Продукція > TK1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D,S5Q(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50D5ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50DR(STA4,X,MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.49 грн
11+71.36 грн
25+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50DR(STA4,X,MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S4X(SToshibaMOSFET POWER MOSFET N CH 250V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50E,S5XToshibaMOSFET PLN MOS 500V 520mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.88 грн
10+143.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 255673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+52.66 грн
1000+48.56 грн
10000+43.29 грн
100000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.62 грн
10+128.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50W,S5X(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A50WS5X(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 550V 45W 1550pF 0.57
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A55D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+407.22 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.28 грн
10+166.03 грн
50+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 12A 600V 45W 1800pF 0.55
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,Q,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60D(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.45 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.52 грн
10+77.13 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60D(STA4,X,S)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(LS1CNO,AQToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+258.08 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(Q,M)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-CH 600V, 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(S4PHIL,QMToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,A,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch DTMOS II RDS 0.36 Ohm Yfs 7.0
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,LS1NA1Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,S5HILQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX
Код товару: 173725
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.76 грн
10+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; Idm: 46A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D
Код товару: 184921
3 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220SIS
Напруга сток-витік Uds, В: 650 В
Струм стоку Idd, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,46 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2300/40
Монтаж: THT
у наявності: 81 шт
  • 42 шт - склад
  • 39 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.41 грн
10+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
на замовлення 2143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.40 грн
10+211.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80WS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 12A 600V 144W 720pF 0.4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
10+121.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 110W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TEAL,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60W,S1VEToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60W,S1VE(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60WS1VQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaMOSFETs X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.95 грн
10+116.44 грн
50+88.56 грн
100+74.66 грн
500+59.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.