Продукція > DMG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMG8601UFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG8601UFG-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
на замовлення 62902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+30.19 грн
100+20.59 грн
500+15.22 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs LDO POSITIVE REG 2.7V/1A
на замовлення 2887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 920mW
Gate charge: 8.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: U-DFN3030-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8822UTS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8822UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+34.72 грн
100+22.42 грн
500+16.06 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8822UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 0.87W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8822UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8880LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8880LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1289 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8880LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1289 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8N65SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8N65SCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9000LOVATO ELECTRICCategory: Power Network Meters and Analyzers
Description: Meter: network parameters; on panel; digital,mounting; Iin: 1A,5A
Type of meter: network parameters
Mounting: on panel
Kind of meter: digital; mounting
Kind of display used: colour; LCD
Measurement: active electric energy; AC voltage; DC voltage; frequency; harmonic content factor; harmonics; reactive electric energy
Manufacturer series: Easy Branch
Kind of network: three-phase
AC voltage measuring range: 40...830V
AC current measuring range: 4mA...6A
Input current: 1A; 5A
Frequency measuring range: 45...66Hz
True effective value measurement: True RMS
Interface: Ethernet; RS485
Related items: EXS0000
IP rating: IP65
Supply voltage: 100...240V AC; 110...250V DC
Dimensions (W x H x D): 122x100x77.5mm
Mounting hole dimensions: 92x92mm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+132386.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMG904010RPanasonic IndustryDescription: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG904010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963030RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963030RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963H10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963H10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963H10RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963H50RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963H50RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HC0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HC0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 510Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 5.1kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HD0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HD0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HD0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HE0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG963HE0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini5-F4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964010RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964020RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964030RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964030RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964030RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640M0RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640M0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640N0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640N0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640N0RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640T0RPanasonic IndustryDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9640T0RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H10RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H10RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H30RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H30RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 1kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H30RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H50RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H50RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG964H50RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SSMINI6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SSMini6-F3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDMDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.29 грн
9000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7
Код товару: 184263
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
421+33.67 грн
470+30.12 грн
475+29.81 грн
Мінімальне замовлення: 421 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET SOT-26 20V, 3.2/4.2A
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 856pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 38416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.64 грн
25+32.24 грн
50+26.56 грн
100+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7
Код товару: 184264
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Аналогові
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.12 грн
18+42.31 грн
25+33.67 грн
100+29.04 грн
250+26.62 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG9926UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.2 A, 4.2 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.48 грн
7500+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 56355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.08 грн
25+30.07 грн
50+24.74 грн
100+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9926USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG9926USD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.44 грн
25+27.81 грн
50+22.87 грн
100+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608.4pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.29 грн
7500+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Dual MOSFE 20V VDSS 12V VGSS
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 4.6A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9933USD-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.15W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
14+31.70 грн
100+18.62 грн
500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9N65CTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG9N65CTDiodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.