Продукція > FCP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCPF290N80Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+227.74 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
50+204.52 грн
100+201.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80onsemiMOSFETs SuperFET2 800V 290 mOhm
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON Semiconductor
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF290N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LON Semiconductor
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
276+73.19 грн
Мінімальне замовлення: 276 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0LonsemiMOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
50+129.70 грн
100+117.56 грн
500+90.36 грн
1000+83.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154onsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: TO220
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Power dissipation: 27W
Technology: PowerTrench®
Gate charge: 18nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.61 грн
10+130.87 грн
100+130.06 грн
500+105.67 грн
1000+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTonsemi / FairchildMOSFET SM 600V 90MOHM F TO220F
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF36N60NTONS/FAIMOSFET N-CH 600V 36A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+111.15 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60onsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2, 380mohm
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
50+119.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 476 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F152Fairchild SemiconductorDescription: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+93.29 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F154ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60-F154 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F154ONN
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 380MOHM F TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.47 грн
10+156.77 грн
100+109.79 грн
500+84.21 грн
1000+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 380mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152Fairchild SemiconductorDescription: FCPF380N60E - Power MOSFET, N-C
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N60E-F152 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F152ONS/FAIMOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154ON SemiconductorFCPF380N60E-F154
на замовлення 55724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
10000+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 380MOHM E TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+162.51 грн
100+114.04 грн
500+87.60 грн
1000+81.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N60E_F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+127.29 грн
1000+117.39 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET, 650 V, 10.2 A, 380 mohm, TO-220F
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.2A; Idm: 30.6A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.2A
Pulsed drain current: 30.6A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154ONN
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 10.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.47 грн
50+136.31 грн
100+123.66 грн
500+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 380MOHM F TO220F
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF380N65FL1.ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF380N65FL1. - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+271.49 грн
10+177.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-CHAN MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N60ON Semiconductor
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
10000+169.34 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZFairchildN-MOSFET 800V 11A 400mΩ 35.7W FCPF400N80Z Fairchild TFCPF400N80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+112.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+151.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+208.62 грн
500+196.83 грн
1000+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
50+161.63 грн
100+147.10 грн
500+114.19 грн
1000+106.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.72 грн
10+200.77 грн
100+170.70 грн
500+130.58 грн
1000+98.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF400N80ZL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 655 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 800V 400MOHM E TO220F
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.15 грн
10+205.60 грн
100+146.26 грн
500+113.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF400N80ZL1-F154onsemiMOSFETs SF2 800V 400MOHM E TO220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF4300N80Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.16 грн
100+99.95 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]