Продукція > NTR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTR3C21NZT1G | onsemi | MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN | на замовлення 173536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR3C21NZT3G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2774 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | onsemi | MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN | на замовлення 8088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V | на замовлення 4066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR3C21NZT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003N | ON | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTR4003N | onsemi | NFET SOT23 30V .56A 1500M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 560MA 2.5@3.7V,10MA 690MW 80 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003N | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 30V 560MA 2.5@3.7V,10MA 690MW 80 | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | на замовлення 1388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G Код товару: 167522
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | у наявності: 2 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | на замовлення 45389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | On Semiconductor | MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 80 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 101005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4003NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | на замовлення 45389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 500 мА, Ptot, Вт = 0,69, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 21 @ 5, Qg, нКл = 1,15 @ 5 В, Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 256 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | onsemi | MOSFETs NFET 30V .56A 1500M | на замовлення 59409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 4238 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G TR8 | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; NTR4003NT3G (10000/reel) NTR4003NT1G TNTR4003n кількість в упаковці: 95 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT1G TR8 | ON-Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2Ohm; 500mA; 690mW; -55°C ~ 150°C; NTR4003NT3G (10000/reel) NTR4003NT1G TNTR4003n кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | On Semiconductor | MOSFET, N-Channel , SOT-23-3 Транзистори | на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | onsemi | MOSFETs NFET 30V .56A 1500M | на замовлення 92536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4003NT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4003NT3G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 560 mA, 1.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 560mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 830mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm | на замовлення 2613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101P | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTR4101PT1 | onsemi | MOSFETs -20V -3.2A P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1 | ON | 0436+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 2,4A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4101PT1G TNTR4101p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 48774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.7A Power dissipation: 0.21W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.5nC | на замовлення 6696 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | On Semiconductor | MOSFET, P-CH, 20V, 70 mOM, 0.73 W, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 36545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675, Qg, нКл = 8,5, Rds = 85 мОм, Ugs(th) = 1,2, Р, Вт = 0,42, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | onsemi | MOSFETs -20V -3.2A P-Channel | на замовлення 94555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G Код товару: 41668
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 56424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 56424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1G-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V 2.4A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | onsemi | MOSFETs PFET SOT23 20V 32A 85MO | на замовлення 8534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V | на замовлення 13365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4101PT1H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 720mV euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.6A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4101PT1H | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4104PT1G | на замовлення 300000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V | на замовлення 27673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTR4170NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

