Продукція > IPB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
500+220.40 грн
1000+208.62 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+178.20 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L-07infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+187.10 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
10000+197.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
10000+197.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S3-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S3-05(транзистор)
Код товару: 94630
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 4.8mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.83 грн
10+277.40 грн
25+272.97 грн
100+258.95 грн
250+235.81 грн
500+222.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.37 грн
10+301.39 грн
50+238.30 грн
100+204.57 грн
500+191.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+277.40 грн
52+272.97 грн
100+258.95 грн
250+235.81 грн
500+222.66 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+508.52 грн
39+371.09 грн
100+275.52 грн
500+235.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.26 грн
10+291.12 грн
50+229.26 грн
100+196.49 грн
500+169.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.64 грн
10+370.46 грн
100+275.05 грн
500+234.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.62 грн
3000+156.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.IPB107N20N3
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+453.75 грн
1000+424.90 грн
1500+405.15 грн
2000+348.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 GINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 200V; 88A; Idm: 352A; 300W; D2PAK-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 352A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+541.90 грн
10+454.55 грн
30+421.84 грн
50+415.13 грн
60+414.29 грн
100+369.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.20 грн
25+740.37 грн
50+710.57 грн
100+661.03 грн
250+593.08 грн
500+553.76 грн
1000+540.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GInfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+326.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+237.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+289.94 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.46 грн
10+418.73 грн
50+336.62 грн
100+298.52 грн
500+260.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 12585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.77 грн
10+288.93 грн
50+228.23 грн
100+195.85 грн
500+182.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+600.49 грн
34+419.46 грн
50+337.20 грн
100+299.03 грн
500+261.18 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+240.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 5143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.40 грн
10+288.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10.7mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+215.31 грн
3000+195.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.78 грн
10+622.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB107N20NAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+862.78 грн
23+622.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAXTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3 G
Код товару: 160753
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 2111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 10.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 214W
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 83A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB108N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0108 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+166.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.94 грн
3000+104.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.23 грн
10+254.59 грн
100+187.18 грн
500+152.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+163.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.