Продукція > NTR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTR4170NT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 30V 4A TR
на замовлення 223663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+16.25 грн
1206+11.70 грн
1217+11.60 грн
1640+8.30 грн
1850+6.81 грн
3000+6.02 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
6000+7.33 грн
9000+6.96 грн
15000+6.15 грн
21000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171Ponsemi PFET SOT23 30V 3.5A 0.075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 38498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+28.24 грн
100+18.15 грн
500+12.94 грн
1000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GOn SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.49 грн
6000+11.47 грн
9000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2184+16.16 грн
10000+14.40 грн
100000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 2184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.00 грн
6000+9.69 грн
9000+9.23 грн
15000+8.18 грн
21000+7.89 грн
30000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.4nC
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.54 грн
17+25.10 грн
20+21.84 грн
25+17.41 грн
50+14.39 грн
100+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1130+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 1130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.64 грн
21+36.31 грн
25+33.52 грн
100+25.31 грн
250+22.85 грн
500+17.10 грн
1000+15.35 грн
3000+13.46 грн
6000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.61 грн
6000+11.56 грн
9000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiMOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 63148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G TRFON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; NTR4171PT3G (10000/reel) NTR4171PT1G TNTR4171p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.52 грн
1000+2.37 грн
3000+2.21 грн
6000+2.03 грн
15000+1.97 грн
30000+1.89 грн
75000+1.74 грн
150000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501onsemi NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1onsemiMOSFETs 20V 3.2A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
6000+5.32 грн
9000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiMOSFETs 20V 3.2A N-Channel
на замовлення 149811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1316+10.73 грн
1330+10.61 грн
1388+10.17 грн
1586+8.58 грн
3000+7.15 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.65 грн
49+15.39 грн
50+15.09 грн
100+10.34 грн
250+9.48 грн
500+8.72 грн
1000+7.63 грн
3000+6.86 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 49492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
16+18.83 грн
100+11.87 грн
500+8.31 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GOn SemiconductorТранзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 3,2A, 1,25W, SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
6000+7.51 грн
9000+7.39 грн
12000+6.90 грн
27000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.62 грн
1000+2.46 грн
3000+2.30 грн
6000+2.11 грн
15000+2.05 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G3.2A/20V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3HonsemiDescription: NFET SOT23 20V 3.2A 70R T
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501PT1G
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502P
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502Ponsemi PFET SOT23 30V 1.95A 200M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1onsemiMOSFETs -30V -1.95A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiMOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6nC
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.33 грн
27+16.07 грн
32+13.22 грн
50+8.87 грн
100+8.03 грн
250+7.36 грн
500+7.03 грн
1000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
6000+8.47 грн
9000+8.32 грн
12000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.50 грн
17+17.92 грн
100+11.33 грн
500+7.95 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.92 грн
10000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.23 грн
63+11.99 грн
64+11.88 грн
100+9.30 грн
250+7.95 грн
500+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GOn SemiconductorТранзистор Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2153+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 2153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.92 грн
10000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G TR2ON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR4502PT3G (10000/reel) NTR4502PT1G TNTR4502p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V 1.95A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.62 грн
1000+2.46 грн
3000+2.30 грн
6000+2.11 грн
15000+2.05 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503Nonsemi NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1ONSOT23 0426+
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1onsemiMOSFET 30V 2.5A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.75 грн
6000+11.46 грн
9000+11.21 грн
12000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.94 грн
18+16.94 грн
100+10.73 грн
500+7.52 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 14478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.71 грн
10000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+7.26 грн
9000+6.90 грн
15000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiMOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.71 грн
10000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 20900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.76 грн
14+21.84 грн
100+13.92 грн
500+9.85 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]