Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4368PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A TO-247AC Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V | на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4368PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 3177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440 | IR | TO-247 | на замовлення 18950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP440 | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440 | HARRIS | IRFP440 | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP440 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.8 A, 0.85 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 8.8A N-CH MOSFET | на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 | на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP440PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4410Z | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4410Z Код товару: 99504
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 100 V Idd,A: 69 A Rds(on), Ohm: 7,2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4820/83 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO247AC Packaging: Bag Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | International Rectifier | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 195A TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC Uds,V: 100 V Idd,A: 195 A Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm Монтаж: THT | у наявності: 116 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W | на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 2000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1A Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 50 V | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 4458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP448 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP448 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP448PBF | VISHAY | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP448PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP448PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450 | Vishay | N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 500mOhm; 14A; 190W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFP450; IRFP450 HXY MOSFET TIRFP450 HXY кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450 | STMicroelectronics | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 | Siliconix | N-MOSFET 14A 500V 180W 0.4Ω IRFP450 TIRFP450 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 | IXYS | MOSFETs 500V 14A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450 Код товару: 7939
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFP450-E | IR | TO-247 | на замовлення 5225 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450-LF20(94-5598) | на замовлення 5075 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRFP450?94-5598? | IR | TO-247 | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450A | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450A | Siliconix | N-MOSFET 14A 500V 190W 0.4Ohm IRFP450A TIRFP450a кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 34 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450A | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 451 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 14A N-CH MOSFET | на замовлення 2051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP450APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 25 V | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF Код товару: 23065
Додати до обраних
Обраний товар
| FS | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-3P Uds,V: 500 V Idd,A: 14 A Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3250/157 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450B | onsemi / Fairchild | MOSFETs 500V N-Channel B-FET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay Siliconix | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP450LCPBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Vishay Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 190W TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFP450LC | Siliconix | N-MOSFET HEXFET 500V 14,00A 190W 0,4Ω IRFP450LC TIRFP450lc кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450LCPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRFP450LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRFP450LCPBF Код товару: 66902
Додати до обраних
Обраний товар
| 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRFP450LCPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |

