Продукція > R60

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
R6027YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.18 грн
10+314.29 грн
100+227.61 грн
500+178.94 грн
1000+175.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+311.98 грн
48+298.57 грн
50+287.20 грн
100+267.54 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6027YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.135 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.21 грн
10+230.04 грн
100+171.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 27A, TO-247G, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.50 грн
30+259.82 грн
120+217.40 грн
510+174.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+687.14 грн
23+617.60 грн
50+583.42 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6027YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.26 грн
10+245.48 грн
100+215.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 27A, TO-247G, Power MOSFET: R6027YNZ4 is a power MOSFET with Low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247G
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.21 грн
45+318.89 грн
50+306.74 грн
100+285.75 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R602A-US915NetvoxDescription: R602A LORAWAN SIREN SENSOR
Packaging: Bulk
Function: Sensor
Frequency: 915MHz
Modulation or Protocol: LoRaWAN
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10726.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R603-000-001HammondR603-000-001
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+229.79 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LOGGER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12462.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030PHILIPS04+
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030-NISTREED InstrumentsDescription: TEMP./HUMIDITY DATA LOGGER W/CER
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Hardware, Lock, Mounting Bracket, USB Cable
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34017.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 200V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 400V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 600V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 600V 350A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 220A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 220A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 250A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Current - Average Rectified (Io): 250A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 800V 350A DO205AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Current - Average Rectified (Io): 350A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+390.82 грн
38+374.03 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
50+216.29 грн
100+211.42 грн
500+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+188.58 грн
76+187.40 грн
100+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.20 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6030ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.07 грн
10+295.88 грн
100+246.29 грн
500+224.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9
Код товару: 169489
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A Power MOSFET. R6030ENZ4 is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1038.37 грн
15+982.97 грн
50+650.60 грн
100+579.63 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+725.37 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+327.66 грн
48+294.66 грн
63+226.30 грн
200+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.50 грн
30+236.25 грн
120+119.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.91 грн
40+361.84 грн
50+300.55 грн
200+276.18 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+346.52 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+143.11 грн
50+124.21 грн
100+111.07 грн
250+105.27 грн
500+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+228.65 грн
69+206.26 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 95W Pd PrestoMOS; 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
120+519.89 грн
270+470.27 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 90A; 370W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 74nC
On-state resistance: 143mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 370W
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+592.47 грн
5+482.22 грн
10+448.68 грн
30+410.94 грн
60+382.42 грн
120+353.07 грн
150+345.52 грн
300+327.07 грн
510+317.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 93W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247G
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+741.49 грн
30+425.65 грн
120+362.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+684.72 грн
30+632.17 грн
60+569.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.30 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+654.32 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 30A POWER
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+695.24 грн
10+461.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.55 грн
10+230.51 грн
100+163.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNX
Код товару: 203153
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXROHMDescription: ROHM - R6030KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.36 грн
10+223.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.99 грн
10+248.10 грн
100+177.16 грн
500+137.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.29 грн
30+25.48 грн
50+24.18 грн
100+22.02 грн
250+20.79 грн
500+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7RohmN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 @ 25, Qg, нКл = 56 @ 10 В, Rds = 130 мОм @ 14,5 A, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 1000 мкА, Р, Вт = 86, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FM Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
547+25.88 грн
556+25.48 грн
565+25.07 грн
574+23.79 грн
583+21.66 грн
593+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 547 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+219.13 грн
68+210.79 грн
100+203.63 грн
250+190.40 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6030KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.115
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
50+128.68 грн
100+116.59 грн
500+89.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+201.54 грн
78+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+721.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+812.07 грн
30+479.70 грн
50+478.52 грн
100+390.97 грн
200+346.22 грн
500+311.16 грн
600+310.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.27 грн
30+368.99 грн
120+311.47 грн
510+260.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6030KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.115 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.76 грн
5+487.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+770.82 грн
23+625.85 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.08 грн
30+362.80 грн
120+306.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+570.05 грн
26+545.55 грн
50+524.77 грн
100+488.85 грн
250+438.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17ROHMDescription: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+732.37 грн
5+597.44 грн
10+516.16 грн
50+352.48 грн
100+298.89 грн
250+275.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+575.68 грн
31+463.96 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]