Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.48 грн
11+71.10 грн
25+69.71 грн
100+49.72 грн
250+44.63 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 18982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+57.39 грн
100+36.58 грн
500+28.83 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemi / FairchildMOSFETs 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 69mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 42W
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.06 грн
9+48.81 грн
10+41.93 грн
50+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 69mOhm; 24A; 42W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4243-F085; FDD4243-F085P; FDD4243_F085; Similar to: PTD40P20; FDD4243 ON Semiconductor TFDD4243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 6887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.61 грн
100+34.62 грн
500+25.25 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.92 грн
5000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 6.7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 14A TO252
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-GonsemiDescription: FDD4243-G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-TF085onsemi / FairchildMOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45N06LFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.04 грн
50+57.39 грн
100+37.88 грн
500+27.40 грн
1000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 8342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.00 грн
100+34.33 грн
500+25.10 грн
1000+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+56.84 грн
100+37.69 грн
500+27.66 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.23 грн
15+50.65 грн
25+49.31 грн
100+39.08 грн
250+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.50 грн
5000+20.03 грн
7500+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.65 грн
287+49.31 грн
349+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.67 грн
500+30.95 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685UMWDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.13 грн
10+77.10 грн
25+76.36 грн
50+72.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 8.4A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, P-channel Power Trench
на замовлення 8887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 32A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+49.06 грн
1000+45.24 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685TF_SB82135onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685_F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZONS/FAIMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZON Semiconductor
на замовлення 8284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZonsemi / FairchildMOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-187(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .020 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-187(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-250KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD5-250 - Steckhülse, FDD5, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterquerschnitt CSA: 6mm²
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
Produktpalette: FDD5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1216.02 грн
5+1057.51 грн
10+1017.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5.5-250CONNECTARyellow, female 6.3x0.8mm, insulated, for cable: 4~6mm2 contact material: brass; insulator materia: PVC eqiv. BM00391, FVDDF5.5-250A, ST-005/Y FDD2-250 CONNECTAR Push-on terminal ZS FDD5.5-250
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5202PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.39 грн
10+82.35 грн
25+81.53 грн
100+60.03 грн
250+55.02 грн
500+50.74 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
на замовлення 4381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.00 грн
10+97.54 грн
100+65.84 грн
500+48.76 грн
1000+43.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 69W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 20.3mΩ
Power dissipation: 69W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.02 грн
5+109.86 грн
10+96.44 грн
25+81.35 грн
50+71.29 грн
100+62.90 грн
500+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.35 грн
174+81.53 грн
228+62.25 грн
250+59.43 грн
500+52.85 грн
1000+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.84 грн
100+60.26 грн
500+45.07 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.58 грн
500+51.78 грн
1000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353ONS/FAIMOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5353onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3215 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.38 грн
5000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5514PFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 11331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
11+74.13 грн
100+53.49 грн
500+40.98 грн
1000+32.89 грн
5000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5612ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.82 грн
11+69.01 грн
25+68.32 грн
100+50.46 грн
250+44.70 грн
500+38.61 грн
1000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614FAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P
Код товару: 29177
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Id, A: 15 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 759/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+19.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 202627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1102+32.10 грн
10000+28.62 грн
100000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 1102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PONS/FAITO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PonsemiMOSFETs 60V P-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.71 грн
500+31.17 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614PONSEMIDescription: ONSEMI - FDD5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.98 грн
15+55.84 грн
100+44.71 грн
500+31.17 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P-NLFAIRCHILDTO-252 0712+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P_NLonsemi / FairchildMOSFET DPAK, SINGLE, PCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P_Tonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670
Код товару: 98991
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-252/D-Pak
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 52 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 15 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2739/52
Монтаж: SMD
у наявності: 18 шт
  • 4 шт - склад
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+52.00 грн
10+48.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 52A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 52A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2739 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670_NLonsemi / FairchildMOSFET TO-252, DPAK, NCH, 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5670_Tonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1835 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.90 грн
10+80.01 грн
100+53.91 грн
500+40.10 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680onsemi / FairchildMOSFETs N-Ch PowerTrench
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680UMWDescription: MOSFET N-CH 60V 8.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.83 грн
100+21.26 грн
500+15.25 грн
1000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5680-NLFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]