Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFI9Z24NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 9.5A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GSiliconixP-MOSFET 60V 12A 42W IRFI9Z34G Vishay TIRFI9z34g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34G(транзистор)
Код товару: 55856
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.75 грн
9+85.14 грн
10+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+88.97 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 12A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.50 грн
50+87.80 грн
100+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.21 грн
90+158.06 грн
250+137.93 грн
500+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF
Код товару: 42009
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 12 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,14 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 1100/34
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 9 шт
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+132.00 грн
10+118.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+89.06 грн
Мінімальне замовлення: 850 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.72 грн
10+73.64 грн
50+69.45 грн
100+66.94 грн
250+61.92 грн
500+58.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFI9Z34GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.14 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishayTrans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 P-CH 60V 12A
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB41N15DInternational RectifierN-MOSFET 150V 41A IRFIB41N15D Infineon TIRFIB41n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB41N15DPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFIB41N15DPBF - IRFIB4115 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB41N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 41A TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB41N15DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65ATO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65A(94-3185)
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65A-38IR2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.98 грн
21+37.24 грн
25+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBFIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBFVishayTrans MOSFET N-CH 650V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB5N65APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 650V 5.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60IR09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60AVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIB6N60APBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60AVishayN-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+64.88 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.21 грн
10+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+262.23 грн
10+175.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.21 грн
68+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.05 грн
50+186.92 грн
100+170.26 грн
500+132.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+256.32 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50AТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50AVishayN-MOSFET 500V 6.6A 60W IRFIB7N50A Vishay TIRFIB7n50a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+184.32 грн
100+177.02 грн
500+172.76 грн
1000+166.25 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBF
Код товару: 47154
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+143.69 грн
100+142.31 грн
106+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+349.32 грн
10+227.67 грн
25+225.42 грн
50+203.48 грн
100+173.71 грн
500+153.86 грн
1000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.32 грн
62+227.67 грн
63+225.42 грн
67+203.48 грн
100+173.71 грн
500+153.86 грн
1000+118.38 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.11 грн
50+172.14 грн
100+156.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+139.00 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.15 грн
50+138.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N50LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB7N60IRTO-220F
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB8N50KPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC20GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GVishayN-MOSFET 600V 1.7A 30W IRFIBC20G Vishay TIRFIBC20g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay DaleTO220AB (аналог 2SK2761) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.57 грн
50+119.04 грн
100+107.62 грн
500+82.19 грн
1000+76.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC20GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishayN-MOSFET 600V 2.5A 35W IRFIBC30G Vishay TIRFIBC30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFIBC30GPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30G
Код товару: 125659
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+103.87 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.50 грн
250+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF
Код товару: 127485
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+103.32 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.84 грн
16+49.80 грн
100+47.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.90 грн
50+109.34 грн
100+93.72 грн
500+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishayN-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40G
Код товару: 83096
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 3,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC40GLCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]