Продукція > SIC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SICW025N120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW028N120A4-BPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1749.47 грн
10+1207.50 грн
25+1083.36 грн
100+947.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW028N120A4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICW030N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW030N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW030N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4909 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW030N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW040N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW040N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+873.17 грн
10+584.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW040N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 229 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3619 pF @ 800 V
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.44 грн
10+589.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW040N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-C30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-C30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-M30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-M30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-VM30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW04B08-VM30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW050N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N065H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SIC MOSFETS,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N065H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFETS,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +18V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SICFET N-CH 1200V 44.5A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW060N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SICFET N-CH 1200V 44.5A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW06A10-C30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW06A10-C30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW06A10-M30Panduit CorpDescription: SNAP-IN-CLIP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW06A10-M30PanduitCable Mounting & Accessories Snap-In-Clip
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2644 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120Y-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120Y-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1200V 38A TO247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120Y4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1097.34 грн
10+751.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW080N120Y4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW1000N170A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.32Ohm @ 1.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 1000 V
на замовлення 1805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+676.43 грн
10+448.27 грн
360+299.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW1000N170A-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW100N065H-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW100N065H-BPMicro Commercial CoDescription: SIC MOSFET,TO-247AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW100N065H4-BPMicro Commercial CoDescription: SIC MOSFET,TO-247-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW100N065H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SICW10120DG4J-BPMicro Commercial Components (MCC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW10120DG4J-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC SCHOTTKY DIODE,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 17A
Supplier Device Package: TO-247AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW120N120H-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW120N120H4-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC MOSFET,TO-247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW120N120H4-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs SiC MOSFET,TO-247-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C065Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C065DIOTECDescription: DIOTEC - SICW20C065 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.91 грн
10+204.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C120Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 20A
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C120DIOTECDescription: DIOTEC - SICW20C120 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 41 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 41nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.03 грн
5+766.51 грн
10+734.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C120Diotec SemiconductorDescription: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.01 грн
10+846.34 грн
100+731.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW20C120DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 80A
Leakage current: 40µA
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+700.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW280N120A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1200V 10A TO247AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Vgs (Max): +22V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW280N120A-BPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICW400N170A-BPMicro Commercial Components (MCC)SiC MOSFETs
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICW400N170A-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 1700V 6A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 16V, 20V
Vgs (Max): +25V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 1000 V
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.75 грн
10+493.40 грн
100+382.04 грн
500+319.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW40C120DIOTECDescription: DIOTEC - SICW40C120 - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 40 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1805.33 грн
5+1616.75 грн
10+1406.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SICW40C120Diotec SemiconductorSiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode, TO-247-3L, 1200V, 40A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SICWT5065G5M-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: SIC SCHOTTKY DIODE,TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2530pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 93A
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SICWT5065G5M-BPMicro Commercial Components (MCC)Schottky Diodes & Rectifiers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11