Продукція > NTR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTR4170NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4170NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 309000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4688+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
на замовлення 27673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+22.37 грн
100+14.27 грн
500+10.09 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT1G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4170NT1G. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 780
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4170NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.76 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171Ponsemi PFET SOT23 30V 3.5A 0.075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.77 грн
20+39.13 грн
25+36.36 грн
100+22.75 грн
250+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
6000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
722+19.59 грн
1000+17.65 грн
3000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 722 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiMOSFETs PFET SOT23 30V TR 0.075R
на замовлення 34069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4171PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 4981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.98 грн
17+25.45 грн
20+22.14 грн
25+17.65 грн
50+14.59 грн
100+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2181+16.22 грн
10000+14.46 грн
100000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 2181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.33 грн
10+31.15 грн
100+19.97 грн
500+14.25 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GOn SemiconductorMOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1GUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
13+24.43 грн
100+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G TRFON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 150mOhm; 2,2A; 480mW; -55°C ~ 150°C; NTR4171PT3G (10000/reel) NTR4171PT1G TNTR4171p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT1G-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V 2.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.55 грн
1000+2.40 грн
3000+2.24 грн
6000+2.06 грн
15000+2.00 грн
30000+1.91 грн
75000+1.77 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4171PT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501onsemi NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
на замовлення 5088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1ON07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1onsemiMOSFETs 20V 3.2A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.70 грн
49+15.43 грн
50+15.12 грн
100+10.37 грн
250+9.50 грн
500+8.74 грн
1000+7.65 грн
3000+6.88 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
On-state resistance: 0.105Ω
на замовлення 14369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.84 грн
27+15.95 грн
31+13.91 грн
50+10.18 грн
100+8.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.36 грн
1500+6.02 грн
3000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+7.52 грн
9000+7.41 грн
12000+6.92 грн
27000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 68985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 4567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.72 грн
17+19.01 грн
50+13.73 грн
100+11.26 грн
500+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
6000+5.33 грн
9000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GOn SemiconductorТранзистор N-MOSFET, полевой, 20V, 3,2A, 1,25W, SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1316+10.75 грн
1330+10.64 грн
1388+10.19 грн
1586+8.60 грн
3000+7.16 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiMOSFETs 20V 3.2A N-Channel
на замовлення 149811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 71337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.66 грн
1000+2.50 грн
3000+2.33 грн
6000+2.14 грн
15000+2.08 грн
30000+1.99 грн
75000+1.84 грн
150000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT1G3.2A/20V
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501NT3HonsemiDescription: NFET SOT23 20V 3.2A 70R T
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4501PT1G
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502Ponsemi PFET SOT23 30V 1.95A 200M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502P
на замовлення 4681 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1onsemiMOSFETs -30V -1.95A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 4676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.92 грн
17+18.17 грн
100+11.48 грн
500+8.06 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.27 грн
63+12.01 грн
64+11.91 грн
100+9.32 грн
250+7.97 грн
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2153+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 2153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.94 грн
10000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GOn SemiconductorТранзистор Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+8.49 грн
9000+8.34 грн
12000+7.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GonsemiMOSFETs -30V -1.95A P-Channel
на замовлення 22828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.35Ω
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.67 грн
27+16.29 грн
32+13.40 грн
50+8.99 грн
100+8.14 грн
250+7.47 грн
500+7.13 грн
1000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3958+8.94 грн
10000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3958 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1GON-SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 350mOhm; 1,13A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR4502PT3G (10000/reel) NTR4502PT1G TNTR4502p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT1G-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V 1.95A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.66 грн
1000+2.50 грн
3000+2.33 грн
6000+2.14 грн
15000+2.08 грн
30000+1.99 грн
75000+1.84 грн
150000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3onsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4502PT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3357 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503Nonsemi NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NST1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NST1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT23 30V 2.5A 140MO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1ONSOT23 0426+
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1onsemiMOSFET 30V 2.5A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiMOSFETs 30V 2.5A N-Channel
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.74 грн
10000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 13853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.78 грн
6000+11.48 грн
9000+11.24 грн
12000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 2A; 730mW; -55°C ~ 150°C; NTR4503NT3G (10000/reel) NTR4503NT1G TNTR4503n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3013+11.74 грн
10000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.66 грн
100+15.69 грн
500+11.09 грн
1000+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT3G
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4503NT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTR4505NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTR50A1020STRFNIC ComponentsRes Thin Film 2512 102 Ohm 0.05% 0.5W(1/2W) ±5ppm/°C Pad SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]