Продукція > BSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.06 грн
250+65.35 грн
1000+59.25 грн
3000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
на замовлення 14465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.59 грн
124+114.58 грн
250+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.42 грн
40+19.12 грн
100+18.14 грн
250+16.53 грн
500+15.61 грн
1000+15.34 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 95A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
у наявності 4380 шт:
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.27 грн
10000+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+19.12 грн
752+18.81 грн
765+18.51 грн
777+17.56 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.69 грн
50+67.06 грн
250+65.35 грн
1000+59.25 грн
3000+53.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+136.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.29 грн
100+142.30 грн
107+132.68 грн
108+126.66 грн
124+101.87 грн
250+66.61 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N3SINFINEON
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NS GInfineon
на замовлення 365000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 121241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGINFINEON0925+ TDSON-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.18 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.25 грн
500+26.46 грн
1000+24.02 грн
2000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.40 грн
249+56.93 грн
500+48.56 грн
1000+35.66 грн
2500+30.33 грн
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.34 грн
11+73.40 грн
100+56.93 грн
500+46.83 грн
1000+33.02 грн
2500+29.12 грн
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 43186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.43 грн
207+68.41 грн
242+58.54 грн
255+53.55 грн
500+46.37 грн
1000+41.84 грн
5000+36.79 грн
10000+34.52 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
15+54.30 грн
100+35.77 грн
500+25.81 грн
1000+19.86 грн
5000+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Power dissipation: 57W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 81A
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSINF09+
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 8171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LS GInfineonMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGInfineon technologies
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+55.70 грн
100+38.55 грн
500+30.23 грн
1000+25.73 грн
2000+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSINF09+
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MS GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGInfineon
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+66.35 грн
100+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.81 грн
14+56.91 грн
25+55.00 грн
100+43.63 грн
250+38.40 грн
500+33.84 грн
1000+29.26 грн
3000+27.56 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08N
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3 G
Код товару: 216831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GInfineonMOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
50+131.68 грн
250+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.19 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 75874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+117.37 грн
100+80.49 грн
500+60.72 грн
1000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+131.68 грн
250+97.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0580NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0580NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0588NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSC0588- N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+133.54 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SINF09+
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 17.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03S GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 17.5A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03S GInfineon09+
на замовлення 651 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SGINFINION
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SGAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03STInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 89A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03STInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS
Код товару: 147868
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS GInfineon
на замовлення 305000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.89 грн
128+110.71 грн
250+106.26 грн
500+98.77 грн
1000+88.47 грн
2500+82.42 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 7638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
250+54.95 грн
1000+34.57 грн
3000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1
Код товару: 216795
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.11 грн
10+61.29 грн
100+40.60 грн
500+29.76 грн
1000+27.08 грн
2000+24.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 6053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
786+45.02 грн
1000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 5900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 7638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.18 грн
50+82.91 грн
250+54.95 грн
1000+34.57 грн
3000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.05 грн
10+82.29 грн
100+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 19778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.76 грн
10000+22.23 грн
15000+21.41 грн
25000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LS6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.05 грн
172+82.29 грн
247+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 16A 8-TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 73A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+102.74 грн
204+69.44 грн
298+47.48 грн
500+34.31 грн
1000+27.47 грн
2500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.29 грн
100+35.11 грн
500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC059N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 73 A, 5900 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
на замовлення 19369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.67 грн
13+64.95 грн
100+43.41 грн
500+31.63 грн
1000+25.85 грн
5000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.74 грн
11+69.44 грн
100+47.48 грн
500+34.31 грн
1000+27.47 грн
2500+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N3SINFINEON08+
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0600NSATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC0600NSATMA1 - BSC0600N - N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0600NSATMA1Infineon TechnologiesBSC0600NSATMA1
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0602NSATMA1Infineon TechnologiesBSC0602NSATMA1
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.43 грн
1053+33.60 грн
10000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44  [ Наступна Сторінка >> ]