Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| JANSR2N3439L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW RH Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439U4/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW RH Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439UA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 350 V RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3439UA/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A UA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A TO39 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Tray Qualification: MIL-PRF-19500/368 Grade: Military | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440L | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 250V 1A 800mW Long-Lead RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A U4 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440U4/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 1A U4 Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440UA | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 250V 2UA UA Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Supplier Device Package: UA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 800 mW Qualification: MIL-PRF-19500/368 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3440UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3498 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3498L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3499L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 100V 500mA 1W NPN Lond-Lead Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3500 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3500L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN Long-Lead Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 300MA TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501U4 | Microchip Technology | Description: BJTS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501U4/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501UB | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 150V 300mA 1W NPN 3 Pin CER RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3501UB/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3634 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3634L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3634UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3634UB | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||
| JANSR2N3635UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W 3 Pin CER RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 140V 1A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 1.5 W Qualification: MIL-PRF-19500/357 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3635UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 140V 1A 1W 3 Pin CER RH Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3636 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3636L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637L | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A TO-5AA Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-5AA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W Long-Lead RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637UB | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 175V 1A UB Qualification: MIL-PRF-19500/357 Power - Max: 1.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3637UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 175V 1A 1W RH Small-Signal BJT THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A TO-18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW RH Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700UB | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700UB | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 Grade: Military Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: UB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700UB/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 1A UB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/391 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3700UB/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 1A 500mW Round-End RH Small-Signal BJT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-78-6 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: TO-78-6 Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810L | Microchip Technology | Description: DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Power - Max: 350mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810U | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT Packaging: Tray Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810U | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Dual RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810U/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50mA 350mW Dual RH Small-Signal BJT SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N3810U/TR | Microchip Technology | Description: TRANSISTOR DUAL RH SMALL-SIGNAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: 6-SMD Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/336 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N4449 | Microchip Technology | Description: RH SMALL-SIGNAL BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N4449 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5002 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 50UA TO59 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5004 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 10A TO59 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151L | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Long-Lead RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151U3 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5151U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5152 | Microchip Technology | Microchip Technology | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5152L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5152U3 | Microsemi Corporation | Description: RH POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5152U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A TO39 Packaging: Tray Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153/TR | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP RH Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153U3 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER RH Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5153U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER RH Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN RH Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154U3/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N5154U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 2A 1W NPN Low Profile CER RH Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N6193 | Semicoa Semiconductors | Switching Silicon PNP Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N6193U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT _ U3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| JANSR2N7261U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Tray Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 8A, 12V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V Qualification: MIL-PRF-19500/601 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |