Продукція > STF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.02 грн
10+299.88 грн
50+237.02 грн
100+203.46 грн
500+170.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.078 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+578.21 грн
31+457.07 грн
32+447.91 грн
100+349.45 грн
250+273.58 грн
500+219.88 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 2066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+576.83 грн
10+455.99 грн
25+446.84 грн
100+348.62 грн
250+272.94 грн
500+219.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.51 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+428.10 грн
5+285.98 грн
10+243.21 грн
50+217.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
580+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 580 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; Idm: 128A; 25W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 128A
Polarisation: unipolar
Drain current: 32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 23A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF03LSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V STripFET 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 60 Volt 23 Amp
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronics
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 23A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMMOSFET N-CH 200V 40A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.01 грн
50+112.42 грн
100+101.62 грн
500+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMicroelectronicsMOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF40NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF410T2ATE ConnectivityCategory: Industrial connectors - Unclassified
Description: STF410T2A
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+6833.32 грн
6+4895.20 грн
13+4631.02 грн
26+4392.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF410T2ATE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF410T2ATE ConnectivityStandard Circular Connectors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7364.94 грн
3+7301.37 грн
5+6311.68 грн
10+5505.80 грн
20+5250.56 грн
50+4911.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.64 грн
10+345.54 грн
50+274.71 грн
100+236.43 грн
500+199.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N60M2-EPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5
Код товару: 130003
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF42N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.56 грн
50+228.26 грн
100+208.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+470.13 грн
500+352.27 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.13 грн
500+352.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF43N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.0145 Ohm typ 30A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 40W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220FP
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 40W
Version: ESD
Drain current: 22A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+546.41 грн
5+409.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.73 грн
50+305.58 грн
100+280.75 грн
500+222.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF460
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF46N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF46N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4A60
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4LN80K5
Код товару: 165741
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,6 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 122/3,7
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+80.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF4LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
50+77.20 грн
100+69.27 грн
500+51.95 грн
1000+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4LN80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220FP
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+72.84 грн
100+56.76 грн
500+44.00 грн
1000+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N52K3STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.02 грн
10+62.06 грн
50+53.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.20 грн
50+86.89 грн
100+73.30 грн
500+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMN-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 20W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 5.3nC
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.47 грн
10+91.41 грн
25+80.51 грн
50+77.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF4N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 4 A, 1.9 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF4NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF4NK50ZD
на замовлення 18957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 42A; Idm: 168A; 40W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+712.49 грн
50+380.86 грн
100+351.46 грн
500+281.54 грн
1000+276.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMMOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP Транзистори
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1690.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STF57N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STF57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N105K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.05KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+375.09 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N105K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 100 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.66 грн
50+111.03 грн
100+100.36 грн
500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.81 грн
100+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52USTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52USTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52USTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STF5N52U
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]