Продукція > 2SC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SCR502U3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323 | на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3 | на замовлення 5089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 13901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.5A; 200mW; SOT323F Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Case: SOT323F Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Pulsed collector current: 1A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 500 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323FL Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 13901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R | на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 358 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 357 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Part Status: Active Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3 | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 200 to 500hFE 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 142 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2W Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-89 BIPOLAR BJT NPN | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS | на замовлення 5676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 500mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 2161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR512RTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 2A TSMT3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR512RTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver | на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 13367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3 | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 23291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 3055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513P5T100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 232 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PFRAT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Polarisation: bipolar Frequency: 360MHz Case: SC62; SOT89 Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Collector current: 1A Power dissipation: 0.5W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 180...450 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PFRAT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: MPT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PFRAT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1A 180 to 450hFE 50V | на замовлення 1553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 52 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V 1A SOT89 BJT NPN | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | ROHM | Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PHZGT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 5544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513PT100 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R | на замовлення 1437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS | на замовлення 4563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | ROHM | Description: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RHZGTL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 50V 1A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: TSMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SCR513RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 36289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2SCR513RTL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|