Продукція > MT3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT3S04AT(TE85L) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2728 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S04C | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S04S | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 96018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S04S(T5LALPSS,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S04T | TOSHIBA | 07+ SOT-523 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S04T/AE | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S05AFS | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S05T | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S06S | TOSHIBA | 07+PB SOT-523 | на замовлення 216000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S06T | TOS | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S06T(T5LALPSS,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 806 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S06T(TE85L) | TOSHIBA | SOT416-AC | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S06T(TE85L) SOT416-AC | TOSHIBA | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT3S06T(TE85L)SOT416-AC | TOSHIBA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT3S06T(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 3708 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S06U | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S07 | TOSHIBA | 08+ . | на замовлення 512 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S07FS | на замовлення 9660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S07S | на замовлення 2423 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S07T | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S07T(TE85L) | на замовлення 34500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S07T/AD | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S08C | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S08FS | на замовлення 3768 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S08T | на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S105FS | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S106 | TOSHIBA | SOT-23 0839+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S106T | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S111(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 700mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active | на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S111(TE85L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 700mW | на замовлення 5878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 700mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-236 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ S MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 700mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.5GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111P | на замовлення 21600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1W | на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba | Trans RF BJT NPN 6V 0.1A 300mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1W Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 800mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: UFM Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz Frequency - Transition: 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM Part Status: Active Supplier Device Package: UFM Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz Frequency - Transition: 10GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 800mW Gain: 12.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111TU,LF(B | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT3S111TU,LF(B | Toshiba | VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Application | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 198 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S111TULF(T | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Frequency - Transition: 12.5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 800mW Packaging: Cut Tape (CT) Gain: 11.8dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | на замовлення 1617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI Part Status: Active Supplier Device Package: S-Mini Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Frequency - Transition: 12.5GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 800mW Gain: 11.8dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113(TE85L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 800mW | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113P | TOSHIBA | 10+ SOT-89 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 7.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 1.6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 7.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113TU,LF | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Bipolar Transistor .1A 900mW | на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 900mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: UFM | на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| MT3S113TU,LF | Toshiba | Trans RF BJT NPN 5.3V 0.1A 900mW 3-Pin UFM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S113TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 900mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Frequency - Transition: 11.2GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Supplier Device Package: UFM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S11CT | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S12T | TOSHIBA | SOT523 | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S14FS | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S14T | на замовлення 23580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S150P | TOSHIBA | SOT89 | на замовлення 20418 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S150P(T2LALPS1F) | TOSHIBA | SOT89 | на замовлення 971 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S150P(TE12L,F) | на замовлення 96000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S150P(TE12L.F) | TOSHIBA | SOT89-MP | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S150P(TE12L.F) SOT89- | TOSHIBA | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT3S150P(TE12L.F)SOT89-MP | TOSHIBA | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MT3S150P(TE12LF) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S150P(TE12LЈ¬F) | TOS | 05PB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S150PTE12L | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S15OP | на замовлення 1790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S15TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S15TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S15TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 6V 1GHZ UFM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM | на замовлення 8876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz | на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S16U(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM | на замовлення 8876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S18T | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S20P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S20P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI | на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20P(TE12L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors X34 Pb-FREE PW-MINI DIODE | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM | на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM | на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba | RF Bipolar Transistors Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S21P | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S22P | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S35T | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S37T | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MT3S41 | TOSHIBA | SOT523 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S45T | TOSHIBA | SOT523 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MT3S46T | на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

