Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF Код товару: 180301
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2 Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN2X2 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.1W Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 25V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBFTR | Infineon Technologies | Description: IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S Packaging: Bulk Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9301 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9301TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V | на замовлення 22252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 33510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 37mOhms 6.9nC | на замовлення 28042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 6A/13A 6PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 13A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13 A, 0.03 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 33510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9301TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9351TR2PBF Код товару: 57893
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFHS9351TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX | на замовлення 6267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 10667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS9351TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.135 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.135ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.135ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN Part Status: Active Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFHS9351TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010N | International Rectifier | N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI1010NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 49 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 44A 12mOhm 86.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB FP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310N | International Rectifier | N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310N | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO220-FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 9087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 17875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 24A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V | на замовлення 3603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 21087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI1310NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 22 A, 0.036 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC | на замовлення 5063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 11077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI1310NPBF Код товару: 182563
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI2807 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 75V 40A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3205 | International Rectifier | N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205 Код товару: 83093
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 55 V Idd,A: 64 A Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4000/170 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFI3205G | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP Case: TO220FP Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 113.3nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 48W Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI3205PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 8000 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 55V 64A 8mOhm 113.3nC | на замовлення 2594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | International Rectifier | TO-220 Full Pack, MOSFET N-CH 55V 64A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V | на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 6039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3205PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 796 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | International Rectifier | Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 13473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI3306GPBF - IRFI3306G 60V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 71A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI3306GPBF | Infineon / IR | MOSFET TRENCH 40<-<100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

