Продукція > SI1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI1401EDH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 P-CH 12V 4A
на замовлення 53936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si1401EDH-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1401EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4 A, 0.034 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.56 грн
25+32.39 грн
100+20.81 грн
500+13.51 грн
1000+11.23 грн
5000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 10V Vgs SC70-6
на замовлення 9860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 11564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+30.07 грн
100+19.30 грн
500+13.77 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.94 грн
6000+9.64 грн
9000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1402DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.69 грн
6000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1403BDL-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 20V, 1.4A, SC-70
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.07 грн
25+34.39 грн
50+29.89 грн
100+23.43 грн
250+19.36 грн
500+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.47 грн
10+32.09 грн
100+20.71 грн
500+14.84 грн
1000+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-BE3VishayMOSFETs SC70 P CHAN 2.5V
на замовлення 29645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
10+31.12 грн
100+20.08 грн
500+14.38 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 568mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
на замовлення 32996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs SC-70
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
10+31.34 грн
100+20.21 грн
500+14.47 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403BDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si1403CDL-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1403CDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.1 A, 0.116 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.6W; SC70-6,SOT363
Case: SC70-6; SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DLVISHAY
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DL-T1SI02+ SOT-323-6
на замовлення 45999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DL-T1(OAY)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DL-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DL-T1-GE3
на замовлення 7930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403DL-TISI02+ SOT-323-6
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 1.9A 2.25W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-E3
на замовлення 2666 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1404DH-T1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1VISHAYSOT363
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1(OBD)
на замовлення 16612 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405DL-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DHVISHAY
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1VISHAY2004
на замовлення 38350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3VISHAY
на замовлення 114200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1/ABU
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407DLSI02+ SOT-323-6
на замовлення 126999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407DL-T1VISHAY
на замовлення 30200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407DL-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407DL-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 1.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407DL-T1/OCL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1407L-T1-E3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI140ACT64SILICON0004+ QFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDHSI02+ SOT-323-6
на замовлення 93999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1VISHAY
на замовлення 9876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1-E3VISHAY05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1410EDH-TI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI14114G-BMR2003 BGA
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT363 150V .52A P-CH MOSFET
на замовлення 12537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs SC70-6
на замовлення 12187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
на замовлення 8502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.68 грн
100+38.08 грн
500+27.84 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.05 грн
13+61.44 грн
25+56.59 грн
100+43.27 грн
250+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.38A; 0.81W
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.38A
Gate charge: 4.2nC
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.81W
On-state resistance: 2.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC70-6; SOT363
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420mA (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Type: P-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.20 грн
15+56.41 грн
100+37.21 грн
500+26.94 грн
1000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.42A 6-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1411DH-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI1411DH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 420 mA, 2.05 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.05ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.80 грн
500+34.47 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DHVISHAY
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DHVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.9A 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1VISHAY2003
на замовлення 45900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.9A 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 100µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413DH-T1/BCZ
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDHSI
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]