Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD41CQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CRL - MJD41CRL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+20.20 грн
3600+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
на замовлення 5819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.38 грн
100+31.74 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.35 грн
12+66.49 грн
100+45.84 грн
500+34.88 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.10 грн
100+33.63 грн
500+24.51 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
316+44.83 грн
500+31.53 грн
1000+30.91 грн
2500+29.22 грн
5000+26.57 грн
Мінімальне замовлення: 316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.56 грн
18+43.68 грн
25+43.43 грн
100+34.30 грн
250+31.58 грн
500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
на замовлення 28230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.64 грн
5000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+43.68 грн
326+43.43 грн
398+35.57 грн
400+34.11 грн
538+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+38.64 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFON SemiconductorMJD41CTFCTF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.82 грн
1014+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CTFCTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42
на замовлення 15787 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42COn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...75, 3МГц, 20Вт, DPAK (SMD) (компл. MJD41C) Транзистори
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
23+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C
Код товару: 185058
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes ZetexPNP Medium Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD42C-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.59 грн
100+24.32 грн
500+17.46 грн
1000+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G
Код товару: 170554
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.04 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.03 грн
10+42.02 грн
25+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.63 грн
75+40.69 грн
150+36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.30 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CG
Код товару: 212893
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.57 грн
17+46.88 грн
100+30.64 грн
500+27.90 грн
1000+23.11 грн
2500+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+34.19 грн
100+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTRANS PNP 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaBipolar Transistors - BJT MJD42C/SOT428/DPAK
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 15W
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQYangjie Electronic TechnologyMJD42CQ
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes Zetex100V PNP Medium Power Transistor In Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.21 грн
25+37.89 грн
50+31.27 грн
100+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CR
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRL
на замовлення 896 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.27 грн
100+46.94 грн
500+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 91948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+56.53 грн
1000+52.13 грн
10000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+30.74 грн
3600+27.40 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42CRLG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MJD42
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CRLGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.82 грн
19+40.37 грн
100+37.69 грн
500+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4On SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...75, 3МГц, 20Вт, DPAK (SMD) (компл. MJD41C) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.71 грн
21+37.60 грн
25+37.23 грн
100+30.42 грн
250+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CT4GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.42 грн
5000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]