Продукція > StP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC2006CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes SiC Ultra Perf Diode 600V 12nC Schottky
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+639.62 грн
10+380.98 грн
100+297.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 575 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+413.87 грн
10+229.26 грн
100+164.91 грн
600+139.99 грн
1200+126.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+475.44 грн
10+266.35 грн
100+192.76 грн
600+167.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+413.65 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 278 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+906.41 грн
10+727.41 грн
100+527.72 грн
600+469.82 грн
1200+399.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+909.08 грн
10+609.51 грн
50+496.10 грн
100+457.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 56 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+846.55 грн
10+715.61 грн
100+518.92 грн
250+496.94 грн
600+457.36 грн
1200+411.18 грн
3000+392.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+714.28 грн
30+380.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G12WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 103 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 103nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.57 грн
30+378.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 561 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+917.52 грн
10+582.43 грн
100+441.97 грн
600+406.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.23...1.32mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 679 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+602.85 грн
10+397.84 грн
100+277.79 грн
500+247.00 грн
1000+199.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 915 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+585.74 грн
10+305.97 грн
100+233.08 грн
1000+197.16 грн
2000+192.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.83 грн
30+274.86 грн
60+250.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 20A Schottky silicon carbid TO247
на замовлення 793 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+542.13 грн
10+279.00 грн
100+222.81 грн
1200+202.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 36A
Max. forward impulse current: 470A
Kind of package: tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+415.97 грн
5+362.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 20A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H065CWY - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 20A, 28.5nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247; Ir: 425uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.5V
Max. load current: 22A
Max. forward impulse current: 470A
Leakage current: 425µA
Kind of package: tube
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+639.62 грн
10+443.36 грн
100+312.23 грн
600+277.05 грн
1200+245.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Max. forward impulse current: 420A
Leakage current: 0.4mA
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+737.26 грн
100+700.39 грн
500+663.53 грн
1000+604.29 грн
10000+526.61 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.74 грн
30+426.49 грн
60+391.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 917 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+541.28 грн
10+389.41 грн
600+337.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+395.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+737.26 грн
100+700.39 грн
500+663.53 грн
1000+604.29 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky Si 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.83 грн
30+489.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+692.63 грн
10+573.16 грн
100+497.67 грн
250+493.27 грн
3000+389.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.59 грн
50+302.52 грн
100+278.48 грн
500+228.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+718.28 грн
10+401.21 грн
100+324.69 грн
500+313.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.21 грн
10+553.56 грн
100+525.50 грн
500+493.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 985 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+776.43 грн
10+461.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 129 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.07 грн
10+423.71 грн
100+314.83 грн
500+264.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+720.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+292.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+717.43 грн
10+488.87 грн
100+345.95 грн
500+344.48 грн
1000+294.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+720.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+750.61 грн
10+620.01 грн
100+516.70 грн
500+427.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 20A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 673 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+753.34 грн
10+559.68 грн
100+367.94 грн
1000+367.20 грн
2000+348.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+426.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.32 грн
10+468.37 грн
50+377.47 грн
100+332.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A D2PAK HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+781.56 грн
10+532.70 грн
100+350.35 грн
1000+326.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G2Y-TR
Код товару: 186140
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+333.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+640.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 352 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+792.68 грн
10+543.66 грн
100+395.06 грн
500+394.32 грн
1000+335.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.32 грн
10+470.98 грн
100+374.01 грн
500+301.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+640.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12GY-TRSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 394 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+760.18 грн
10+642.28 грн
100+465.42 грн
250+446.36 грн
600+410.45 грн
1200+369.40 грн
3000+352.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.54 грн
30+530.13 грн
120+474.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.50 грн
10+92.83 грн
100+72.18 грн
500+57.42 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 2 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 6993 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+117.15 грн
10+89.35 грн
100+54.46 грн
500+44.34 грн
1000+41.04 грн
2500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.