Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF24ER5R6KVishay DaleDescription: FIXED IND 5.6UH 500MA 400MOHM TH
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Current Rating (Amps): 500 mA
Inductance: 5.6 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 7.96 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 40MHz
Q @ Freq: 40 @ 7.96MHz
DC Resistance (DCR): 400mOhm Max
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER5R6KVishayRF Choke Wirewound 5.6uH 10% 7.96MHz 40Q-Factor Ferrite 500mA 400mOhm DCR AXL T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER5R6KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 5.6 10% ER e3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER680KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 68 10% ER e3
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER680KVishay DaleDescription: FIXED IND 68UH 185MA 2.9 OHM TH
Current Rating (Amps): 185 mA
Inductance: 68 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 6.5MHz
Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz
DC Resistance (DCR): 2.9Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER681KVishay DaleDescription: FIXED IND 680UH 75MA 20 OHM TH
Current Rating (Amps): 75 mA
Inductance: 680 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 796 kHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 2MHz
Q @ Freq: 60 @ 796kHz
DC Resistance (DCR): 20Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER681KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 680 10% ER e3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER820KVishay DaleDescription: FIXED IND 82UH 175MA 3.2 OHM TH
Current Rating (Amps): 175 mA
Inductance: 82 µH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 2.52 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 6MHz
Q @ Freq: 50 @ 2.52MHz
DC Resistance (DCR): 3.2Ohm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±10%
Shielding: Unshielded
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER820KVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 82 10% ER E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ER821JVishay / DaleRF inductors - Leaded
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR10MVishay DaleDescription: FIXED IND 100NH 1.4A 85 MOHM TH
Current Rating (Amps): 1.4 A
Inductance: 100 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 280MHz
Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 85mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR10MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .1 20% ER e3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR12MVishay DaleDescription: FIXED IND 120NH 1.35A 85 MOHM TH
Inductance: 120 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 280MHz
Q @ Freq: 30 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 85mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
Current Rating (Amps): 1.35 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR12MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .12 20% ER e3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR56MVishay DaleDescription: FIXED IND 560NH 950MA 170MOHM TH
Material - Core: Ferrite
Frequency - Self Resonant: 180MHz
Q @ Freq: 40 @ 25.2MHz
DC Resistance (DCR): 170mOhm Max
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Shielding: Unshielded
Mounting Type: Through Hole
Size / Dimension: 0.118" Dia x 0.276" L (3.00mm x 7.00mm)
Package / Case: Axial
Tolerance: ±20%
Current Rating (Amps): 950 mA
Inductance: 560 nH
Part Status: Active
Inductance Frequency - Test: 25.2 MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF24ERR56MVishay / DaleRF inductors - Leaded IRF-24 .56 20% ER e3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250International Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250MOTOROLA
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250Semelab / TT ElectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250International RectifierTO-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250MEXMOT9418+ DIP-2
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250N
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250NPBFir09= QFN
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+427.54 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224
Код товару: 177313
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9915 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+810.97 грн
50+800.62 грн
100+507.09 грн
200+411.87 грн
400+359.52 грн
800+335.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+428.34 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P224Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1041.84 грн
27+535.97 грн
50+515.56 грн
100+480.27 грн
250+431.21 грн
500+402.70 грн
1000+392.85 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4897 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesMOSFETs IFX OPTIMOS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 69A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+416.30 грн
100+395.14 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225International RectifierN-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+344.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225INFINEONDescription: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2526IR01+
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF253International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF260N
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF260N(Транзистор)
Код товару: 47822
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804International RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804 PBF
Код товару: 23326
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,002 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6450/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LIR
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804LPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+166.99 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.79 грн
50+101.56 грн
100+100.54 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.55 грн
50+117.49 грн
100+116.31 грн
500+100.54 грн
1000+92.13 грн
2000+85.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.79 грн
139+101.56 грн
141+100.54 грн
500+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 280 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.62 грн
50+112.91 грн
100+101.93 грн
500+77.61 грн
1000+71.81 грн
2000+66.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.89 грн
57+250.96 грн
100+242.44 грн
250+226.69 грн
500+204.19 грн
1000+191.23 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 3627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+123.23 грн
121+117.20 грн
122+116.02 грн
500+100.28 грн
1000+91.90 грн
2000+85.53 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 6956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+159.94 грн
500+143.47 грн
1000+132.89 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.56 грн
10+120.50 грн
50+100.41 грн
100+92.88 грн
250+82.84 грн
500+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 75 А, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6450 @ 25, Qg, нКл = 240 @ 10 В, Rds = 2,3 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.12 грн
116+121.85 грн
117+120.64 грн
500+97.82 грн
1000+89.21 грн
2000+81.81 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S
Код товару: 99462
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 75 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,0 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6450/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+54.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7P
Код товару: 99463
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK-7 (TO-263-7)
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 160 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6930/170
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+91.50 грн
10+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PIR
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon / IRMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInternational RectifierD2PAK-7 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804S-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+387.87 грн
10+349.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInternational RectifierTO-263 (D2Pak) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBFIRF2804S Транзисторы Прочие
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804SPBF-IRInternational RectifierDescription: HEXFET POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineonN-Channel 40 V 160A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 160 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 160A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 320A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+76.22 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+84.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.58 грн
1600+101.56 грн
2400+100.53 грн
4000+95.97 грн
5600+87.98 грн
8000+83.62 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.40 грн
10+144.76 грн
20+130.54 грн
50+113.80 грн
100+102.92 грн
200+94.56 грн
500+87.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF2804STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.66 грн
10+151.90 грн
100+105.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 22 44 66 88 110 132 154 176 198 220 223  Наступна Сторінка >> ]