Продукція > BSC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.80 грн
10+132.37 грн
50+101.35 грн
100+85.72 грн
500+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 13236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+91.23 грн
158+89.94 грн
160+88.65 грн
163+84.24 грн
250+76.85 грн
500+72.67 грн
1000+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.75 грн
500+127.58 грн
1000+117.65 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+60.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N10NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineonMOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+70.53 грн
250+67.69 грн
500+65.25 грн
1000+60.87 грн
2500+54.69 грн
5000+51.09 грн
Мінімальне замовлення: 201 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.32 грн
15000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
415+34.21 грн
416+34.11 грн
500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 415 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1
Код товару: 116189
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 12 V
на замовлення 16425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.12 грн
10+41.51 грн
50+30.57 грн
100+25.36 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.44 грн
39+19.41 грн
100+18.53 грн
250+16.98 грн
500+16.14 грн
1000+15.68 грн
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC050NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 58 A, 5000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050NE2LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.34 грн
709+20.02 грн
711+19.96 грн
735+18.61 грн
1000+16.47 грн
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 57A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 3374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.63 грн
50+31.44 грн
100+26.09 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03LSATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 57 A, 4300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03SINF09+
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03S GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N03SGINF07+;
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5Infineon
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5InfineonMOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
у наявності 4380 шт:
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+19.16 грн
752+18.85 грн
765+18.55 грн
777+17.60 грн
1000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 95A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+137.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 95A TDSON-8
на замовлення 12999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+210.76 грн
100+142.62 грн
107+132.97 грн
108+126.94 грн
124+102.09 грн
250+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC052N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 95 A, 5200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 5516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 47.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.21 грн
10+98.49 грн
50+74.62 грн
100+62.81 грн
500+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+131.12 грн
500+118.01 грн
1000+108.83 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+126.88 грн
124+114.84 грн
250+106.50 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 95A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+19.47 грн
40+19.16 грн
100+18.18 грн
250+16.56 грн
500+15.64 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N3SINFINEON
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 119947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGINFINEON0925+ TDSON-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.54 грн
11+73.56 грн
100+57.06 грн
500+46.93 грн
1000+33.09 грн
2500+29.18 грн
5000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 13700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+80.61 грн
207+68.56 грн
242+58.68 грн
255+53.67 грн
500+46.47 грн
1000+41.93 грн
5000+36.87 грн
10000+34.60 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 81A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 43175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+96.39 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC054N04NSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 81 A, 5400 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 5031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.52 грн
50+28.30 грн
100+23.45 грн
500+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.56 грн
249+57.06 грн
500+48.67 грн
1000+35.74 грн
2500+30.40 грн
5000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC054N04NSGATMA1InfineonMOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSINF09+
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LS GInfineonMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGInfineon technologies
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+55.19 грн
100+38.19 грн
500+29.95 грн
1000+25.49 грн
2000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03LSGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSINF09+
на замовлення 3772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MS GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 71A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGInfineon
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.66 грн
10+65.74 грн
100+50.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.96 грн
14+57.04 грн
25+55.12 грн
100+43.73 грн
250+38.48 грн
500+33.91 грн
1000+29.32 грн
3000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/71A TDSON
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N03MSGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08N
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3 G
Код товару: 216831
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GInfineon technologies
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GInfineonMOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 12801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
232+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 232 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.98 грн
10+102.91 грн
50+77.93 грн
100+65.58 грн
500+52.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC057N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC057N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0580NSATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0580NSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0588NSIATMA1Infineon TechnologiesDescription: BSC0588- N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+132.32 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N03SINF09+
на замовлення 17010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.