Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.94 грн
50+160.18 грн
100+146.16 грн
500+128.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.22 грн
10+159.15 грн
50+157.54 грн
100+144.66 грн
500+128.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 36 nC, TO-220ACFP
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220ACFP
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 3461 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+271.69 грн
10+155.28 грн
100+133.07 грн
5000+103.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+294.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 915 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+252.67 грн
10+192.04 грн
100+124.59 грн
500+105.68 грн
1000+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.93 грн
10+191.01 грн
100+135.35 грн
500+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+299.09 грн
10+195.79 грн
100+120.68 грн
500+111.55 грн
1000+103.07 грн
2000+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.55 грн
10+213.57 грн
25+211.47 грн
50+201.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 314 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+337.90 грн
10+220.55 грн
100+136.99 грн
500+129.16 грн
1000+112.20 грн
2000+109.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.76 грн
10+209.47 грн
100+149.15 грн
500+132.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, TO-220 D2PAK SiC Power Schottky Diode
на замовлення 850 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+280.82 грн
10+201.80 грн
100+130.46 грн
500+121.33 грн
1000+109.59 грн
2000+95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.54 грн
10+223.54 грн
100+167.50 грн
500+130.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+290.56 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 12A 600V 12nC Schottky Carbide
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+290.25 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1206DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 12A TO-220-2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V, 12 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+277.78 грн
10+230.30 грн
100+161.78 грн
250+148.73 грн
500+143.51 грн
1000+122.64 грн
2000+115.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+175.71 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12C065DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 12A Automotive AEC-Q101 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 37 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 37nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+273.21 грн
10+176.29 грн
100+118.72 грн
500+99.80 грн
1000+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC12H065CT - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 12A, 18nC, TO-220AB
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AB
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 68 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+384.33 грн
10+248.31 грн
100+161.12 грн
500+140.25 грн
1000+118.07 грн
2000+116.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 12 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 887 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+212.33 грн
25+132.03 грн
1000+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.09 грн
50+140.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC12H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.03 грн
10+244.91 грн
100+198.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 757 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+363.78 грн
10+267.06 грн
100+219.18 грн
250+214.61 грн
500+211.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.29 грн
50+267.74 грн
100+245.92 грн
500+197.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 15 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 840 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+554.80 грн
10+307.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 1943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.15 грн
10+390.81 грн
100+288.42 грн
500+240.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+508.37 грн
10+363.83 грн
100+240.71 грн
250+240.05 грн
500+235.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 15A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+266.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 756 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+547.19 грн
10+371.33 грн
100+253.75 грн
500+253.10 грн
1000+215.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.99 грн
10+463.46 грн
100+386.24 грн
500+319.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.41 грн
30+268.88 грн
120+249.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+687.63 грн
25+658.09 грн
50+633.01 грн
100+589.69 грн
250+529.46 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, DO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 596 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+360.73 грн
10+267.06 грн
100+231.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 239 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+450.54 грн
10+291.07 грн
100+186.56 грн
600+158.51 грн
1200+142.86 грн
3000+138.94 грн
5400+133.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+433.79 грн
10+384.84 грн
100+274.63 грн
500+233.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+457.39 грн
10+240.05 грн
100+191.13 грн
500+174.17 грн
1000+168.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.28 грн
10+310.71 грн
50+245.93 грн
100+211.26 грн
500+177.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.14 грн
10+371.29 грн
50+367.58 грн
100+321.98 грн
500+281.91 грн
1000+240.14 грн
2000+230.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+466.14 грн
39+371.29 грн
50+367.58 грн
100+321.98 грн
500+281.91 грн
1000+240.14 грн
2000+230.68 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 737 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+439.12 грн
10+251.31 грн
100+200.26 грн
500+184.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; Ir: 2mA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 1.65V
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Kind of package: tube
Leakage current: 2mA
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.83 грн
5+346.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+565.45 грн
10+333.82 грн
100+240.05 грн
500+222.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.11 грн
10+343.54 грн
100+252.06 грн
500+203.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.91 грн
10+313.84 грн
50+248.78 грн
100+213.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+421.62 грн
10+285.81 грн
100+188.52 грн
1000+166.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.31 грн
30+249.72 грн
60+227.12 грн
120+195.30 грн
510+166.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 972 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+441.40 грн
10+247.56 грн
100+179.39 грн
600+159.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 777 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+503.05 грн
10+285.06 грн
100+203.52 грн
600+190.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.40 грн
30+282.37 грн
120+247.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.