Продукція > STS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STS5PF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 8SO Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 2.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF20V | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L | на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS5PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L | STMicroelectronics | MOSFETs P-Ch 30 Volt 5 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L | STM | P-CH 30В 5А 0,07Om SO-8 IRF7204 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L/E | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS6DNF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6DNF30V | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS6DNF3LL | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 20 Volt 6 Amp | на замовлення 16528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 5694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | ST | N-MOSFET 6A 20V 2.5W STS6NF20V STM TSTS6NF20V кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET | на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS6PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6PF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6PF30L | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7.0LF200QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7.0LF200QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7.0LF260QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 48V Part Status: Active Actuator Orientation: Top Actuated Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Outline: 7.20mm x 7.20mm Operating Force: 260gf Actuator Type: Standard Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Illumination: Non-Illuminated Termination Style: Gull Wing Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Switch Function: Off-Mom Circuit: SPST-NO Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7.0LF260QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 48V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 260gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS700 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches | Description: 6.0 X 6.0 X 7.0, 200GF, IP67, TA Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 6.00mm x 6.00mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity / Alcoswitch | Tactile Switches 6.0 x 6.0 x 7.0, 200gf, IP67, Tact | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches | Description: 6.0 X 6.0 X 7.0, 200GF, IP67, TA Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 6.00mm x 6.00mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS710 | SSOUSA | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS7C4F30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7C4F30L | ST | на замовлення 56760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS7C4F30L | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7C4F30L(Z341) | на замовлення 21415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS7CF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7DNF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7DNFS30L | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7NF10 | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7NF30L | ST | SO-8 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II | на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ 7 A STripFET F6 Power MOSFET | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 3920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS7PF30L | STMicroelectronics | MOSFETs P-Ch 30 Volt 7 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7PF30L | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7PF30L Код товару: 82723
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS7PF30L | ST | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS7PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8 | Bourns | Sensor Cables / Actuator Cables | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS802U2SRP | IXYS | Description: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC Voltage - Off State: 800 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA Structure: Independent - All SCRs Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS802U2SRP | IXYS | SCRs 1.5Amp Sensitive Dual SCR in SOP-8 | на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS802U2SRP | IXYS | Description: SCR MODULE 800V 0.6A 8-SOIC Voltage - Off State: 800 V Current - On State (It (RMS)) (Max): 0.6 A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 24A Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA Structure: Independent - All SCRs Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS802U2SRP | LITTELFUSE | Category: SMD/THT thyristors Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 600mA; 1.5A; Igt: 100uA; SOIC8; SMD Kind of package: reel; tape Case: SOIC8 Type of thyristor: thyristor Gate current: 100µA Max. load current: 0.6A Load current: 1.5A Max. off-state voltage: 0.8kV Mounting: SMD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8050 | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8050D | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8201 | SMT | на замовлення 49819 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS8205 | на замовлення 1668 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8208 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8550 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8816 | на замовлення 2794 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8C5H30L | STMicroelectronics | MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp | на замовлення 1465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8C5H30L | STM | N-ch.+P-ch 30V - 2 W - 8A SO-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8C5H30L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8C5H30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8C5H30L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8C5H30L | VBsemi | Transistor N/P-MOSFET; 30V; 16V; 25mOhm/75mOhm; 8A/5,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; STS8C5H30L-VB; STS8C5H30L TSTS8C5H30L кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8C5H30L N/P-MOSFET Код товару: 168551
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STS8C6H3LL | STMicroelectronics | STMicroelectronics N-channel 30 V, 0.019 Ohm typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET(TM) Power MOSFET in a SO-8 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFETs Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr | на замовлення 6627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | на замовлення 78 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS8DN3LLH5 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

