Продукція > IPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPW80R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 84W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 500 V | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW80R360P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW80R360P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.31 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 84W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; IPW90R120C3FKSA1 IPW90R120C3 TIPW90r120c3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW90R120C3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900 Dauer-Drainstrom Id: 36 Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 417 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 417 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3 Код товару: 60746
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R120C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW90R120C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 36 A, 0.12 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 417W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R120C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R1K0C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.7A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R1K0C3 | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R1K0C3 | Infineon technologies | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R1K0C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R1K2C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R1K2C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW90R1 - 900V COOLMOS N-CHANNEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R340C3 | Infineon | на замовлення 3120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R340C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 900V 15A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R340C3FKSA1 Код товару: 191424
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 15A; 208W; TO247-3 Transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 15A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Power dissipation: 208W Gate charge: 94nC | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 15A TO247-3 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R500C3 | Infineon technologies | на замовлення 196 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R500C3 Код товару: 152093
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R500C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R500C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247 | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R500C3XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW90R500C3XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW90R500C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R800C3 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R800C3 | Infineon technologies | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IPW90R800C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 460µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3 Transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW90R800C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R060PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 74.7 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 74.7A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R060PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 74.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 57A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.85mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9378 pF @ 400 V | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R130PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R130PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R130PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPW95R310PFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW95R310PFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 17.5 A, 0.24 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-31 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7A | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWS65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IPWSHRRFM16 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM16 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M16, 25mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No SVHC: No SVHC (15-Jan-2019) rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M16 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 25mm Produktpalette: - | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWSHRRFM20 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM20 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M20, 30.5mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M20 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 30.5mm Produktpalette: - | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPWSHRRFM25 | REDAPT | Description: REDAPT - IPWSHRRFM25 - Unterlegscheiben, Glasfaser, M25, 38mm Außendurchmesser, 5er-Pack tariffCode: 39207910 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Gewindemaß - Metrisch: M25 isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NA usEccn: EAR99 Befestigungsmaterial: Faser Innendurchmesser: - Außendurchmesser: 38mm Produktpalette: - | на замовлення 149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

