Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC807-40LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC807-40LT1 - TRANS PNP 45V 0.5A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT1 | infinen | SOT23 | на замовлення 721060 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1/5C | ON | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC807-40LT1G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=45V, Iк=0.5A, h21=250...600,100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP | на замовлення 171858 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | BC807-40LT1G Транзисторы | на замовлення 5120 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 45, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ 100 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,7 @ 50 мА, 500 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G Код товару: 63290
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 135000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 31592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 6602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 50V PNP | на замовлення 28275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC807-40LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 31592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807L Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40LVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807L Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40LWF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807LW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWF | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 200mW 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWF | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40LWF - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807LW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 182 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT323 45V .5A PNP GP TRANS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LWX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors | на замовлення 2807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LWX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LWX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 107700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LWX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40LZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 29765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40LZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 45V .5A PNP GP TRANS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q | Yangjie Technology | Description: SOT-23 PNP 0.3W -0.5A -50V Trans Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40Q | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q | Yangjie Electronic Technology | PNP General Purpose Amplifier | на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40Q-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 170...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 1A Quantity in set/package: 10000pcs. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q-13-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 170...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 1A Quantity in set/package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 45V PNP SS Trans Vcbo -50V 350mW | на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC807-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC807-40Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 170hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 310 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QA,147 | NXP | Description: NXP - BC807-40QA,147 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2485 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QA,147 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC807-40 - SMALL SI Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 900 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QA147 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BC807-40 - SMALL SI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 500 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | NXP | TRANS PNP 45V 0.5A, DFN1010D-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 500 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; DFN1010D-3,SOT1215 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.5A Case: DFN1010D-3; SOT1215 Current gain: 250...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 900mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1215 45V .5A PNP GP TRANS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QB-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 460mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 24134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 550mW Verlustleistung: 550mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 550mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 420 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QBH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 550 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 550mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC807QBH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBH-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 17972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Nexperia | BC807-40QBZ | на замовлення 34690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8015 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 460mW Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 45V 0.5A DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1110D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QBZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 460 mW, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 460mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QB Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 480mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 380 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1412D-3 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QC-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 480 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 480mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC807QC-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Power - Max: 380 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: DFN1412D-3 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BC807-40QCH-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.5A DFN1412D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 455 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QCH-QZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 575mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QCH-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC807-40QCH-QZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 575 mW, DFN1412D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 575mW euEccn: NLR Verlustleistung: 575mW Bauform - Transistor: DFN1412D Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BC807QCH-Q Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BC807-40QCH-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT8009 45V .5A PNP GP TRANS | на замовлення 9722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

