Продукція > STP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.51 грн
30+281.30 грн
60+256.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 20A Schottky silicon carbid TO247
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+425.73 грн
5+370.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 20A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247; Ir: 425uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 470A
Leakage current: 425µA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.95 грн
30+332.65 грн
60+303.96 грн
120+262.60 грн
510+226.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H065CWY - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 20A, 28.5nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.26 грн
30+436.50 грн
60+400.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+729.12 грн
100+692.66 грн
500+656.21 грн
1000+597.62 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+729.12 грн
100+692.66 грн
500+656.21 грн
1000+597.62 грн
10000+520.80 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 420A
Leakage current: 0.4mA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.06 грн
30+501.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky Si 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+587.04 грн
50+309.62 грн
100+285.01 грн
500+234.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+561.94 грн
10+547.45 грн
100+519.70 грн
500+487.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 129 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.08 грн
10+433.65 грн
100+322.22 грн
500+270.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+299.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+712.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+712.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.22 грн
10+634.55 грн
100+528.82 грн
500+437.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 20A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+436.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+739.74 грн
10+489.65 грн
100+369.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TR
Код товару: 186140
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+633.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+341.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+633.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.91 грн
10+482.03 грн
100+382.79 грн
500+308.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.72 грн
30+542.57 грн
120+485.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+95.00 грн
100+73.88 грн
500+58.77 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Technology: SiC
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Leakage current: 80µA
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 5A
Max. forward impulse current: 15A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
на замовлення 13838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.49 грн
10+127.76 грн
100+88.35 грн
500+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 2 A High surge Silicon Carbide Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.67 грн
10+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
50+72.68 грн
100+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 5A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+90.67 грн
162+87.12 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC2H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 2 A, 15.6 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 15.6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.26 грн
10+507.40 грн
50+409.56 грн
100+363.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065L2YSTMicroelectronicsDescription: 650V 30A HIGH SURGE SILICON CARB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1890pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 30A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC30G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC30G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 63 A, 86 nC, DO-247LL
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 86nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 63A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119  [ Наступна Сторінка >> ]