Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
638+22.19 грн
648+21.84 грн
659+21.49 грн
670+20.38 грн
1000+18.56 грн
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD340T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.91 грн
50+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.41 грн
5000+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.40 грн
7500+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4
Код товару: 108310
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsТранзистор NPN, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, hFE = 30...240, Р, Вт = 15, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.71 грн
5000+12.96 грн
7500+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+16.23 грн
68+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.34 грн
1000+27.98 грн
2500+24.35 грн
5000+23.42 грн
7500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.77 грн
500+18.42 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.95 грн
100+25.29 грн
500+18.22 грн
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W NPN
на замовлення 28752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100 мкА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK
Current gain: 30...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD340T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.08 грн
50+39.75 грн
100+25.77 грн
500+18.42 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.90 грн
25+31.03 грн
100+24.70 грн
250+21.38 грн
500+19.40 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.16 грн
5000+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GOn SemiconductorNPN, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD350T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+31.03 грн
553+25.62 грн
591+23.95 грн
625+21.83 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 0.5A 300V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340T4GNonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TFonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340TF_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350FAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350
Код товару: 102244
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350On SemiconductorTO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 9473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+35.02 грн
100+22.73 грн
500+16.36 грн
1000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.58 грн
24+35.11 грн
100+24.06 грн
500+17.59 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A TO-252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.40 грн
5000+12.72 грн
7500+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - MJD350-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.06 грн
500+17.59 грн
1000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT HIGH VOLTAGE PNP SMT
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GOn SemiconductorTRANS PNP 300V 0.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.28 грн
5000+17.11 грн
7500+16.37 грн
12500+14.59 грн
17500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
50+54.54 грн
100+35.85 грн
500+25.74 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4onsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
5000+19.77 грн
7500+19.58 грн
12500+18.68 грн
17500+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.02 грн
5000+19.57 грн
7500+19.37 грн
12500+18.48 грн
17500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STPNP 500mA 300V 15W MJD350 TMJD350
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.44 грн
100+29.80 грн
500+21.65 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 15000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - MJD350T4 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.85 грн
500+25.74 грн
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 218730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+40.25 грн
1000+37.11 грн
10000+33.10 грн
100000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4STMPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD340T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4$K
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.62 грн
23+33.04 грн
25+32.71 грн
100+27.89 грн
250+25.63 грн
500+23.69 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,56, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 30 @ 50 мA, 10 В, Icutoff-max = 100, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.69 грн
5000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.17 грн
500+26.95 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiBipolar Transistors - BJT 0.5A 300V 15W PNP
на замовлення 16218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.04 грн
433+32.71 грн
490+28.92 грн
493+27.68 грн
512+24.68 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
5000+25.02 грн
7500+24.39 грн
12500+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GOn SemiconductorPNP, Uкэ=300V, Iк=0.5A (0.75 имп.), h21=30...240, 15Вт, DPAK TO-252 (SMD) (компл MJD340T4) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 47615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.25 грн
100+33.71 грн
500+24.56 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350T4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MJxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.66 грн
50+53.73 грн
100+36.17 грн
500+26.95 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.31 грн
5000+25.02 грн
7500+24.39 грн
12500+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4G (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 37901
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 10 MHz
Uceo,V: 300 V
Ucbo,V: 300 V
Ic,A: 0,5 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GNonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1.56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350T4GNonsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 05A 300V TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFONS/FAIPNP, DPAK TO-252 (SMD) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 15 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD350TF - MJD350TF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 16064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1358+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 1358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFonsemiDescription: TRANS PNP 300V 0.5A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD350TFFairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 60V 3A 15000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD361T4-ASTMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 60V 3A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41ConsemiBipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 6A 100V TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C
Код товару: 139423
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41COn SemiconductorТранзистори
на замовлення 43 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
8+40.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes ZetexNPN Medium Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
11+80.47 грн
100+51.78 грн
500+44.68 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaTRANS NPN 100V 6A DPAK AEC-Q101 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+36.08 грн
100+23.32 грн
500+16.74 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]