Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW90R800C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R130PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R130PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R130PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | на замовлення 3358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7A | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWSHRRFM16 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM16 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M16, 25mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA Gewindemaß - Metrisch: M16 euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Innendurchmesser: - Befestigungsmaterial: Faser usEccn: EAR99 Außendurchmesser: 25mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWSHRRFM20 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM20 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M20, 30.5mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA Gewindemaß - Metrisch: M20 euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Innendurchmesser: - Befestigungsmaterial: Faser usEccn: EAR99 Außendurchmesser: 30.5mm Produktpalette: - | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWSHRRFM25 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM25 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M25, 38mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA Gewindemaß - Metrisch: M25 euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA Innendurchmesser: - Befestigungsmaterial: Faser usEccn: EAR99 Außendurchmesser: 38mm Produktpalette: - | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|