Продукція > MJD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MJD41C-QJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+36.08 грн
100+23.32 грн
500+16.74 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.78 грн
500+44.68 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMicro Commercial ComponentsNPN Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMicro Commercial ComponentsNPN Power Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41C-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN TRANSISTOR, DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CGonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 12231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+33.74 грн
100+23.26 грн
500+16.70 грн
1000+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 15W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6A
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaTrans GP BJT NPN 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300µA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.82 грн
5000+12.57 грн
7500+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A NPN HI PWR BJT
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.35 грн
10+52.40 грн
100+29.47 грн
500+21.46 грн
1000+18.95 грн
2500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNexperiaTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD41CJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.74 грн
100+27.19 грн
500+19.64 грн
1000+17.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.35 грн
10+51.84 грн
100+29.68 грн
500+23.34 грн
1000+20.48 грн
2500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CQ-13Diodes Zetex100V NPN Medium Power Transistor In To252 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CRL - MJD41CRL, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1032 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
765+46.25 грн
1000+42.66 грн
Мінімальне замовлення: 765 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON Semiconductor
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 1122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+21.76 грн
3600+19.25 грн
5400+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
на замовлення 9530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.72 грн
10+51.60 грн
100+29.47 грн
500+22.85 грн
1000+18.05 грн
3600+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CRLGonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+49.14 грн
100+32.26 грн
500+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4onsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4onsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.81 грн
500+41.61 грн
1000+37.38 грн
2500+32.10 грн
5000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W NPN
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.97 грн
10+54.00 грн
100+31.14 грн
500+24.04 грн
1000+21.95 грн
2500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+42.44 грн
337+42.02 грн
407+34.82 грн
408+33.50 грн
538+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.65 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.29 грн
5000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.28 грн
5000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4G
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 100 V, 6 A, 1.75 W, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.75 грн
13+59.14 грн
100+41.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 67102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.17 грн
100+33.66 грн
500+24.52 грн
1000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CT4GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.90 грн
18+42.44 грн
25+42.02 грн
100+33.58 грн
250+31.01 грн
500+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFON SemiconductorNPN/6A/100V DPAK
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.56 грн
15+51.22 грн
25+48.51 грн
50+44.13 грн
100+33.18 грн
250+28.01 грн
500+27.02 грн
1000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFOn SemiconductorTRANS NPN 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A TO-252AA
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFONSEMIDescription: ONSEMI - MJD41CTFCTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1188+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 1188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFON SemiconductorMJD41CTFCTF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.82 грн
1014+34.89 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD41CTFCTFonsemiDescription: TRANS NPN 100V 6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
809+26.75 грн
Мінімальне замовлення: 809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42
на замовлення 15787 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C
Код товару: 185058
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42ConsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42ConsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42COn SemiconductorPNP, Uкэ=100V, Iк=6A (10 имп.), h21=15...75, 3МГц, 20Вт, DPAK (SMD) (компл. MJD41C) Транзистори
на замовлення 2253 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes ZetexPNP Medium Power Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperiaBipolar Transistors - BJT SOT428 100V 6A PNP HI PWR BJT
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.51 грн
10+52.88 грн
100+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNEXPERIADescription: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-QJNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.76 грн
10+41.89 грн
50+30.70 грн
100+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1ONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42C1 - TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1ON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1441+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 1441 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.04 грн
10+60.97 грн
75+36.65 грн
525+30.66 грн
1050+28.15 грн
1950+26.75 грн
5850+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GONSEMIDescription: ONSEMI - MJD42C1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 20 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1G
Код товару: 170554
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
752+47.04 грн
1000+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 752 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 541 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CG
Код товару: 212893
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
742+47.71 грн
1000+44.00 грн
Мінімальне замовлення: 742 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 6A; 20W; DPAK
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Current gain: 15...75
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+63.49 грн
25+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGonsemiDescription: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 7741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
75+40.74 грн
150+36.39 грн
525+28.33 грн
1050+25.81 грн
2025+23.80 грн
5025+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGonsemiBipolar Transistors - BJT 6A 100V 20W PNP
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+43.43 грн
75+37.69 грн
525+33.51 грн
1050+23.41 грн
5850+21.18 грн
11700+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 6A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42CJNexperiaTRANS PNP 100V 6A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]