Продукція > MBR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MBRT120150R | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 150V 120A Reverse | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT120150R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 150V 60A 3TOWER Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12020 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12020 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 20V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12020 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 20V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 20V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT120200 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 200V 120A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT120200 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER Packaging: Bulk Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT120200R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 200V 120A Reverse | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT120200R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 200V 60A 3TOWER Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12020R | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 20V; If: 60Ax2; TO240AB; screw Max. off-state voltage: 20V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common anode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12020R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 20P/14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12020R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 20V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky, Reverse Polarity Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12030 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 30V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 30V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12030 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12030 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 30V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12030R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 30V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky, Reverse Polarity Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12030R | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 30V; If: 60Ax2; TO240AB; screw Max. off-state voltage: 30V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common anode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12030R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 30P/21 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12035 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 35V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 35V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12035 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12035 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 35V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12035R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 35P/25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12035R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 35V 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky, Reverse Polarity Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12035R | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 35V; If: 60Ax2; TO240AB; screw Max. off-state voltage: 35V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common anode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12040 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 40V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 40V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12040 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12040 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 40V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12040R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 40P/28 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12040R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 40V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 40 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12045 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 45V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12045 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P32R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12045 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 45V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 45V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.7V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12045R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 45P/32 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12045R | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 45V; If: 60Ax2; TO240AB; screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: common anode; double Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Case: TO240AB Features of semiconductor devices: Schottky Max. forward voltage: 0.7V Max. off-state voltage: 45V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12045R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 45V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky, Reverse Polarity Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12060 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12060 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 60V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 60V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.75V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12060 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 60V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12060R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 60P42R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12060R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 60V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 60 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12080 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12080 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 80V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12080 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 80V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 80V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.84V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12080R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 80V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 80 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12080R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 120A 80P57R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12090 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 90V; If: 60Ax2; TO240AB Max. off-state voltage: 90V Load current: 60A x2 Max. forward impulse current: 0.8kA Electrical mounting: screw Case: TO240AB Mechanical mounting: screw Max. forward voltage: 0.84V Features of semiconductor devices: Schottky Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT12090 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 90V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 90 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT12090R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 90V 60A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 90 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT121150R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 150V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky, Reverse Polarity Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT121200 | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 200V 60A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT200100 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT200100 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200100R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200100R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200150 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200150 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200150R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 150V 200A Reverse | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200150R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 150V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Forward | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 200V; If: 100Ax2; TO240AB Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB Max. forward voltage: 0.92V Load current: 100A x2 Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 1.5kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 200A Reverse | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200R | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common anode; 200V; If: 100Ax2; TO240AB Semiconductor structure: common anode; double Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB Max. forward voltage: 0.92V Load current: 100A x2 Max. off-state voltage: 200V Max. forward impulse current: 1.5kA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT200200R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOT 200V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 20P/14 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20030 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 30V 100A 3TOWER Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20030R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 30P/21 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20035 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 35V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20035R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT20040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 40V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20040R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 40V 100A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20045 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules 45V 200A Schottky Recovery | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 45V 200A Schottky Recovery | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20045R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 45V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT20060 | GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Schottky 60V 200A 3-Pin Three Tower | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 100A 3TOWER Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Part Status: Active | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT20060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 60V 200A Schottky Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20080 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 100A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20080R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A 80P57R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT20090R | DACO Semiconductor | Description: DIODE MODULE SCHOTTKY 90V 100A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 90 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 90 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT300100 | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 100V 150A 3TOWER Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT300100R | GeneSiC Semiconductor | Diode Modules SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 300A100P/70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MBRT300150 | DACO Semiconductor | Category: Diode modules Description: Module: diode; double,common cathode; 150V; If: 150Ax2; TO240AB Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Features of semiconductor devices: Schottky Case: TO240AB Max. forward voltage: 0.88V Max. off-state voltage: 150V Load current: 150A x2 Max. forward impulse current: 2kA Semiconductor structure: common cathode; double Type of semiconductor module: diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |