Продукція > 2sc

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC5490A-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 30MA 10V FT=8G
на замовлення 4217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5490A-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5490A-TL-H - RF BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5490A-TL-HON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.03A 100mW 3-Pin SSFP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC55NECCAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC550TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501-4-TR-EonsemiDescription: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT MEDIUM OUTPUT AMPLIFIER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4-MCP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1652+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 1652 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-EON SemiconductorTrans RF BJT NPN 10V 0.07A Automotive 4-Pin Case MCP T/R
на замовлення 78377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2488+14.19 грн
10000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 2488 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5501A-4-TR-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 10V 7GHZ 4-MCP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 7GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Power - Max: 500mW
Gain: 13dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 4-MCP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-ARenesasNPN Silicon RF Transistor
на замовлення 36533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2130+16.57 грн
10000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 2130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5507-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ M04
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Gain: 17dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Supplier Device Package: M04
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Power - Max: 39mW
на замовлення 36633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1107+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 1107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508NSC
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ
Part Status: Obsolete
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 25GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 19dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-ARenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-ACELRF Bipolar Transistors NPN Silicon 25GHz NF 1.1dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2NECSOT343
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-A
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-ACELRF Bipolar Transistors NPN High Frequency
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 115mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2BNEC/RENESAS10+ SOT-343
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-ARenesas Electronics CorporationDescription: NPN RF TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1904116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-T2B-ARenesasTrans RF BJT NPN 3.3V 0.035A 115mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
на замовлення 1844116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
10000+36.79 грн
100000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5508-TL-ARENESASSOT343
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ
Part Status: Obsolete
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 15GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 190mW
Gain: 14dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-343F
Packaging: Strip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-ACELDescription: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT-343
Supplier Device Package: SOT-343
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 15GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 190mW
Gain: 14dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-ARenesas2SC5509-T2-A
на замовлення 85500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
10000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-ARenesas Electronics CorporationDescription: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT-343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
на замовлення 142500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
568+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 568 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5509-T2-ARenesas2SC5509-T2-A
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
10000+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC551
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5511ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5517ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC552TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5521
Код товару: 81855
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1700 В
Струм колектора Ic, А: 16 А
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+101.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC553TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HON SemiconductorRF Transistor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3-SSFP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
на замовлення 160933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1512+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 1512 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HON SemiconductorRF Transistor
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2385+14.80 грн
10000+13.20 грн
100000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 2385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HonsemiDescription: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-SSFP
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Frequency - Transition: 1.7GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Power - Max: 100mW
Gain: 16dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-81
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5536A-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 50MA 12V FT=1.7G
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-HON Semiconductor2SC5537A-TL-H
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5455+6.47 грн
10000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 5455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-HONSEMI (VIA ROCHESTER)Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5537A-TL-HonsemiDescription: BIP NPN 15MA 6V FT=5G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3620+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 3620 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC554TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5544YZ-TRRENESAS03+
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5545ZS-01TL-ERENESASSOT143-ZS PB-FRE
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 49417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1281+27.56 грн
10000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT NPN 370V 2A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1281+27.56 грн
10000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548A
Код товару: 62763
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5548A(TE16L1,NQToshibaTrans GP BJT NPN 400V 2A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
234+60.40 грн
480+29.45 грн
523+27.00 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 234 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5549,T6F(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5549,T6F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 400V 1A TO-92MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92MOD
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 900 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC555TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551
Код товару: 94080
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-EON SemiconductorTrans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3.5GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AE-TD-E
Код товару: 129114
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AF-TD-EonsemiRF Bipolar Transistors RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AF-TD-EON SemiconductorTrans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551AF-TD-EonsemiDescription: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3.5GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5551F-TD-EonsemiDescription: BIP NPN 300MA 30V FT=3.5G
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC555600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: RF TRANS NPN 10V 6GHZ MINI3-G1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 6GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 20mA, 8V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.7dB @ 800MHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Power - Max: 300mW
Gain: 11.5dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC556TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5562(TP,Q)ToshibaTrans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5565-TDSANYOSOT-89
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5565-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) PCP T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5565-TD-EonsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5565-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) PCP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1955+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 1955 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566onsemi BIP NPN 4A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+50.36 грн
285+49.57 грн
290+48.68 грн
402+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 115629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 4A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-E
Код товару: 161288
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.28 грн
25+49.49 грн
50+48.59 грн
100+33.84 грн
250+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 50, Ic = 4 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 400, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,225 @ 100 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 (PCP) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 464000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1367+25.82 грн
10000+23.01 грн
100000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 1367 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 4A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.17 грн
10+42.63 грн
100+27.77 грн
500+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 4A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
на замовлення 762 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.59 грн
11+39.50 грн
50+30.46 грн
100+26.94 грн
500+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 50V
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5566/FCSANYO09+
на замовлення 206768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569onsemi BIP NPN 7A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569UTCТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TDSANYO03+ SOT-89
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+37.07 грн
1032+34.19 грн
10000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 952 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 7A SOT-89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.80 грн
2000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 7A; 1.3W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89
Current gain: 560...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.78 грн
11+40.17 грн
50+33.39 грн
100+30.96 грн
200+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5569-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 117 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]