Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLB4030 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 87nC Technology: HEXFET® | на замовлення 167 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 8208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC | на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | на замовлення 7183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF Код товару: 83396
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 100 V Струм стоку Idd, A: 180 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,4 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 11360/87 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4030PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRLB4030PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 150A; 140W; -55°C ~ 175°C; IRLB4132 TIRLB4132 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB4132PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF Код товару: 86447
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 150 A Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 49 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement | на замовлення 1992 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V | на замовлення 5613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB4132PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon | N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори | на замовлення 75 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A | на замовлення 157 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET UP TO 60V | на замовлення 3332 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 17962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8314PBF Код товару: 145201
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLB8721 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 100A; 90W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8721; SP001558140; IRLB8721-CN CHIPNOBO TIRLB8721 CNB кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8721PBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 62A, TO220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | VBSEMI | Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 62 А, Ptot, Вт = 65, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1077 @ 15, Qg, нКл = 13 @ 4,5 В, Rds = 8,7 мОм @ 31 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2,35 В @ 25 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF Код товару: 182469
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8721PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743 | Infineon | N-MOSFET 78A 30V 140W 0.0032Ω IRLB8743 TIRLB8743 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743 | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 2,9mOhm; 140A; 250W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLB8743; SP001572884; IRLB8743 JSMICRO TIRLB8743 JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743-VB | VBsemi | 30V 140A 3.75W 2m?@10V,38.8A 1V TO-220AB MOSFETs IRLB8743-VB TO-220AB VBsemi Elec TIRLB8743 VBS кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF Код товару: 124979
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 78 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 5110/36 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 15 V | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF Код товару: 190955
Додати до обраних
Обраний товар
| JSMICRO | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 110 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 2,9 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6201/171 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 78A 3.2mOhm 36nC Qg | на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 150A, 140W, TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 36nC Technology: HEXFET® | на замовлення 971 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8748 | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 92A; 75W; -55°C ~ 175°C; IRLB8748 TIRLB8748 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 78A 4.8mOhm 15nC Qg | на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon | MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 92A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2139 pF @ 15 V | на замовлення 14480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF Код товару: 100095
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 78 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,8 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2139pF/15V Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT | у наявності: 36 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLB8748PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 75W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm | на замовлення 1307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 209 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 92, Ciss, пФ @ Uds, В = 2139 @ 15, Qg, нКл = 23, Rds = 4.8 мОм @ 40А, Ugs(th) = 2,35, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 75, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = THT,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLB8748PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 92A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLBA1304 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLBA1304 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-273AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLBA1304 транзистор Код товару: 59934
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLBA1304P | Infineon | MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLBA1304P | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SUPER-220™ (TO-273AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-273AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLBA1304P Код товару: 104502
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542399000 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

