Продукція > FCP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCPF380N60-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60-F154 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+166.35 грн
50+128.99 грн
100+109.77 грн
500+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 30.6A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152Fairchild SemiconductorDescription: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 380MOHM E TO220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154ON SemiconductorFCPF380N60E-F154
на замовлення 55724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
10000+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+172.39 грн
50+133.91 грн
100+114.04 грн
500+93.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E_F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET, 650 V, 10.2 A, 380 mohm, TO-220F
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.77 грн
10+191.72 грн
50+149.19 грн
100+127.15 грн
500+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 380MOHM F TO220F
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.2A; Idm: 30.6A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1.ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-CHAN MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
50+161.63 грн
100+147.10 грн
500+114.19 грн
1000+106.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZFairchildN-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 655 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.15 грн
10+205.60 грн
100+146.26 грн
500+113.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1-F154onsemiMOSFETs SF2 800V 400MOHM E TO220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.24 грн
17+46.77 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 O
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.16 грн
100+99.95 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF4300N80Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 171833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+122.68 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF600N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 31845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZonsemiMOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.04 грн
50+106.74 грн
100+96.45 грн
500+73.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1ON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 7.4A TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1ON SemiconductorN-Channel SuperFET II MOSFET 600 V, 7.4 A, 600 m OHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.4A; Idm: 22.2A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 22.2A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N60ZL1-F154onsemiMOSFETs SUPERFET2 600V TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 170548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+89.71 грн
500+80.74 грн
1000+74.45 грн
10000+64.01 грн
100000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 168475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.90 грн
20+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0LONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 185337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 6A; 24W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 24W
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+82.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 24W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF600N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.36 грн
10+165.90 грн
50+128.19 грн
100+108.89 грн
500+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 30.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 30.5
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.93 грн
50+144.98 грн
100+131.66 грн
500+101.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF650N80Z
Код товару: 167535
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+165.01 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 35400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+165.01 грн
1000+152.04 грн
10000+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 7A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF7N60FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+183.87 грн
500+165.01 грн
1000+152.04 грн
10000+130.70 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.