Продукція > SCS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SCS215AEGC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AEGC11Z | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220AC; 110W; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.55V Max. forward impulse current: 200A Kind of package: tube Max. load current: 65A Power dissipation: 110W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220ACFP Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-220AC | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AGC17 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen | на замовлення 6407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 15A TO220ACFP Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220AC Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 15A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS215AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJHRTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS215AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-263AB tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS215AJTLL - SiC-Schottky-Diode, SCS21, Einfach, 650 V, 15 A, 23 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 23 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: SCS21 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | на замовлення 3879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AJTLL | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A D2PAK | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AMC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Current - Reverse Leakage @ Vr: 240 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 12 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FM Current - Average Rectified (Io): 12A Capacitance @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AMC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 15A TO-220FM | на замовлення 956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215AMC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220FP-2; 39W Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 15A Max. forward voltage: 1.55V Power dissipation: 39W Max. forward impulse current: 200A Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 36A Kind of package: tube Case: TO220FP-2 Technology: SiC Mounting: THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215AMC7G | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A SIC AUTO | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS215ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 15 A, 22 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kapazitive Gesamtladung: 22nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Periodische Spitzensperrspannung: 650V rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO263L Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-263L Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANHRTRL | ROHM | Description: ROHM - SCS215ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 15 A, 22 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 22nC euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 15A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANTRL | Rohm Semiconductor | Description: 650V, 15A, SMD, SILICON-CARBIDE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215ANTRL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 15A SM SIC SKY | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 15A 1200V | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215KGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 1.2KV 15A TO220ACFP Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGC17 | ROHM | Description: ROHM - SCS215KGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 51 nC, TO-220ACG Kapazitive Gesamtladung: 51 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220ACG Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215KGC17 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY | на замовлення 2642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 1.2KV 15A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS215KGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC Qualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 790pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS215KGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS217K | на замовлення 10298 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SCS217K-LF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SCS220AE2C | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 20A 600V | на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2C | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247N Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 160W Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.63V Max. load current: 91A Max. forward impulse current: 0.3kA Leakage current: 0.2mA Power dissipation: 160W Kind of package: tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2GC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A/20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC) Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube Automotive AEC-Q101 | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AE2HRC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes AECQ | на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AEC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AEC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AEC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 20A TO-247 | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AEC | ROHM | Description: ROHM - SCS220AEC - SiC-Schottky-Diode, SCS22, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 31 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: SCS22 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AEC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO247-3; 130W; tube Technology: SiC Power dissipation: 130W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.55V Load current: 20A Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 260A Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AEGC11 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes RECT 650V 20A RDL SIC SKY | на замовлення 1646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AEGC11 | ROHM | Description: ROHM - SCS220AEGC11 - SiC-Schottky-Diode, SCS22, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 31nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: SCS22 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AEGC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AEGC11 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A TO247 Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247 Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AEGC11 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220AC; 136W; tube Technology: SiC Power dissipation: 136W Case: TO220AC Mounting: THT Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.55V Load current: 20A Max. load current: 81A Max. forward impulse current: 260A Max. off-state voltage: 650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers DIODE: 20A 600V | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC | ROHM | Description: ROHM - SCS220AGC - SiC-Schottky-Diode, Barriere, SCS22, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 31 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220AC Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: SCS22 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC17 | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE | на замовлення 1681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AGC17 | ROHM | Description: ROHM - SCS220AGC17 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-220ACG Kapazitive Gesamtladung: 31 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 2 Pins Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: TO-220ACG Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGC17 | Rohm Semiconductor | Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220ACG Tube | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AGC17 | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIC 650V 20A TO220ACFP Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-220ACFP Current - Average Rectified (Io): 20A Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AGHRC | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGHRC | ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AGHRC | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 650V 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | ROHM Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 20A SiC SBD AEC-Q101 Qualified | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | Rohm Semiconductor | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R | на замовлення 930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| SCS220AJHRTLL | ROHM | Description: ROHM - SCS220AJHRTLL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263AB Kapazitive Gesamtladung: 31 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 650 Anzahl der Pins: 3 Pins Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: TO-263AB Diodenkonfiguration: Einfach Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 Kontinuierlicher Durchlassstrom If: 20 Produktpalette: - SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

