Продукція > SI7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7170VISHAY08+
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-E3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7170DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A 48W 3.4mohm @ 10V
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172-A20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.20 грн
6000+29.79 грн
9000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 13823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7172ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17.2 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 10310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 5.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.42 грн
10+94.91 грн
25+93.22 грн
100+70.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 100 V
на замовлення 14212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
10+74.99 грн
100+50.31 грн
500+37.27 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.73 грн
10+155.14 грн
100+123.49 грн
500+98.07 грн
1000+83.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7172DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7174DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 60 A, 7000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+133.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7174DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+121.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
на замовлення 6127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.22 грн
10+171.03 грн
100+119.64 грн
500+91.67 грн
1000+85.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3Vishay BC ComponentsN-канальный ПТ (Vds=100V, Id=60A@T=25C, P=104W).... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7178DP-T1-GE3
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.71 грн
10+86.19 грн
100+73.02 грн
500+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 15355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7190ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14.4 A, 0.102 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm
на замовлення 5795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 18.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 6123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
10+112.08 грн
100+89.24 грн
500+70.86 грн
1000+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2214 pF @ 125 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7190DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DPVISHAY2008
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.57 грн
10+237.33 грн
25+235.06 грн
100+181.30 грн
250+161.47 грн
500+140.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7192DP-T1-GE3
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 60A 83W 2.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196VISHAY07+
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7196DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1577 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 41.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7200ESANKEN
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7200GC
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7200J
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7200M
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Strip
Test Condition: 0°C ~ 70°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.47 грн
42+18.17 грн
50+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FV - Hall-Effekt-Schalter, Allpoliger Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Allpoliger Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Push-Pull
Produktpalette: Si720x Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: To Be Advised
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FV - Hall-Effekt-Schalter, Allpoliger Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Allpoliger Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
SVHC: To Be Advised
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Push-Pull
Produktpalette: Si720x Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-00-FVR - HALL EFFECT MAGNETIC SENSOR
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.11 грн
15+52.73 грн
25+48.04 грн
50+44.12 грн
100+41.15 грн
500+38.76 грн
1000+37.35 грн
3000+35.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
6+54.62 грн
10+51.86 грн
25+45.60 грн
50+43.49 грн
100+41.56 грн
500+37.06 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSilicon LaboratoriesMagnetic Switch/Latch
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-00-FVRSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Test Condition: 0°C ~ 70°C
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Omnipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Push-Pull
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Tamper Detection
Packaging: Strip
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.52 грн
10+62.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-01-FV - Hall-Effekt-Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSilicon LaboratoriesHall Effect Sensor Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 Tape
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI7201-B-01-FV - Hall-Effekt-Schalter, 0.0011 T, 0.0002 T, 1.7 V, 3.6 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0002T
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SOT-23
Bauform - Sensor: SOT-23
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.0011T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVSilicon LaboratoriesHall Effect Sensor Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 Tape
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVRSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
на замовлення 10396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVRSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Features: Tamper Detection
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±1.1mT Trip, ±0.2mT Release
Current - Supply (Max): 400nA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Test Condition: 0°C ~ 70°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-01-FVRSilicon LaboratoriesHall Effect Sensor Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-02-FVSilicon LabsDescription: MAGNETIC SWITCH OMNIPOL SOT23-3
Features: Tamper Detection, Temperature Compensation, Digital Filter
Packaging: Strip
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 3.6V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±0.9mT Trip, ±0.2mT Release
Current - Supply (Max): 1.1 µA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Test Condition: 0°C ~ 70°C
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.56 грн
5+74.77 грн
10+71.11 грн
25+62.58 грн
50+59.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-02-FVSilicon LaboratoriesHall Effect Sensor Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 Tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-02-FVSilicon LabsBoard Mount Hall Effect/Magnetic Sensors Hall effect magnetic sensor with omnipolar switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7201-B-02-FVRSilicon LaboratoriesHall Effect Sensor Omnipolar 1.8V/2.5V/3.3V/5V 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.07 грн
12+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]