Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6680SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
1000+59.44 грн
10000+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680SFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680Sonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S-NLFAIRCHILDSOP8 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S/R407+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680SNLFAIRCHILD
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6680S_NLFSC09+
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.06 грн
10+130.88 грн
100+90.31 грн
500+68.47 грн
1000+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6681Z TFDS6681z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZonsemiMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 14181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.02 грн
10+130.60 грн
100+78.73 грн
500+65.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 4600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 6734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+212.15 грн
50+138.18 грн
100+95.92 грн
500+73.67 грн
1000+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+216.76 грн
5+161.02 грн
10+141.73 грн
50+105.67 грн
100+93.93 грн
250+82.19 грн
500+75.48 грн
1000+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.66 грн
10+140.02 грн
25+138.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+101.02 грн
500+97.44 грн
1000+95.35 грн
2500+90.51 грн
5000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Zonsemi / FairchildMOSFETs 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 38464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.59 грн
10+137.01 грн
100+82.21 грн
500+68.35 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z-GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681ZNLFAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6681Z_NL
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.68 грн
5000+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.64 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.64 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682onsemi / FairchildMOSFET SO-8
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.66 грн
10+70.43 грн
100+47.73 грн
500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.68 грн
5000+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 15 V
на замовлення 4160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
764+28.23 грн
Мінімальне замовлення: 764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
759+46.64 грн
1000+43.02 грн
Мінімальне замовлення: 759 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682-NLFDS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682NLFAIRCHILD
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6682SNLFAIRCHILD
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6683ZFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685onsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+99.88 грн
Мінімальне замовлення: 217 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6685 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 19131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 6215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685-NBCM003AON SemiconductorFDS6685-NBCM003A
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+142.61 грн
500+128.47 грн
1000+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685-NBCM003AonsemiDescription: P-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685-NBCM003Aonsemionsemi P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685_NBCM003Aonsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, LOGIC LEVEL, PCH, 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6685_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL P-CH -30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6687FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 24404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688 - MOSFET, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
10000+105.97 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.51 грн
500+133.18 грн
1000+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 19180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688AS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+59.50 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 282138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
10000+71.11 грн
100000+55.17 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 288922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
на замовлення 288922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688S-NLFDS0615+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SNLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6689S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+80.39 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SON SemiconductorFDS6689S
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.26 грн
500+126.11 грн
1000+116.41 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+73.10 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ON SemiconductorFDS6690
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+150.86 грн
500+135.54 грн
1000+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+81.32 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.70 грн
373+38.00 грн
500+31.30 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
50+46.09 грн
100+35.03 грн
500+28.38 грн
1000+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.30 грн
10+49.52 грн
100+29.89 грн
500+24.32 грн
1000+21.88 грн
2500+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.54 грн
1000+32.52 грн
2500+28.93 грн
5000+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.03 грн
9+47.64 грн
11+41.09 грн
50+29.27 грн
100+26.08 грн
500+21.47 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.66 грн
5000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]