Продукція > STS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STS5N15F4 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 150V 5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2710 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5N15F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5N15F4 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 150 V StripFET | на замовлення 4272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5N15F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5N15F4 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS5NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 5 Amp | на замовлення 1850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 3031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO N T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5NS150 | на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5NS150 | STM | N-кан. 150V - 0.075 W - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; -30V; -3.2A; 2.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: STripFET™ H6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.7W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STM | P-CH 30V 5A SOIC-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO | на замовлення 16138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS5P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.048 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package | на замовлення 6275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS5PF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF20V | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF20V | ST | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STS5PF30L | на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS5PF30L | STMicroelectronics | MOSFETs P-Ch 30 Volt 5 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF30L | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF30L | STM | P-CH 30В 5А 0,07Om SO-8 IRF7204 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS5PF30L/E | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6DNF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6DNF30V | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS6DNF3LL | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1872 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6NF20V | ST | N-MOSFET 6A 20V 2.5W STS6NF20V STM TSTS6NF20V кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6NF20V - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.7V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.95V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 9066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6NF20V | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 20 Volt 6 Amp | на замовлення 15498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V | на замовлення 1010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 24 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ 6 A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET | на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS6P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.024 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6PF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS6PF30L | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7.0LF200QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7.0LF200QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 50MA 48V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7.0LF260QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 48V Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 260gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7.0LF260QG | CIT Relay and Switch | Description: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 48V Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Termination Style: Gull Wing Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 260gf Outline: 7.20mm x 7.20mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated Part Status: Active | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS700 | на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity / Alcoswitch | Tactile Switches 6.0 x 6.0 x 7.0, 200gf, IP67, Tact | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches | Description: 6.0 X 6.0 X 7.0, 200GF, IP67, TA Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 6.00mm x 6.00mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS70A20BTHR | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches | Description: 6.0 X 6.0 X 7.0, 200GF, IP67, TA Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Termination Style: PC Pin Illumination: Non-Illuminated Contact Rating @ Voltage: 0.05A @ 48VDC Actuator Type: Standard Operating Force: 200gf Outline: 6.00mm x 6.00mm Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof Actuator Height off PCB, Vertical: 7.00mm Actuator Orientation: Top Actuated | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS710 | SSOUSA | на замовлення 480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STS72A25BSMTR | TE Connectivity / Alcoswitch | Tactile Switches 6.2 x 6.2 x 7.2, 250gf, IP67, Tact | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS77A25BSMTR | TE Connectivity / Alcoswitch | Tactile Switches 6.2 x 6.2 x 7.7, 250gf, IP67, Tact | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7C4F30L | ST | на замовлення 56760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| STS7C4F30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7C4F30L | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7C4F30L(Z341) | на замовлення 21415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STS7CF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7DNF30L | ST | SO-8 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7DNFS30L | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF10 | ST | 09+ SO-8 | на замовлення 1445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF30L | ST | SO-8 | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II | на замовлення 8899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7NF60L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7.5 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm | на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 6347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7NF60L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-Pin SO N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 40V 7A POWER8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 40V 7A 8-Pin SO N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ 7 A STripFET F6 Power MOSFET | на замовлення 3759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| STS7P4LLF6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STS7P4LLF6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.0175 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 2.7W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm | на замовлення 3235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

