Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC6094-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
758+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 758 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6094-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Verlustleistung Pd: 3.5
Übergangsfrequenz ft: 390
Bauform - Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6094-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 120mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095onsemi BIP NPN 2.5A 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6095-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6095-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A PCP
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096onsemi BIP NPN 2A 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.95 грн
10+43.45 грн
100+28.44 грн
500+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6096-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6096-TD-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A PCP
Power - Max: 1.3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-E - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+50.68 грн
100+33.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+28.75 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-ESANYOSOT252/2.5
на замовлення 27940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 60V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 135mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+25.70 грн
1400+22.55 грн
2100+21.43 грн
3500+18.93 грн
4900+18.23 грн
7000+17.55 грн
17500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.44 грн
460+30.70 грн
467+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 2800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6097-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6097-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.32 грн
21+36.80 грн
25+36.44 грн
100+29.60 грн
250+27.03 грн
500+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.07 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6098-E - 2SC6098-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-EON SemiconductorRF Bipolar Transistors BIP NPN 2.5A 80V
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6098-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6098-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-E - 2SC6099-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+25.89 грн
1400+22.72 грн
2100+21.59 грн
3500+19.07 грн
4900+18.37 грн
7000+17.68 грн
17500+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC6099-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 36380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+50.99 грн
100+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-ESANYOTO-252 08+
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6099-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC609T
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC61NECCAN
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC610
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.92 грн
6000+9.15 грн
9000+8.24 грн
30000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LFToshibaBipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN 3SMD 50V
на замовлення 3519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS NPN 50V 2.5A UFM
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 42351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
11+27.49 грн
100+16.48 грн
500+14.32 грн
1000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(BToshiba2SC6100,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+21.83 грн
671+21.04 грн
1000+20.35 грн
2500+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(BToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(BToshiba2SC6100,LF(B
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+21.83 грн
671+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1081+13.06 грн
1133+12.47 грн
1143+12.35 грн
2000+11.79 грн
3000+10.82 грн
6000+10.18 грн
12000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 1081 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6100,LF(TToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
603+23.41 грн
607+23.28 грн
746+18.94 грн
1000+17.01 грн
2000+15.65 грн
3000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6102SanyoDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6105ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6105(TE85L,F)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6105(TE85L,F)ToshibaHigh Voltage Switching Applications
на замовлення 5433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
604+23.39 грн
607+23.27 грн
677+20.87 грн
1000+19.31 грн
2000+17.78 грн
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 604 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC611N/A
на замовлення 6390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6113SanyoDescription: NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114T2LROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114T2LQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SMLL SIG LO FREQ AMP 50V 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114T2LQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VMN3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114T2LRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 0.1A VMN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: VMN3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6114T2LRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRNSISTR BIPOLAR NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6116LS-YB11onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC611AN/A
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC611NN/A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC612N/A
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6123(0)-Z-E1-AZRENESASSOT263/2.5
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6124ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6124(TE12L,ZC)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6124(TE12L,ZC)ToshibaTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
887+15.93 грн
920+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6125(TE12L,ZF)ToshibaTrans GP BJT NPN 20V 4A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6126Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6126(TE12L,ZF)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
878+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 878 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6127(TE16L1,NV)Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]