000+27.49 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
на замовлення 15024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.67 грн
5000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.06 грн
27+28.16 грн
100+26.72 грн
250+24.35 грн
500+22.99 грн
1000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 37901
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT: 10 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 300 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 300 В
Струм колектора Ic, А: 0,5 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
2+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GNonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 0.5A 300V TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350TF - MJD350TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFONS/FAIPNP, DPAK TO-252 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41COn SemiconductorТранзистори
на замовлення 43 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
20+40.28 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41ConsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 6A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C
Код товару: 139423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD41C-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.21 грн
100+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaTRANS NPN 100V 6A DPAK AEC-Q101 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMicro Commercial ComponentsNPN Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR, DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CGonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.19 грн
5000+18.69 грн
7500+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD41C/SOT428/dich
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 8738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.63 грн
100+33.38 грн
500+23.94 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]