Продукція > TK1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK12A60U(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,LS1NA1Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,S5HILQ(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60U,S5Q(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.16 грн
50+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaMOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX
Код товару: 173725
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 35W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60W,S5VX(JToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WS4VX(MToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D
Код товару: 184921
3 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220SIS
Напруга сток-витік Uds, V: 650 V
Струм стоку Idd, A: 12 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,46 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2300/40
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
  • 61 шт - склад
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65DToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D
на замовлення 4047 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.30 грн
10+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A65D(STA4,Q,M)ToshibaN-Channel MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80WToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 45W
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80W,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12A80W,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12A80WS4X(SToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60U,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 12A 600V 144W 720pF 0.4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.18 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaMOSFETs N-Ch 11.5A 110W FET 600V 890pF 25nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.30 грн
50+123.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E60W,S1VX(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshibaMOSFETs N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 570µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12E80W,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12E80W,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11.5 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 165W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60UToshibaMOSFET Super Junction Power Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(F)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TEAL,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TEKR,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(S1TET,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60U(STA1,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60WToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60W,S1VEToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60W,S1VE(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12J60WS1VQ(OToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.63 грн
10+118.72 грн
100+81.62 грн
500+61.70 грн
1000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P50W,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P50W,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.18 грн
10+119.84 грн
100+82.37 грн
500+62.24 грн
1000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 5230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.69 грн
105+135.54 грн
110+129.65 грн
200+117.06 грн
500+107.34 грн
1000+88.50 грн
2000+78.90 грн
4000+76.88 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12P60W.RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.5A; 100W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 265mΩ
Power dissipation: 100W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaMOSFETs DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11.5A 5-Pin DFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 600µA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60W,LVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK12V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.5 A, 0.265 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.265ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.265ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12V60WLVQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-004Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 6A SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm Thermal Overload Relay
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3753.31 грн
5+3511.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-005Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm Socket Thermal Overload Relay
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-006Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A SPST-NO/SPST-NC(55x45x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3753.31 грн
5+3511.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-1P7Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay SPST-NO/SPST-NC(45x50x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3753.31 грн
5+3511.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P10Fuji Electric CorporationTK12W-P10
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3595.18 грн
5+3378.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P24Fuji Electric CorporationElectromechanical Relay 5A DPDT(45x61.5)mm DIN Rail Thermal Overload Relay
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3753.31 грн
5+3511.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12W-P95Fuji Electric CorporationMini Contactors and Thermal Overload Relays
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3595.18 грн
5+3378.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12X60U(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK12X60U(TE24L,Q)ToshibaMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1305800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1305800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 13P SIDE ENTRY 5MM PCB
Positions Per Level: 13
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Part Status: Active
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1995 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK13058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2040 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK1312TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 2pin plug,both sides; 12m; black; 0.25mm2
Version: mono
Core section: 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Cable/adapter structure: both sides; Jack 6,3mm 2pin plug
Type of connection cable: Jack - Jack
Enclosure material: metal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK1330-NP/C-ALilliput Electronics (USA) Inc.Description: MONITOR 13.30" NON-TOUCH
Packaging: Retail Package
Interface: AV, DVI, HDMI, VGA
Dot Pixels: 1920 x 1080
Diagonal Screen Size: 13.30" (337.82mm)
Touchscreen: Non-Touch
Part Status: Active
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17591.18 грн
5+16024.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20  [ Наступна Сторінка >> ]