Продукція > NTD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTD60N02RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RT4GONTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RT4GonsemiMOSFET 25V 62A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02RT4HonsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02T4
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02T4G
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N02T4G************
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03onsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTD60N03-001 - MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 29240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+39.26 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-1
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03RT4G
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 56559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
956+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 956 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03T4onsemiDescription: MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03T4onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03T4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03T4G
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANonsemiON Semiconductor NFET DPAK 100V 34A 38MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 15800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+56.87 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414AN-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.83 грн
25+39.32 грн
100+27.53 грн
500+25.55 грн
1000+22.73 грн
2500+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414AN-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6414AN-1G - NTD6414AN-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
675+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6414ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.35 грн
50+72.99 грн
100+61.78 грн
500+45.51 грн
1000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.95 грн
10+66.35 грн
100+44.30 грн
500+32.69 грн
1000+29.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 34A 37MO
на замовлення 5012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 117A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415AN-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.81 грн
25+134.83 грн
100+99.00 грн
500+71.83 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GonsemiMOSFETs 100V HD3E NCH
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.03 грн
500+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GON Semiconductor
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.80 грн
100+78.91 грн
500+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
10+98.35 грн
100+75.03 грн
500+61.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANT4GON Semiconductor
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANonsemi NFET DPAK 100V 19A 96MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416AN-1GON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416AN-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANL-1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.35 грн
25+34.13 грн
100+23.95 грн
500+22.19 грн
1000+19.78 грн
2500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANL-1GON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANL-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
On-state resistance: 74mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 106MO
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.43 грн
500+45.97 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+82.65 грн
100+55.63 грн
500+41.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.074 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.31 грн
50+93.48 грн
100+62.43 грн
500+45.97 грн
1000+39.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.36 грн
250+73.57 грн
1000+58.98 грн
2500+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.06 грн
17+46.27 грн
25+46.24 грн
100+44.32 грн
250+40.78 грн
500+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
на замовлення 28645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.18 грн
10+84.54 грн
100+57.14 грн
500+43.02 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+46.95 грн
304+46.58 грн
307+46.18 грн
309+44.15 грн
500+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.51 грн
5000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.14 грн
500+43.02 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+60.84 грн
100+45.38 грн
500+38.11 грн
1000+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 81mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-035onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-1GON07+;
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A IPAK
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 5911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03R-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 524038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 2049 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RT4onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RT4
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RT4GON07+;
на замовлення 69950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD65N03RT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
на замовлення 123250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600N
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600NON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600N-001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600N-1GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600N-1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600NT4ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6600NT4GON07+;
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6N10
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]