Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MT3S04AT(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S04C
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S04STOSHIBA09+
на замовлення 96018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S04S(T5LALPSS,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S04TTOSHIBA07+ SOT-523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S04T/AE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S05AFS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S05T
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06STOSHIBA07+PB SOT-523
на замовлення 216000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06TTOS09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06T(T5LALPSS,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06T(TE85L)TOSHIBASOT416-AC
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06T(TE85L) SOT416-ACTOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06T(TE85L)SOT416-ACTOSHIBA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06T(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S06U
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07TOSHIBA08+ .
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07FS
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07S
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07T(TE85L)
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S07T/AD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S08C
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S08FS
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S08T
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S105FS
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S106TOSHIBASOT-23 0839+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S106T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
14+58.77 грн
100+41.46 грн
500+30.72 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
10+30.57 грн
25+28.80 грн
100+24.75 грн
250+23.36 грн
500+22.39 грн
1000+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW
на замовлення 5878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F)TOSHIBADescription: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 700mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.46 грн
500+30.72 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1W
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F)ToshibaTrans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Frequency - Transition: 10GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF(BToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TU,LF(BToshibaVHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S111TULF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 12.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Packaging: Cut Tape (CT)
Gain: 11.8dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+44.23 грн
25+39.97 грн
100+32.82 грн
250+28.80 грн
500+25.45 грн
1000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI
Part Status: Active
Supplier Device Package: S-Mini
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Frequency - Transition: 12.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 800mW
Gain: 11.8dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113PTOSHIBA10+ SOT-89
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1.6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1.6W
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 7.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: PW-MINI
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LFToshibaRF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+40.53 грн
25+36.59 грн
100+30.03 грн
250+26.36 грн
500+23.29 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LFToshibaTrans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S113TU,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 900mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition: 11.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz
Supplier Device Package: UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S11CT
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S12TTOSHIBASOT523
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S14FS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S14T
на замовлення 23580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150PTOSHIBASOT89
на замовлення 20418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(T2LALPS1F)TOSHIBASOT89
на замовлення 971 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12L,F)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12L.F)TOSHIBASOT89-MP
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12L.F) SOT89-TOSHIBA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12L.F)SOT89-MPTOSHIBA
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12LF)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150P(TE12LЈ¬F)TOS05PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S150PTE12L
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15OP
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S15TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S16U(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S18T
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P(TE12L,F)ToshibaRF Bipolar Transistors X34 Pb-FREE PW-MINI DIODE
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L)ToshibaRF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S20TU(TE85L)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S21P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S22P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S35T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S37T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S41TOSHIBASOT523
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S45TTOSHIBASOT523
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MT3S46T
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14