Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 115W; D2PAK-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK-3
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 115W
Drain current: 100A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 115W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.37 грн
3000+86.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S03-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.58 грн
500+209.80 грн
1000+198.01 грн
10000+179.57 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.79 грн
52+275.08 грн
55+258.00 грн
100+235.00 грн
500+210.11 грн
1000+199.03 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N06S205ATMA4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+221.58 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.23 грн
10+274.61 грн
25+257.55 грн
100+234.59 грн
500+209.75 грн
1000+198.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
на замовлення 44627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+169.97 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L-05Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+228.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.46 грн
10+276.51 грн
25+259.22 грн
100+236.21 грн
500+211.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
10000+180.71 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.59 грн
10+399.98 грн
25+388.10 грн
100+310.95 грн
250+276.89 грн
500+231.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+263.63 грн
59+240.06 грн
62+228.84 грн
100+213.40 грн
500+192.28 грн
1000+180.15 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+447.59 грн
36+399.98 грн
37+388.10 грн
100+310.95 грн
250+276.89 грн
500+231.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+328.03 грн
52+276.99 грн
55+259.67 грн
100+236.61 грн
500+211.61 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.63 грн
10+240.06 грн
25+228.84 грн
100+213.40 грн
500+192.28 грн
1000+180.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+210.97 грн
1000+199.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS™
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 224 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14230 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-03
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S3L-04Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17270 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2-03infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+178.20 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S207ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+233.37 грн
500+220.40 грн
1000+208.62 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L-07infineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L-07Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
10000+197.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+187.10 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 13976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+243.98 грн
500+231.01 грн
1000+218.05 грн
10000+197.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S3-05Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S3-05(транзистор)
Код товару: 94630
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.83 грн
10+277.40 грн
25+272.97 грн
100+258.95 грн
250+235.81 грн
500+222.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.37 грн
10+301.39 грн
50+238.30 грн
100+204.57 грн
500+191.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: PG-TO263-3-2
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 300W
Technology: OptiMOS® -T
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+298.19 грн
500+281.69 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+277.40 грн
52+272.97 грн
100+258.95 грн
250+235.81 грн
500+222.66 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+508.52 грн
39+371.09 грн
100+275.52 грн
500+235.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.26 грн
10+291.12 грн
50+229.26 грн
100+196.49 грн
500+169.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+507.64 грн
10+370.46 грн
100+275.05 грн
500+234.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB100N12S305ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 0.004 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.62 грн
3000+156.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(120V 300V)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N12S305ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(120V 300V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11570 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100P03P3L-04Infineon TechnologiesDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 475µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.IPB107N20N3
на замовлення 20400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+453.75 грн
1000+424.90 грн
1500+405.15 грн
2000+348.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+776.20 грн
25+740.37 грн
50+710.57 грн
100+661.03 грн
250+593.08 грн
500+553.76 грн
1000+540.32 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GInfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1; IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+326.38 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]