Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SCR502U3T106Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+23.95 грн
946+15.00 грн
1280+11.08 грн
1473+9.29 грн
3000+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 592 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.59 грн
32+10.08 грн
100+5.52 грн
500+4.00 грн
1000+3.59 грн
3000+3.18 грн
6000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+20.00 грн
736+19.28 грн
1000+18.64 грн
2500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+20.00 грн
736+19.28 грн
1000+18.64 грн
2500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.87 грн
119+6.79 грн
500+4.26 грн
1000+3.85 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3990+3.55 грн
4000+3.54 грн
4688+3.02 грн
4935+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3990 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
709+20.00 грн
736+19.28 грн
1000+18.64 грн
2500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 709 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLROHMDescription: ROHM - 2SCR502UBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.04 грн
75+10.87 грн
119+6.79 грн
500+4.26 грн
1000+3.85 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.5A; 200mW; SOT323F
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SOT323F
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Pulsed collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR502UBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
32+9.42 грн
100+5.87 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.77 грн
33+24.73 грн
100+17.15 грн
500+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
13+24.01 грн
100+16.68 грн
500+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+20.73 грн
710+19.99 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100ROHMDescription: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.15 грн
500+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.21 грн
11+30.09 грн
100+16.78 грн
500+12.77 грн
1000+11.39 грн
2000+9.73 грн
5000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 2A 200 to 500hFE 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.57 грн
404+35.11 грн
500+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+38.96 грн
100+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR512PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 2A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-89 BIPOLAR BJT NPN
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+41.52 грн
100+23.54 грн
500+18.16 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1062+13.35 грн
1143+12.41 грн
1177+12.05 грн
2000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 1062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
548+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 548 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+21.92 грн
671+21.13 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+47.94 грн
100+31.37 грн
500+22.75 грн
1000+20.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.71 грн
21+39.79 грн
100+25.85 грн
500+16.90 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
629+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+18.43 грн
774+18.31 грн
953+14.88 грн
1017+13.44 грн
2000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 770 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR512RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.85 грн
500+16.90 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+38.57 грн
383+37.03 грн
500+35.69 грн
1000+33.30 грн
2500+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 368 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 30V 2A MID-PWR TRANS
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.17 грн
10+41.12 грн
100+23.13 грн
500+17.74 грн
1000+16.02 грн
3000+12.50 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
835+16.99 грн
912+15.55 грн
1070+13.26 грн
1132+12.08 грн
2000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 835 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.15 грн
10+35.33 грн
100+19.88 грн
500+15.19 грн
1000+13.67 грн
3000+11.67 грн
6000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 2A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+42.44 грн
348+40.74 грн
500+39.26 грн
1000+36.62 грн
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR512RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.08 грн
100+22.65 грн
500+16.23 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.43 грн
2000+9.94 грн
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
934+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 934 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 1A Ic MPT3
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.12 грн
10+34.69 грн
100+19.33 грн
500+12.22 грн
1000+10.56 грн
2000+9.32 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.76 грн
28+27.47 грн
50+26.18 грн
100+14.43 грн
250+13.17 грн
500+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.28 грн
100+16.21 грн
500+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 13367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.79 грн
624+22.73 грн
833+17.03 грн
1000+14.53 грн
2000+11.97 грн
3000+10.81 грн
5000+10.34 грн
7000+10.03 грн
10000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 23291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+36.11 грн
409+34.66 грн
500+33.41 грн
1000+31.16 грн
2500+28.00 грн
5000+26.16 грн
10000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 393 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PFRAT100ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Frequency: 360MHz
Case: SC62; SOT89
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 180...450
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
12+25.73 грн
100+15.44 грн
500+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PFRAT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN SOT-89 1A 180 to 450hFE 50V
на замовлення 1553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.24 грн
12+27.94 грн
100+12.01 грн
1000+10.49 грн
10000+10.01 грн
25000+9.25 грн
50000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PFRAT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 360MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.80 грн
10+35.82 грн
100+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1A
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.33 грн
502+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 50V 1A SOT89 BJT NPN
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.50 грн
100+21.75 грн
500+20.30 грн
1000+14.98 грн
2000+12.91 грн
5000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100ROHMDescription: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.53 грн
20+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PHZGT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+16.87 грн
847+16.75 грн
942+15.06 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 5544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1304+10.88 грн
1413+10.04 грн
1453+9.76 грн
2000+9.37 грн
4000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 1304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+22.22 грн
662+21.41 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+22.22 грн
662+21.41 грн
1000+20.71 грн
2500+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 639 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513PT100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 1A 4PIN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW Automotive 3-Pin TSMT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+20.48 грн
697+20.36 грн
859+16.51 грн
1000+14.99 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 693 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.82 грн
500+17.65 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.18 грн
100+32.87 грн
500+23.88 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1070+13.26 грн
1181+12.01 грн
1227+11.56 грн
2000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 1070 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.56 грн
10+37.63 грн
100+22.30 грн
500+21.61 грн
3000+18.29 грн
6000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLROHMDescription: ROHM - 2SCR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-346T
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.20 грн
20+41.16 грн
100+26.82 грн
500+17.65 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RHZGTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
388+36.57 грн
404+35.11 грн
500+33.84 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 388 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.28 грн
367+38.66 грн
500+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 50V 1A
на замовлення 4433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.56 грн
10+33.50 грн
100+19.19 грн
500+14.64 грн
1000+12.91 грн
3000+11.05 грн
6000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 88659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1249+11.35 грн
1421+9.98 грн
1486+9.54 грн
2000+8.67 грн
3000+7.98 грн
6000+7.31 грн
12000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 1249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 36289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+40.50 грн
546+25.99 грн
725+19.57 грн
1000+16.68 грн
3000+13.42 грн
6000+11.87 грн
9000+10.55 грн
15000+10.47 грн
21000+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 50V 1A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.34 грн
100+20.18 грн
500+14.41 грн
1000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
352+40.28 грн
367+38.66 грн
500+37.26 грн
1000+34.76 грн
Мінімальне замовлення: 352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513RTLRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 1000mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+44.64 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514PROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.88 грн
705+20.13 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.75 грн
12+27.94 грн
100+15.53 грн
500+11.74 грн
1000+10.49 грн
2000+8.97 грн
5000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 117 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134  [ Наступна Сторінка >> ]