Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD390N15ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ
Код товару: 104572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON-SemiconductorN-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N40TM ON Semiconductor TFDD3n40tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.06 грн
5000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 120289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.43 грн
10+51.68 грн
50+38.31 грн
100+31.91 грн
500+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMFairchildN-Channel 500V 2.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N50NZTM ON Semiconductor TFDD3n50nztm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141UMWTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 9396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 6134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+68.73 грн
50+51.47 грн
100+43.06 грн
500+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141UMWMOSFET 40V 50A TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10.8A; 69W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10.8A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.02 грн
6+72.96 грн
10+63.90 грн
50+47.03 грн
100+41.38 грн
250+35.23 грн
500+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON-SemiconductorP-MOSFET 50A 40V 69W 0.0123Ω FDD4141 TFDD4141
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141
Код товару: 133759
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.14 грн
10+86.65 грн
50+76.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 4881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141On SemiconductorMOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 141647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
645+55.01 грн
1000+50.73 грн
10000+45.23 грн
100000+36.54 грн
Мінімальне замовлення: 645 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.71 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 10.8A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 21496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+56.71 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085Ponsemionsemi P-Channel PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-NLFAIRCHIL09+ TSSOP
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemiMOSFETs 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; 42W; DPAK
Power dissipation: 42W
Gate charge: 29nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+84.12 грн
8+55.51 грн
10+46.37 грн
50+31.41 грн
100+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.68 грн
11+71.26 грн
25+69.86 грн
100+49.83 грн
250+44.73 грн
500+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 69mOhm; 24A; 42W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4243-F085; FDD4243-F085P; FDD4243_F085; Similar to: PTD40P20; FDD4243 ON Semiconductor TFDD4243
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+29.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemi / FairchildMOSFETs 40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.09 грн
10+54.44 грн
50+40.41 грн
100+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.99 грн
5000+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.69 грн
5000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 6.7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 6.7A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-GonsemiDescription: FDD4243-G
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243-TF085onsemi / FairchildMOSFET 40V P-Channel Power Trench Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243_F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45AN06LA0_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD45N06LFAIRCHILD07+ D-PAK/ TO-252
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.37 грн
15+50.77 грн
25+49.42 грн
100+39.17 грн
250+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 23026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
280+50.77 грн
287+49.42 грн
349+40.62 грн
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.05 грн
50+44.77 грн
100+37.37 грн
500+29.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685onsemiMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 11844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.33 грн
10+77.27 грн
25+76.53 грн
50+73.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 8.4A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 2358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4685-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 32 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.6
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 32A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, P-channel Power Trench
на замовлення 8887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685-F085PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
721+49.17 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685TF_SB82135onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4685_F085PON SemiconductorP Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZONS/FAIMOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZonsemi / FairchildMOSFET 2.5A Output Current GateDrive Optocopler
на замовлення 7629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4N60NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-187(5)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .020 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-187(8)KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .187
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-250KS TerminalsTerminals Vinyl, Double Crimp Female, 12-10 AWG, .032 x .250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5-250MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - FDD5-250 - Steckhülse, FDD5, Flachsteckhülse, 6.35mm x 0.81mm, 0.25" x 0.032", 12 AWG, 10 AWG
tariffCode: 85369010
euEccn: NLR
Isoliermaterial: Vinyl
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032"
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterquerschnitt CSA: 6mm²
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Klemmentyp: Flachsteckhülse
Isolatorfarbe: Gelb
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
Produktpalette: FDD5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Anschlussmaterial: Messing
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.