Продукція > FDS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6688ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688 - MOSFET, N, SMD, SO-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 20529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+133.48 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+133.48 грн
1000+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3888 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+148.84 грн
500+133.48 грн
1000+124.03 грн
10000+106.21 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 15 V
на замовлення 19180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688AS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688NLFAIRCHILD
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6688S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 288922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 501 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 282138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
10000+71.27 грн
100000+55.29 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
на замовлення 288922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.88 грн
500+89.90 грн
1000+82.90 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688S-NLFDS0615+ SOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688SNLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6688_NLFAIRCHILD
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SON SemiconductorFDS6689S
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+140.57 грн
500+126.39 грн
1000+116.67 грн
Мінімальне замовлення: 253 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6689S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6689SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ON SemiconductorFDS6690
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+135.84 грн
1000+125.21 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 331 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690onsemi / FairchildMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.73 грн
5000+27.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A
Код товару: 52356
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
357+39.78 грн
373+38.08 грн
500+31.37 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 SGL N-CH 30V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.21 грн
10+52.05 грн
100+34.22 грн
500+24.95 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+33.61 грн
1000+32.59 грн
2500+28.99 грн
5000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 22mOhm; 11A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6690A TFDS6690a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690A-NBNP006 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006Fairchild SemiconductorDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1089+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 1089 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NBNP006onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A-NL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AFDS6690AS
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ANLFAIRCHILD
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 59264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
10000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemi / FairchildMOSFETs 30V NCH POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
10000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
10000+39.55 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
737+48.10 грн
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 737 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6690AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS
Код товару: 169096
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS-NBNU001onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690ASNLFAIRCHILD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS_NBNU001onsemi / FairchildMOSFET 30V,NCH,SO8,POWER TRENCH SYNCFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690AS_TNBNU001onsemi / Fairchildonsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NBBM015AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NBNP006onsemi / FairchildArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A_Qonsemi / FairchildMOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690NLFAIRCHILD
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 15 V
на замовлення 372836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+76.88 грн
Мінімальне замовлення: 290 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 164686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
100000+79.78 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 12350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 124950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
100000+79.78 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690SON SemiconductorFDS6690S
на замовлення 87831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+144.11 грн
500+129.94 грн
1000+119.31 грн
10000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690S_NLFAIRCHILD
на замовлення 51800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692onsemiMOSFETs SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692Fairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2164 pF @ 15 V
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+45.90 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6692A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.47
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 1.47
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.36 грн
1000+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 9A 11.5 OHM NCH POWER TR
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
582+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 582 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
578+61.36 грн
1000+56.59 грн
10000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 578 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6692NLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 15 V
на замовлення 28954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 606 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694
Код товару: 52710
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
10000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6694NLFAIRCHILD
на замовлення 44500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.