Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP3710PBF Код товару: 54050
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 57 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,025 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3000/190 Примітка: 200 Монтаж: THT | на замовлення: 2 шт
|
| ||||||||||
| IRFP3710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8920 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4004PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4004PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 350 A, 1700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 15021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4004PBF Код товару: 54267
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 350 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0017 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8920/220 Монтаж: THT | у наявності: 29 шт
|
| ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 40V 350A 1.7mOhm 220nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 350A; 380W; TO247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 4605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4004PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110 | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 196 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 210A; 235W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; SP001556724; SP005732688; IRFP4110-CN CHIPNOBO TIRFP4110 CNB кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBF | International Rectifier | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBF Код товару: 40699
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 120 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,7 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9620/150 Монтаж: THT | у наявності: 41 шт
|
| ||||||||||
| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 370W Gate charge: 150nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9620 @ 50, Qg, нКл = 210, Rds = 4,5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 370, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 205 Од. вим: шт кількість в упаковці: 400 шт | на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 168A 4.6mOhm 152nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | на замовлення 5710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4110XKMA1 | International Rectifier | Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP4110; IRFP4110XKMA1; IRFP4110 TIRFP4110 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 7543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon | Trans MOSFET N-CH 200V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Y | на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 21063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4127PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4127PBFAKMA1 | Infineon Technologies | IRFP4127PBFAKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-247AC | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Транзистори | на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4137PBF - IRFP4137 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 38 А, Ptot, Вт = 341, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 5168 @ 50, Qg, нКл = 125 @ 10 В, Rds = 69 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4137PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4227 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227 | International Rectifier | N-MOSFET 65A 200V 330W 0.021Ω IRFP4227 TIRFP4227 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4227PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 65 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 25 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-247AC Од. вим: шт кількість в упаковці: 25 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Power dissipation: 330W Gate charge: 70nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 65A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 200V Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF | IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power | на замовлення 99 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFP4227PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBF Код товару: 26521
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 200 В Струм стоку Idd, А: 65 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,021 Ом Монтаж: THT | у наявності: 22 шт
на замовлення: 4 шт
|
| ||||||||||
| IRFP4227PBF | International Rectifier | TO-247AC, -40 ... +175C, 21mOhm, 65A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4228 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4228PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 78A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4229 Код товару: 37659
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 44 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,46 Ом Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| |||||||||||
| IRFP4229 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4229 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 44A 250V 310W 0.046Ω IRFP4229 TIRFP4229 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4229PBF | IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power | на замовлення 10 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 21571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFP4229PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4229PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

