Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFI4110GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4110GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4110GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4121H-117P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H | IR | на замовлення 5878 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT DUAL NCh 100V 11A 5-Pin | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFI4212H-117P - IRFI4212 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | International Rectifier | MOSFET 2N-CH 100V 11A TO-220FP-5 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P Код товару: 34541
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 11 А Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 490/12 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 11A; 18W; TO220FP-5 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 18W Case: TO220FP-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 18W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117P | IRFI4212H-117P Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 7W Case: TO220-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 18W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Packaging: Tube Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 1176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227 | International Rectifier | N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 38 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227 | International Rectifier | N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 3015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 16410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 26A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF Код товару: 126426
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 26 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 26 Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr Verlustleistung Pd: 46 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 46 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 15360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 3933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 13130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC | на замовлення 5594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 12130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 5933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4228PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 150V 34A 16mOhm 73nC | на замовлення 914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4228PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4228PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4228PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.0122 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 34 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 46 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4228PBF-IR | International Rectifier | Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229 | International Rectifier | N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon | MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC | на замовлення 3959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4229PBF | Infineon Technologies | IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com | на замовлення 3830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321 | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 34 A, 0.016 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm | на замовлення 1942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | на замовлення 17670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 50 V | на замовлення 2538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 34A 16mOhm 73nC | на замовлення 3823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FP Tube | на замовлення 17670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 34A Power dissipation: 46W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410Z | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 1312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 47W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF Код товару: 54322
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFI4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4510GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2998 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFI4510GPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

